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公开(公告)号：CN108866616A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810751577.4
申请日：2018-07-10
Applicant: 中南大学
IPC: C25D21/14
Abstract: 本发明公开了一种混合电镀液中添加剂的控制方法，利用了电镀添加剂在不同电位下的吸附率会产生变化，从而多种电镀添加剂受电位影响产生的相互作用也不相同的这一原理，通过实验确定了多种电镀添加剂在各电位下协同、竞争或取代的关系，并将该关系具体表达为第三本构方程，根据第三本构方程控制各电镀添加剂的量就能准确得到所需的吸附率，该方法具有能准确控制多种电镀添加剂吸附率和避免电镀缺陷等优点。本发明还相应公开了一种能实现该方法的控制系统以及一种能实现该方法的计算机存储介质，同样具有以上方法所具备的优点。
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公开(公告)号：CN111850630A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010758076.6
申请日：2020-07-31
Applicant: 中南大学
IPC: C25D3/38 , C25D7/12 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种使用CTAB作为抑制类添加剂进行微孔填充的方法。采用CTAB作为抑制类添加剂，将纯铜板浸入电镀液中作为阳极，将含有微孔的硅片浸入电镀液中作为阴极，对硅片微孔进行电镀填充，相比传统的抑制类添加剂电镀体系，本发明所开发的使用CTAB作抑制剂的填充方法对微孔孔口及侧壁具有更强的抑制效果，输运能力更强，电镀填充效果更好、效率更高，有利于节约微孔电镀填充成本，在高深宽比微孔电镀填充中具有极大的优势。
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公开(公告)号：CN109385650A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201710674721.4
申请日：2017-08-09
Applicant: 中南大学
IPC: C25D3/38 , C25D15/00 , H01L23/522 , H01L23/528
CPC classification number: C25D15/00 , C25D3/38 , H01L23/5226 , H01L23/528
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔结构，包括设于硅片上的硅通孔，所述硅通孔内填充有铜电镀层，所述铜电镀层内分散有热膨胀系数低于铜的纳米颗粒。该硅通孔结构散热效果好，可减小热应力，有效延长芯片的服役寿命。本发明还相应提供了一种上述硅通孔结构的制造方法和制造方法所用的装置，该制造方法通过向电镀液中添加纳米颗粒，在电镀过程中铜在阴极被还原并将纳米颗粒包覆在其中，在铜电镀层中均匀分散纳米颗粒。通过该制造方法可获得纳米颗粒分散均匀的铜电镀层，得到散热效果更好，性能更加均一的硅通孔结构。
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公开(公告)号：CN111778545A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010760001.1
申请日：2020-07-31
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种基于小尺寸季铵盐单一添加剂的微孔填充方法。采用具有阳极性的小尺寸季铵盐作为微孔电镀填充的抑制剂，将纯铜板浸入电镀液中作为阳极，将含有微孔的硅片浸入电镀液中作为阴极，对硅片微孔进行电镀填充，相比传统的多添加剂电镀体系，本发明提出的单一添加剂电镀体系，配方简单，更容易实现精准调控；且本发明微孔电镀填充效果更好、效率更高、成本更低。
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公开(公告)号：CN108169313B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201810120320.9
申请日：2018-02-07
Applicant: 中南大学
IPC: G01N27/48 , G01N27/416
Abstract: 本发明为一种电镀液交换电流密度和阴极转移系数的表征与标定方法，采用线性扫描伏安法测定，本发明还提供了一种TSV电镀添加剂扩散系数的表征与标定方法，采用计时安培分析法测试，本发明利用电化学工作站，设计上述简单的测试方法，方便、有效地获得电镀液交换电流密度、阴极转移系数与添加剂扩散系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109887882A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910091582.1
申请日：2019-01-30
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/768 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种在微孔内快速填充纳米粒子的方法，包括如下步骤：将含有微孔的基片保持开口向上浸入含有纳米粒子的悬浮液中，将浸有基片的悬浮液进行真空处理，使纳米粒子向微孔内沉淀；将经真空处理后浸有基片的悬浮液进行超声处理；重复上述真空处理与上述超声处理3次以上；将所述基片从悬浮液中取出，对所述基片进行加热处理，完成纳米粒子填充。本发明提供的在微孔内快速填充纳米粒子的方法，不仅使填充效率得到大大提高，还使得微孔内纳米粒子的填充更致密、更均匀，有效改善了填充效果。
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公开(公告)号：CN108169313A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810120320.9
申请日：2018-02-07
Applicant: 中南大学
IPC: G01N27/48 , G01N27/416
Abstract: 本发明为一种电镀液交换电流密度和阴极转移系数的表征与标定方法，采用线性扫描伏安法测定，本发明还提供了一种TSV电镀添加剂扩散系数的表征与标定方法，采用计时安培分析法测试，本发明利用电化学工作站，设计上述简单的测试方法，方便、有效地获得电镀液交换电流密度、阴极转移系数与添加剂扩散系数。
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公开(公告)号：CN109887882B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910091582.1
申请日：2019-01-30
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/768 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种在微孔内快速填充纳米粒子的方法，包括如下步骤：将含有微孔的基片保持开口向上浸入含有纳米粒子的悬浮液中，将浸有基片的悬浮液进行真空处理，使纳米粒子向微孔内沉淀；将经真空处理后浸有基片的悬浮液进行超声处理；重复上述真空处理与上述超声处理3次以上；将所述基片从悬浮液中取出，对所述基片进行加热处理，完成纳米粒子填充。本发明提供的在微孔内快速填充纳米粒子的方法，不仅使填充效率得到大大提高，还使得微孔内纳米粒子的填充更致密、更均匀，有效改善了填充效果。
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公开(公告)号：CN110797267A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911105268.0
申请日：2019-11-12
Applicant: 中南大学 , 长沙安牧泉智能科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装芯片封装中具有互连结构的底填方法，包括先将底填料放置于模具中，进行烘烤固化，脱模后得到底填料模板；在所得底填料模板表面刻蚀通孔，得到底填料预制板；在底填料预制板的通孔内沉积金属铜，形成带微凸点的底填料预制板；将基板与带微凸点的底填料预制板以及芯片按从下到上的顺序叠放，用超声热压焊接实现芯片与基板之间的电气连接。本发明提供的互连结构的底填方法解决了高密度微凸点封装中底填困难的问题，即解决了传统底填技术底填胶难以填满整个芯片微凸点之间的缝隙的问题，满足三维集成封装技术中以高密度凸点互连为核心的发展趋势，封装结构可靠性高。
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公开(公告)号：CN110707081A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911098629.3
申请日：2019-11-12
Applicant: 中南大学 , 长沙安牧泉智能科技有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种用于系统级封装的散热结构，包括：封装基板；模封材侧壁，所述模封材侧壁围绕所述封装基板顶面的边缘设置；散热装置，所述散热装置覆盖设置在所述模封材侧壁顶面；倒装芯片，所述倒装芯片粘接安装在所述所述散热装置的底面，所述倒装芯片的底部通过焊料球倒装焊在所述封装基板的表面与所述封装基板进行电连接；引线键合芯片，所述引线键合芯片粘接安装在所述封装基板的表面，所述引线键合芯片与封装基板间连接有引线键合线，所述引线键合芯片通过所述引线键合线与所述封装基板进行电连接；本发明结构简单，能够将不同封装形式的芯片整合到同一封装体中，并且散热效率高，能够优化芯片工作温度环境，提高芯片使用寿命。
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