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公开(公告)号:CN102492938A
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN201110453183.9
申请日:2011-12-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/34 , C30B29/38 , C30B25/12
Abstract: 本发明提供一种单接触式自转公转基舟,解决气相沉积生长法在材料生长过程中的厚度不均匀问题。本发明包含有基舟基座,基舟基座上的小圆凹槽内设有衬底基座,基舟基座的镂空孔内设有转动轮,转动轮顶端设有C齿轮,C齿轮与衬底基座的半圈齿轮接触,转动轮底端设有B齿轮,基舟基座下面设有一个可以改变转向的马达,马达连接A齿轮,A齿轮与B齿轮啮合。本发明可实现衬底的自转与公转,提高设备性能,在一定程度上降低工艺调试难度。
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公开(公告)号:CN102492938B
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201110453183.9
申请日:2011-12-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/34 , C30B29/38 , C30B25/12
Abstract: 本发明提供一种单接触式自转公转基舟,解决气相沉积生长法在材料生长过程中的厚度不均匀问题。本发明包含有基舟基座,基舟基座上的小圆凹槽内设有衬底基座,基舟基座的镂空孔内设有转动轮,转动轮顶端设有C齿轮,C齿轮与衬底基座的半圈齿轮接触,转动轮底端设有B齿轮,基舟基座下面设有一个可以改变转向的马达,马达连接A齿轮,A齿轮与B齿轮啮合。本发明可实现衬底的自转与公转,提高设备性能,在一定程度上降低工艺调试难度。
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