公开(公告)号：CN108885893A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680033285.6

申请日：2016-03-14

Applicant: 东芝存储器株式会社 ,  SK 海力士公司

Inventor： 相川尚德 ,  岸达也 ,  中冢圭祐 ,  稻叶聪 ,  都甲大 ,  细谷启司 ,  J·Y·易 ,  H·J·徐 ,  S·D·金

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/1673 ,  G11C5/063 ,  G11C8/08 ,  G11C8/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/08 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

Abstract: 根据实施例，一种阻变存储器包括：半导体衬底，具有控制端子、第一端子和第二端子的晶体管，所述晶体管设置在半导体衬底上，覆盖所述晶体管的绝缘层，连接到所述第一端子且设置在所述绝缘层上的第一导线，设置在所述绝缘层上的第二导线，以及连接在所述第二端子和所述第二导线之间的阻变元件。在所述第一导线和所述第二导线的布置方向上，所述第一导线的宽度大于所述第二导线的宽度。

公开(公告)号：CN108630804B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201710659406.4

申请日：2017-08-04

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 都甲大 ,  细谷启司 ,  相川尚德 ,  岸达也

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

Abstract: 本发明的实施方式提供可信性能够提高的磁存储装置及其制造方法。实施方式的磁存储装置包括：具有可变的磁化方向的第1磁性层(11)；设置于第1磁性层(11)上的第1非磁性层(12)；和设置于第1非磁性层(12)上、具有固定磁化方向的第2磁性层(13至16)。第2磁性层(13至16)包含：包含Mo(钼)、Ta(钽)、W(钨)、Hf(铪)、Nb(铌)以及Ti(钛)中的至少1种的非磁性金属。

公开(公告)号：CN107808681B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201710080698.6

申请日：2017-02-15

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 岸达也 ,  稻场恒夫 ,  渡边大辅 ,  中山昌彦 ,  尾形诚之 ,  都甲大 ,  相川尚德 ,  小濑木淳一 ,  永濑俊彦 ,  李永民 ,  泽田和也

IPC: G11C11/16

Abstract: 根据实施方式，存储装置包括磁阻元件和写入电路，所述磁阻元件包括第1磁性层、第2磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层，所述写入电路控制第1写入和第2写入，使电流脉冲在所述磁阻元件中流动，所述第1写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为平行状态，所述第2写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为反平行状态。所述第1写入所使用的第1脉冲模式与所述第2写入所使用的第2脉冲模式不同。

公开(公告)号：CN108630804A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710659406.4

申请日：2017-08-04

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 都甲大 ,  细谷启司 ,  相川尚德 ,  岸达也

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明的实施方式提供可信性能够提高的磁存储装置及其制造方法。实施方式的磁存储装置包括：具有可变的磁化方向的第1磁性层(11)；设置于第1磁性层(11)上的第1非磁性层(12)；和设置于第1非磁性层(12)上、具有固定磁化方向的第2磁性层(13至16)。第2磁性层(13至16)包含：包含Mo(钼)、Ta(钽)、W(钨)、Hf(铪)、Nb(铌)以及Ti(钛)中的至少1种的非磁性金属。

公开(公告)号：CN107808681A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710080698.6

申请日：2017-02-15

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 岸达也 ,  稻场恒夫 ,  渡边大辅 ,  中山昌彦 ,  尾形诚之 ,  都甲大 ,  相川尚德 ,  小濑木淳一 ,  永濑俊彦 ,  李永民 ,  泽田和也

IPC: G11C11/16

Abstract: 根据实施方式，存储装置包括磁阻元件和写入电路，所述磁阻元件包括第1磁性层、第2磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层，所述写入电路控制第1写入和第2写入，使电流脉冲在所述磁阻元件中流动，所述第1写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为平行状态，所述第2写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为反平行状态。所述第1写入所使用的第1脉冲模式与所述第2写入所使用的第2脉冲模式不同。

公开(公告)号：CN108885893B

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN201680033285.6

申请日：2016-03-14

Applicant: 铠侠股份有限公司 ,  SK 海力士公司

Inventor： 相川尚德 ,  岸达也 ,  中冢圭祐 ,  稻叶聪 ,  都甲大 ,  细谷启司 ,  J·Y·易 ,  H·J·徐 ,  S·D·金

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

Abstract: 根据实施例，一种阻变存储器包括：半导体衬底，具有控制端子、第一端子和第二端子的晶体管，所述晶体管设置在半导体衬底上，覆盖所述晶体管的绝缘层，连接到所述第一端子且设置在所述绝缘层上的第一导线，设置在所述绝缘层上的第二导线，以及连接在所述第二端子和所述第二导线之间的阻变元件。在所述第一导线和所述第二导线的布置方向上，所述第一导线的宽度大于所述第二导线的宽度。