-
公开(公告)号：CN111696851A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010130587.3
申请日：2020-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及成膜方法和热处理装置。[课题]提供降低基板的翘曲、且能形成埋入特性良好的半导体膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的成膜方法具备如下工序：在凹部中成膜为非晶态半导体膜的工序；对前述非晶态半导体膜进行热处理而形成多晶半导体膜的工序；和，在通过前述热处理形成的前述多晶半导体膜上，成膜为多晶半导体膜的工序。
-
公开(公告)号：CN111748787A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010200947.2
申请日：2020-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/24 , C23C16/455 , H01L21/205
Abstract: 本公开提供一种能够在多个基板的表面形成膜厚度的面内均匀性良好的硅膜等的基板处理装置。所述基板处理装置具有：处理容器，其在内部收容多个基板；气体供给部，其向所述处理容器的内部供给为包含Si和H、或Ge和H的化合物的第一原料气体、以及为包含Si和卤元素、或Ge和卤元素的化合物的第二原料气体；以及排气部，其对所述处理容器的内部进行排气，其中，所述气体供给部具有分散喷嘴部，该分散喷嘴部设置有用于释放所述第一原料气体和所述第二原料气体的多个气体孔，所述基板处理装置具有用于对所述分散喷嘴部内的所述第一原料气体和所述第二原料气体进行加热的加热部。
-
公开(公告)号：CN111748788B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202010201549.2
申请日：2020-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法包括：降温步骤，一边使被收容于处理容器内的基板的温度从第一温度降温至第二温度，一边向所述处理容器内供给非含卤硅原料气体和含卤硅原料气体；以及恒温步骤，在所述降温步骤之后进行，在所述恒温步骤中，一边将所述基板的温度维持为第三温度，一边向所述处理容器内供给所述非含卤硅原料气体和所述含卤硅原料气体。
-
公开(公告)号：CN109385613B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201810869824.0
申请日：2018-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/24 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本公开涉及硅膜的形成方法、形成装置以及存储介质。提供一种能够针对不同的基底来减小膜厚差并形成硅膜的硅膜的形成方法以及形成装置。包括以下工序：准备具有凹部的被处理基板，在该凹部多个不同的基底露出；一边将被处理基板加热至规定的温度，一边将适合于多个不同的基底的原料气体以及与原料气体反应的反应气体按顺序向被处理基板供给一次或多次，从而至少在凹部的内表面形成原子层晶种，接着，一边将被处理基板加热至规定的温度，一边向被处理基板供给硅原料气体，在原子层晶种的表面以填充凹部的方式形成硅膜。
-
公开(公告)号：CN113053725A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011476465.6
申请日：2020-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及膜形成方法和膜形成装置。[课题]提供可以形成大粒径的多晶硅膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的膜形成方法具备如下工序：在基底上形成依次层叠有界面层、主体层和表面层的层叠膜的工序；和，对前述层叠膜进行结晶处理的工序，前述主体层在前述进行结晶处理的工序中由比前述界面层还容易结晶的膜形成，前述表面层在前述进行结晶处理的工序中由比前述主体层还容易结晶的膜形成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110349881A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910221470.3
申请日：2019-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/321 , H01L21/3205 , C23C16/56 , C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/24
Abstract: 本发明提供一种能够在基板上形成具有良好的面内均匀性的硅膜的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：处理容器，收容有搭载基板的舟皿；以及喷射器，在处理容器的附近沿着处理容器的内壁在上下方向延伸配置并且在长边方向上具有多个气孔，气孔在处理容器的附近的内壁取向。
-
公开(公告)号：CN110189982A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910126154.8
申请日：2019-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及膜形成方法和基板处理装置。[课题]提供能形成具有良好的表面粗糙度的膜的膜形成方法。[解决方案]一实施方式的膜形成方法具备如下工序：有机物去除工序，向基底供给含氢气体和含氧气体，将有机物去除，所述有机物附着于在前述基底的表面产生的氧化膜；氧化膜去除工序，在前述有机物去除工序后，向前述基底供给含卤素气体和碱性气体，将形成于前述基底的表面的氧化膜去除；和，成膜工序，在前述氧化膜去除工序后，在前述基底的表面成膜为规定的膜。
-
公开(公告)号：CN104347353A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410375010.3
申请日：2014-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , C23C16/24
CPC classification number: C23C16/045 , C23C16/24 , H01L21/28556 , H01L21/32055 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089 , H01L21/02532 , H01L21/28525 , H01L21/76879
Abstract: 本发明涉及硅膜的成膜方法、薄膜的成膜方法以及截面形状的控制方法。硅膜的成膜方法为在具有被处理面的被处理体上形成硅膜的方法，具备：(1)对前述被处理面上供给分子中包含两个以上硅的高阶氨基硅烷系气体，使前述被处理面上吸附硅而形成晶种层的工序；和(2)对前述晶种层上供给不包含氨基的硅烷系气体，使硅沉积在前述晶种层上而形成硅膜的工序，将前述(1)工序的处理温度设为350℃以下且室温(25℃)以上的范围。
-
公开(公告)号：CN111696851B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010130587.3
申请日：2020-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及成膜方法和热处理装置。[课题]提供降低基板的翘曲、且能形成埋入特性良好的半导体膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的成膜方法具备如下工序：在凹部中成膜为非晶态半导体膜的工序；对前述非晶态半导体膜进行热处理而形成多晶半导体膜的工序；和，在通过前述热处理形成的前述多晶半导体膜上，成膜为多晶半导体膜的工序。
-
公开(公告)号：CN111463096B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202010038164.9
申请日：2020-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开涉及基板处理装置的清洗方法和基板处理装置，能够抑制在向大气开放时排气管被腐蚀，且能够抑制氟残留于处理容器的内部。所述清洗方法包括清洗用于对处理容器的内部进行排气的排气管的工序，清洗所述排气管的工序包括如下工序：在关闭设置于所述排气管的中途的开闭阀的状态下，向所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分供给包括氟的第一排气管清洗气体，由此通过所述第一排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物；以及在打开所述开闭阀的状态下，向所述处理容器的内部供给不包括氟来作为气体构成元素的第二排气管清洗气体，由此通过所述第二排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠上游侧的部分的沉积物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.03 seconds)
