公开(公告)号：CN106011962A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610548373.1

申请日：2016-07-13

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  肖红彬 ,  王峰 ,  李军辉 ,  王彦 ,  朱文辉

IPC: C25D5/20 ,  C25D7/12 ,  C25D21/12

CPC classification number: C25D5/20 ,  C25D7/12 ,  C25D21/12

Abstract: 本发明公开了一种超声外场作用下的TSV电镀方法及系统，电镀方法包括以下步骤：步骤1：将带TSV微盲孔的硅片放放置在密闭容器内，容器内填充有含有添加剂的电镀液，对该容器进行抽真空预处理，使得电镀液浸润到TSV微盲孔中；然后放置10～60分钟，等添加剂在TSV微盲孔内表面达到初步吸附平衡；步骤2：将硅片与电镀电源的负极连接在一起，放入电镀槽中，作为电镀阴极；步骤3：开启电镀电源，进行阴极铜离子沉积反应；同时开启超声电源，对TSV微盲孔内施加超声激励，利用超声的空化效应，实现TSV微盲孔孔口电镀的抑制、孔底电镀的加速，形成自底向上的完全填充。本发明能有效利用超声作为外加能场增强TSV镀铜填充。