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公开(公告)号:CN102324397B
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN201110283427.3
申请日:2007-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/67225 , G03F7/70525 , G03F7/7075 , G03F7/70991 , H01L21/67727 , H01L21/67733 , Y10S414/135
Abstract: 本发明涉及衬底处理系统以及衬底搬送方法。衬底处理系统(100)具有主搬送线(20)和副搬送线(30),该主搬送线(20)是在系统的整体中进行晶片的搬送以及与各处理部的衬底交接的第一自动衬底搬送线,该副搬送线(30)是进行在光刻处理部(1a)内的晶片的搬送的第二自动衬底搬送线。副搬送线(30)设置成与主搬送线(20)独立的搬送系统,OHT(31)围绕形成为环状的副搬送线(30)移动,向光刻处理部(1a)内的各处理装置搬送晶片,在与各处理装置之间进行晶片的交接。
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公开(公告)号:CN101976646B
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN201010271367.9
申请日:2007-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/38 , H01L21/308 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/2022 , G03F7/38 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/67748
Abstract: 本发明涉及衬底处理方法、程序、计算机可读的记录介质以及衬底处理系统。在本发明中,将在其上已经形成了抗蚀剂膜的衬底转移到光刻机并经受曝光处理。该衬底然后在第二处理系统中经受曝光后烘。然后再将该衬底转移到光刻机并经受曝光处理。已经完成了第二次曝光处理的衬底被转移到第一处理系统并再次经受曝光后烘。第一次和第二次的从曝光处理的结束到曝光后烘的开始之间的时间被控制为相等。根据本发明,在其中抗蚀剂膜形成处理与显影操作之间执行多次曝光处理的图形形成处理中,最终能够形成具有期望尺寸的图形。
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公开(公告)号:CN101802978B
公开(公告)日:2012-02-08
申请号:CN200880108112.1
申请日:2008-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67745 , H01L21/67276
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统。本发明的基板处理方法和基板处理系统,在基板处理装置中,在能够任意地选择基板处理终止时返回的盒时,能够顺利地进行基板处理,对进行小批量处理的基板处理系统是有用的。在盒载置于盒载置部之后,从控制装置向基板处理装置指示盒内的基板处理的开始。其后,从控制装置向基板处理装置,指示基板处理结束时要被搬送到的盒载置部的盒。在基板剩余处理工序数达到预定的设定数时,若还没有指示该基板处理结束时的搬送目的地的盒,就从基板处理装置发出警告。该警告从基板处理装置向控制装置通知,控制装置指示基板搬送目的地的盒。
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公开(公告)号:CN102270562A
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN201110153507.7
申请日:2011-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67276 , H01L21/67745 , H01L21/67778
Abstract: 本发明提供一种能够提高总处理能力并对处理时间进行管理的基板处理系统。其设置有对处理装置组进行管理的群组控制器。群组控制器实施如下步骤:通过多个的处理装置依次对载体内的基板进行处理时,基于基板的处理方案和处理状况,决定最终的处理装置的处理结束时刻最早的处理装置的组合的步骤;在上述处理装置的组合中,基于基板的处理方案和处理状况,决定从预先决定的一个处理装置的批量的处理结束时刻至预先决定的下游侧的处理装置的处理开始时间为止的预测经过时间,以将预测经过时间缩短至设定时间内的方式,决定将基板交付至上述的一个处理装置或上游侧的处理装置的时间的步骤。
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公开(公告)号:CN102024680A
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN201010513010.7
申请日:2008-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 山本雄一
CPC classification number: H01L21/67225 , G03F7/0035
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统及基板处理方法。该基板处理系统包括:承载块(S1);处理块(S2),具有对从承载块(S1)逐块搬入的基板进行第1次涂敷处理的第一涂敷处理部(31)、进行第1次显影处理的第一显影处理部(41)、进行第2次涂敷处理的第二涂敷处理部(32)、以及进行第2次显影处理的第二显影处理部(42);接口块(S3),在与曝光装置之间交接基板;以及在它们之间搬运基板的基板搬运机构,可对应对一个基板进行至少两次曝光的曝光装置。
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公开(公告)号:CN101802978A
公开(公告)日:2010-08-11
申请号:CN200880108112.1
申请日:2008-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67745 , H01L21/67276
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统。在盒载置于盒载置部之后,从控制装置向基板处理装置指示盒内的基板处理的开始。其后,从控制装置向基板处理装置,指示基板处理结束时要被搬送到的盒载置部的盒。在基板剩余处理工序数达到预定的设定数时,若还没有指示该基板处理结束时的搬送目的地的盒,就从基板处理装置发出警告。该警告从基板处理装置向控制装置通知,控制装置指示基板搬送目的地的盒。
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公开(公告)号:CN101467242B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200780022258.X
申请日:2007-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67225 , G03F7/70525 , G03F7/7075 , G03F7/70991 , H01L21/67727 , H01L21/67733 , Y10S414/135
Abstract: 本发明涉及衬底处理系统以及衬底搬送方法。衬底处理系统(100)具有主搬送线(20)和副搬送线(30),该主搬送线(20)是在系统的整体中进行晶片的搬送以及与各处理部的衬底交接的第一自动衬底搬送线,该副搬送线(30)是进行在光刻处理部(1a)内的晶片的搬送的第二自动衬底搬送线。副搬送线(30)设置成与主搬送线(20)独立的搬送系统,OHT(31)围绕形成为环状的副搬送线(30)移动,向光刻处理部(1a)内的各处理装置搬送晶片,在与各处理装置之间进行晶片的交接。
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公开(公告)号:CN102324397A
公开(公告)日:2012-01-18
申请号:CN201110283427.3
申请日:2007-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/67225 , G03F7/70525 , G03F7/7075 , G03F7/70991 , H01L21/67727 , H01L21/67733 , Y10S414/135
Abstract: 本发明涉及衬底处理系统以及衬底搬送方法。衬底处理系统(100)具有主搬送线(20)和副搬送线(30),该主搬送线(20)是在系统的整体中进行晶片的搬送以及与各处理部的衬底交接的第一自动衬底搬送线,该副搬送线(30)是进行在光刻处理部(1a)内的晶片的搬送的第二自动衬底搬送线。副搬送线(30)设置成与主搬送线(20)独立的搬送系统,OHT(31)围绕形成为环状的副搬送线(30)移动,向光刻处理部(1a)内的各处理装置搬送晶片,在与各处理装置之间进行晶片的交接。
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公开(公告)号:CN101473416B
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200780022326.2
申请日:2007-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 山本雄一
IPC: H01L21/027 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67745 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67225
Abstract: 本发明涉及衬底处理系统以及衬底搬送方法。衬底处理系统(100)具有主搬送线(20)和副搬送线(30),该主搬送线(20)在系统的整体中进行晶片(W)的搬送,该副搬送线(30)进行光刻处理部(1a)内的晶片(W)的搬送。在光刻处理部(1a)中,抗蚀剂涂敷处理装置(2)和显影处理装置(5)被分离配置,第一曝光处理装置(3a)和第一PEB处理装置(4a)、第二曝光处理装置(3b)和第二PEB处理装置(4b)相邻配置。
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公开(公告)号:CN101447408B
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN200810179632.3
申请日:2008-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 山本雄一
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67225 , G03F7/0035
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统及基板处理方法。该基板处理系统包括:承载块(S1);处理块(S2),具有对从承载块(S1)逐块搬入的基板进行第1次涂敷处理的第一涂敷处理部(31)、进行第1次显影处理的第一显影处理部(41)、进行第2次涂敷处理的第二涂敷处理部(32)、以及进行第2次显影处理的第二显影处理部(42);接口块(S3),在与曝光装置之间交接基板;以及在它们之间搬运基板的基板搬运机构,可对应对一个基板进行至少两次曝光的曝光装置。
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