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公开(公告)号：CN101496140B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200780028343.7
申请日：2007-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0274 , H01L21/0276
Abstract: 在本发明中，在衬底的正表面上方的要被加工的膜上执行第一次图形化，并且测量由第一次图形化所形成的图形的实际尺寸。基于第一次图形化的尺寸测量结果，然后设置第二次图形化的条件。在该情形中，设置第二次图形化的条件使得在第一次图形化的尺寸与其目标尺寸之间的差等于在第二次图形化尺寸与其目标尺寸之间的差。其后，在所设置的图形化条件下执行第二次图形化。
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公开(公告)号：CN102324397B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110283427.3
申请日：2007-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/67225 , G03F7/70525 , G03F7/7075 , G03F7/70991 , H01L21/67727 , H01L21/67733 , Y10S414/135
Abstract: 本发明涉及衬底处理系统以及衬底搬送方法。衬底处理系统（100）具有主搬送线（20）和副搬送线（30），该主搬送线（20）是在系统的整体中进行晶片的搬送以及与各处理部的衬底交接的第一自动衬底搬送线，该副搬送线（30）是进行在光刻处理部（1a）内的晶片的搬送的第二自动衬底搬送线。副搬送线（30）设置成与主搬送线（20）独立的搬送系统，OHT（31）围绕形成为环状的副搬送线（30）移动，向光刻处理部（1a）内的各处理装置搬送晶片，在与各处理装置之间进行晶片的交接。
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公开(公告)号：CN101976646B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010271367.9
申请日：2007-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/38 , H01L21/308 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/2022 , G03F7/38 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/67748
Abstract: 本发明涉及衬底处理方法、程序、计算机可读的记录介质以及衬底处理系统。在本发明中，将在其上已经形成了抗蚀剂膜的衬底转移到光刻机并经受曝光处理。该衬底然后在第二处理系统中经受曝光后烘。然后再将该衬底转移到光刻机并经受曝光处理。已经完成了第二次曝光处理的衬底被转移到第一处理系统并再次经受曝光后烘。第一次和第二次的从曝光处理的结束到曝光后烘的开始之间的时间被控制为相等。根据本发明，在其中抗蚀剂膜形成处理与显影操作之间执行多次曝光处理的图形形成处理中，最终能够形成具有期望尺寸的图形。
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公开(公告)号：CN101496140A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028343.7
申请日：2007-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0274 , H01L21/0276
Abstract: 在本发明中，在衬底的正表面上方的要被加工的膜上执行第一次图形化，并且测量由第一次图形化所形成的图形的实际尺寸。基于第一次图形化的尺寸测量结果，然后设置第二次图形化的条件。在该情形中，设置第二次图形化的条件使得在第一次图形化的尺寸与其目标尺寸之间的差等于在第二次图形化尺寸与其目标尺寸之间的差。其后，在所设置的图形化条件下执行第二次图形化。
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公开(公告)号：CN101467242A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780022258.X
申请日：2007-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67225 , G03F7/70525 , G03F7/7075 , G03F7/70991 , H01L21/67727 , H01L21/67733 , Y10S414/135
Abstract: 本发明涉及衬底处理系统以及衬底搬送方法。衬底处理系统(100)具有主搬送线(20)和副搬送线(30)，该主搬送线(20)是在系统的整体中进行晶片的搬送以及与各处理部的衬底交接的第一自动衬底搬送线，该副搬送线(30)是进行在光刻处理部(1a)内的晶片的搬送的第二自动衬底搬送线。副搬送线(30)设置成与主搬送线(20)独立的搬送系统，OHT(31)围绕形成为环状的副搬送线(30)移动，向光刻处理部(1a)内的各处理装置搬送晶片，在与各处理装置之间进行晶片的交接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101467242B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200780022258.X
申请日：2007-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67225 , G03F7/70525 , G03F7/7075 , G03F7/70991 , H01L21/67727 , H01L21/67733 , Y10S414/135
Abstract: 本发明涉及衬底处理系统以及衬底搬送方法。衬底处理系统(100)具有主搬送线(20)和副搬送线(30)，该主搬送线(20)是在系统的整体中进行晶片的搬送以及与各处理部的衬底交接的第一自动衬底搬送线，该副搬送线(30)是进行在光刻处理部(1a)内的晶片的搬送的第二自动衬底搬送线。副搬送线(30)设置成与主搬送线(20)独立的搬送系统，OHT(31)围绕形成为环状的副搬送线(30)移动，向光刻处理部(1a)内的各处理装置搬送晶片，在与各处理装置之间进行晶片的交接。
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公开(公告)号：CN102324397A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110283427.3
申请日：2007-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/67225 , G03F7/70525 , G03F7/7075 , G03F7/70991 , H01L21/67727 , H01L21/67733 , Y10S414/135
Abstract: 本发明涉及衬底处理系统以及衬底搬送方法。衬底处理系统（100）具有主搬送线（20）和副搬送线（30），该主搬送线（20）是在系统的整体中进行晶片的搬送以及与各处理部的衬底交接的第一自动衬底搬送线，该副搬送线（30）是进行在光刻处理部（1a）内的晶片的搬送的第二自动衬底搬送线。副搬送线（30）设置成与主搬送线（20）独立的搬送系统，OHT（31）围绕形成为环状的副搬送线（30）移动，向光刻处理部（1a）内的各处理装置搬送晶片，在与各处理装置之间进行晶片的交接。
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公开(公告)号：CN101123181A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710136093.0
申请日：2007-07-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/38 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/38 , G03F7/2041 , G03F7/70341
Abstract: 本发明提供一种图形形成方法和该方法所使用的图形形成装置，即便是为了浸液曝光而使基板表面为疏水性的基板，也能够均匀且稳定地形成规定的抗蚀图形。在涂布显影液形成抗蚀图形之前，向通过浸液曝光而使抗蚀膜曝光为规定图形的基板表面供给药液，使基板表面亲水化至显影液润湿整个表面的程度。
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公开(公告)号：CN101496139B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200780028110.7
申请日：2007-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/2022 , G03F7/38 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/67748
Abstract: 在本发明中，将在其上已经形成了抗蚀剂膜的衬底转移到光刻机并经受曝光处理。该衬底然后在第二处理系统中经受曝光后烘。然后再将该衬底转移到光刻机并经受曝光处理。已经完成了第二次曝光处理的衬底被转移到第一处理系统并再次经受曝光后烘。第一次和第二次的从曝光处理的结束到曝光后烘的开始之间的时间被控制为相等。根据本发明，在其中抗蚀剂膜形成处理与显影操作之间执行多次曝光处理的图形形成处理中，最终能够形成具有期望尺寸的图形。
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公开(公告)号：CN101976646A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010271367.9
申请日：2007-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/38 , H01L21/308 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/2022 , G03F7/38 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/67748
Abstract: 本发明涉及衬底处理方法、程序、计算机可读的记录介质以及衬底处理系统。在本发明中，将在其上已经形成了抗蚀剂膜的衬底转移到光刻机并经受曝光处理。该衬底然后在第二处理系统中经受曝光后烘。然后再将该衬底转移到光刻机并经受曝光处理。已经完成了第二次曝光处理的衬底被转移到第一处理系统并再次经受曝光后烘。第一次和第二次的从曝光处理的结束到曝光后烘的开始之间的时间被控制为相等。根据本发明，在其中抗蚀剂膜形成处理与显影操作之间执行多次曝光处理的图形形成处理中，最终能够形成具有期望尺寸的图形。
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