公开(公告)号：CN105842523B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201610377641.8

申请日：2016-05-31

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  王峰 ,  肖红斌 ,  李亦杰 ,  朱文辉 ,  李军辉 ,  韩雷

IPC: G01R19/08

Abstract: 本发明公开了一种TSV微盲孔表面电流密度的测定方法及系统，测定过程为：先将硅片和夹具一起放入电镀槽中，使得电镀液浸润到TSV微盲孔中；然后将电镀槽放回三维运动平台；将Pt电极定位到TSV微盲孔上表面位置；最后测定TSV微盲孔口部电流密度：将Pt电极移动到距离TSV微盲孔口部10‑50纳米的位置；用微电阻仪的两极分别连接Pt电极与硅片表面的种子层，测量电阻R1；将硅片接入电镀电源的负极进行电镀，测量Pt电极与硅片表面的种子层之间的电压V1，计算局部电流I1＝V1/R1，除以电极截面积，获得局部电流密度。通过类似的方法，可测定TSV微盲孔表面不同位置的电流密度分布情况。

公开(公告)号：CN105842523A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610377641.8

申请日：2016-05-31

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  王峰 ,  肖红斌 ,  李亦杰 ,  朱文辉 ,  李军辉 ,  韩雷

IPC: G01R19/08

CPC classification number: G01R19/08

Abstract: 本发明公开了一种TSV微盲孔表面电流密度的测定方法及系统，测定过程为：先将硅片和夹具一起放入电镀槽中，使得电镀液浸润到TSV微盲孔中；然后将电镀槽放回三维运动平台；将Pt电极定位到TSV微盲孔上表面位置；最后测定TSV微盲孔口部电流密度：将Pt电极移动到距离TSV微盲孔口部10?50纳米的位置；用微电阻仪的两极分别连接Pt电极与硅片表面的种子层，测量电阻R1；将硅片接入电镀电源的负极进行电镀，测量Pt电极与硅片表面的种子层之间的电压V1，计算局部电流I1＝V1/R1，除以电极截面积，获得局部电流密度。通过类似的方法，可测定TSV微盲孔表面不同位置的电流密度分布情况。