-
公开(公告)号：CN117888204A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311780234.8
申请日：2023-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种多孔结构及单晶衬底的制备方法，包括：在衬底上形成本征氮化物层、本征含铟氮化物层；在本征含铟氮化物层上生长氮化物叠层，包括交替的n‑氮化物层和u‑氮化物层；将上述所得结构浸入蚀刻溶液中进行电化学腐蚀，在氮化物叠层中形成第一孔洞；进行加热退火，使本征含铟氮化物层的铟组分分解并析出，以在本征含铟氮化物层中形成第二孔洞。本发明形成的多孔结构可以有效降低氮化物叠层和本征含铟氮化物层中的应力，避免氮化物叠层和本征含铟氮化物层翘曲或破裂的问题。本发明在氮化物叠层和本征含铟氮化物层均形成有孔洞，可以进一步提高GaN单晶层的应力释放，大大降低GaN单晶层的应力，以获得厚度更大应力更低的GaN单晶层。
-
公开(公告)号：CN117779185A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311849416.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种原料舟及气相外延装置，原料舟包括用于盛放原料的容置腔，以及用于通入气体的进气端口；所述容置腔内顶部设有第一维度隔板，所述第一维度隔板用于将所述容置腔分隔形成绕流通道；所述绕流通道连通所述进气端口，所述绕流通道用于使通入所述进气端口的气体在所述原料舟中绕流通过在原料舟中设置绕流通道，使反应气体在原料舟中流动时保持与原料接触，从而克服因原料的消耗而导致反应物转化率降低的问题，进而提高各批次产品的一致性。
-
公开(公告)号：CN111681946B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010437129.4
申请日：2020-05-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化镓单晶衬底的制备方法，包括：1)提供一氮化镓模板，包括蓝宝石衬底、缓冲层、第一非掺杂或掺杂氮化镓层、超晶格量子阱层及第二非掺杂或掺杂氮化镓层；2)采用氢化物气相外延方法在氮化镓模板上外延生长第一氮化镓层；3)采用激光剥离方法将氮化镓模板中的蓝宝石衬底剥离，获得薄氮化镓单晶衬底；4)采用氢化物气相外延方法在薄氮化镓单晶衬上外延生长第二氮化镓层，获得厚氮化镓单晶衬底；5)将厚氮化镓单晶衬底进行研磨抛光，获得氮化镓单晶衬底。本发明通过设置超晶格量子阱层，可以有效降低氮化镓单晶衬底与蓝宝石衬底之间的晶格失配，有效降低或避免氮化镓单晶衬底的翘曲，提高器件性能。
-
公开(公告)号：CN114759132A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210415878.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及晶圆制备技术领域，具体公开一种多孔晶圆、多孔构件及制备方法，所述多孔晶圆依次设有刻蚀制孔层、刻蚀停止层和衬底，其中，所述刻蚀制孔层设有若干填充孔，所述刻蚀制孔层包括密度控制层和位于所述密度控制层靠近所述衬底一侧的直径控制层；所述密度控制层用于控制所述填充孔的密度，所述直径控制层用于控制所述填充孔的孔底端的直径。本发明提供一种多孔晶圆，能独立地对填充孔的密度和直径两个参数进行控制，以便提高色转换效果。
-
公开(公告)号：CN111607784B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010566659.9
申请日：2020-06-19
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/458 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种引流旋转式基片承载装置及气相外延设备，装置包括：气源装置，用于提供气相外延的源气体，源气体的流动方式包括旋转流动；母盘，位于气源下方；转动装置，连接于母盘，以为母盘提供旋转动力；子盘，用于承载基片，子盘通过旋转轴连接于母盘上，子盘边缘具有涡形流道，用于引导旋转流动的源气体在涡形流道内流动，从而带动子盘旋转。本发明利用源气体在子盘表面以涡状线流动方式推动子盘旋转，实现装置的行星式旋转。本发明无需对子盘额外注入气体，因此，既不会有多余的气体破坏基片边缘的气氛，提高外延片的良率，同时也能节省高纯气体流量及相关气体控制元器件，大大降低设备的成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113508189A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201980088099.6
申请日：2019-11-27
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 一种用于GaN材料生长的线性喷头，包括第一气座(1)、第二气座(2)和第三气座(3)，第一气座(1)的中部设置有第一中心气道(11)，相邻第一中心气道(11)之间设置有第一间隙(12)，第一中心气道(11)的底部设置有第一喷嘴(13)；第二气座(2)位于第一气座(1)的上方，第二气座(2)的中部设置有第二中心气道(21)，相邻第二中心气道(21)之间设置有第二间隙(22)，第二中心气道(21)的两侧设置有第二喷嘴(23)；第三气座(3)包括多个第三中心气道(31)，第三中心气道(31)贯穿第一间隙(12)和第二间隙(22)，第三中心气道(31)的底部设置有第三喷嘴(32)。该喷头在工艺过程中能够有效隔离反应气体，避免反应气体因提前混合而在喷嘴处出现预反应；同时能够在生长区域提供稳定的层流流场和均匀分布的反应气体浓度场。
-
公开(公告)号：CN110085537B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910300683.5
申请日：2019-04-15
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种温度可控的用于高温激光剥离的装置，包括：腔体模块，包括若干腔体单元，腔体单元用于承载衬底或晶片及对衬底或晶片密封；加热模块，用于提供衬底或者晶片进行剥离时所需要的温度；冷却模块，用于降低所述腔体模块及所述加热模块在工作时的温度；窗口模块，用于提供激光进入腔体单元内的通道；运动模块，用于将腔体单元移至激光剥离的工作区域；气体保护及排放模块，用于提供衬底或晶片的工艺气氛；控制模块，用于控制上述各模块的工作。本发明的装置设置有多个腔体单元，通过采用加热模块对多个腔体单元内的衬底或晶片同时加热升温或降温，或以一定的时间差进行加热升温或降温，可以在相同时间内剥离更多的片数。
-
公开(公告)号：CN118352437A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410445150.7
申请日：2024-04-12
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多孔复合衬底的制作方法、单晶体、半导体的制作方法及多孔复合衬底，多孔复合衬底的制作方法包括：提供复合衬底，复合衬底包括生长衬底和形成于生长衬底上的外延层：在外延层远离生长衬底的外表面上间隙地排列若干纳米颗粒；将纳米颗粒作为掩膜并腐蚀外延层，使得外延层与纳米颗粒位置对应的区域不被腐蚀，与纳米颗粒错开的区域被腐蚀出若干空洞，以在外延层中形成多孔结构，将外延层制成多孔外延层，将复合衬底制成多孔复合衬底；去除多孔复合衬底上的纳米颗粒。与现有技术相比，本发明不但工艺简单，且可有效确保多孔复合衬底外表面的平整度，使得制成的多孔复合衬底和该多孔复合衬底制成的半导体器件应力弛豫。
-
公开(公告)号：CN116978867A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310732192.4
申请日：2023-06-19
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 东莞市中器集成电路有限公司
IPC: H01L21/8252 , H01L27/02 , H10N97/00
Abstract: 本发明提供一种具有电容补偿的集成功率器件及其制作方法，其包括半导体结构；介质层；第一金属互联层，包括电容底电极和与第一导电孔连接的第一布线层；电容保护环；电容补偿环；电容介质层，电容介质层中形成有分别连接第一布线层的第二导电孔；第二金属互联层，包括电容顶电极以及与第二导电孔连接的第二布线层。本发明当电容保护环小于电容介质层的介电常数时，电容补偿环大于电容介质层的介电常数，当电容保护环大于电容介质层的介电常数时，电容补偿环小于电容介质层的介电常数，本发明可通过调整电容补偿环的介电常数和厚度，补偿电容保护环造成的介电常数的增加量或减小量，使得电容的单位面积容值一致。
-
公开(公告)号：CN115881514A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211493168.1
申请日：2022-11-25
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶自支撑衬底的制作方法，制作方法包括：1)提供一衬底；2)使用HVPE设备，在衬底上生长β‑Ga2O3缓冲层；3)使用HVPE设备，在不含氢气的氮气气氛下，在缓冲层上生长GaN外延层；4)使用HVPE设备，通入含氢气的气体，在分解温度下使β‑Ga2O3缓冲层完全分解，实现GaN外延层与衬底分离；5)使用HVPE设备进行GaN外延，使GaN外延层的厚度增加至目标厚度，以获得单晶自支撑衬底。本发明可避免激光剥离工艺及自分离工艺导致的良率低的问题，提高GaN外延的生长质量，减少热适配及晶格失配导致的应力累积而产生的GaN外延层翘曲或裂片。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
54
records
(took 0.035 seconds)
