公开(公告)号：CN108885893A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680033285.6

申请日：2016-03-14

Applicant: 东芝存储器株式会社 ,  SK 海力士公司

Inventor： 相川尚德 ,  岸达也 ,  中冢圭祐 ,  稻叶聪 ,  都甲大 ,  细谷启司 ,  J·Y·易 ,  H·J·徐 ,  S·D·金

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/1673 ,  G11C5/063 ,  G11C8/08 ,  G11C8/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/08 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

Abstract: 根据实施例，一种阻变存储器包括：半导体衬底，具有控制端子、第一端子和第二端子的晶体管，所述晶体管设置在半导体衬底上，覆盖所述晶体管的绝缘层，连接到所述第一端子且设置在所述绝缘层上的第一导线，设置在所述绝缘层上的第二导线，以及连接在所述第二端子和所述第二导线之间的阻变元件。在所述第一导线和所述第二导线的布置方向上，所述第一导线的宽度大于所述第二导线的宽度。

公开(公告)号：CN108885893B

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN201680033285.6

申请日：2016-03-14

Applicant: 铠侠股份有限公司 ,  SK 海力士公司

Inventor： 相川尚德 ,  岸达也 ,  中冢圭祐 ,  稻叶聪 ,  都甲大 ,  细谷启司 ,  J·Y·易 ,  H·J·徐 ,  S·D·金

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

Abstract: 根据实施例，一种阻变存储器包括：半导体衬底，具有控制端子、第一端子和第二端子的晶体管，所述晶体管设置在半导体衬底上，覆盖所述晶体管的绝缘层，连接到所述第一端子且设置在所述绝缘层上的第一导线，设置在所述绝缘层上的第二导线，以及连接在所述第二端子和所述第二导线之间的阻变元件。在所述第一导线和所述第二导线的布置方向上，所述第一导线的宽度大于所述第二导线的宽度。