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公开(公告)号：CN110571317A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910881409.1
申请日：2019-09-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种表面塑形倒装焊Micro LED及其制备方法，器件包括衬底一和LED外延材料；LED外延材料由上至下依次包括p-GaN层、MQW层和n-GaN层；p-GaN层与MQW层的宽度相等且小于n-GaN层的宽度，n-GaN层的厚度从上至下逐渐增加，形成倾斜侧壁台阶结构；n-GaN层的下表面设有微纳结构；LED外延材料通过微凸点结构倒装焊接在所述衬底一上。制备方法包括：制备LED外延材料、刻蚀形成倾斜侧壁台阶结构、将台阶结构倒装焊在衬底一上、剥离外延材料的衬底二、制备微纳结构，完成Micro LED器件的制备。所得Micro LED器件光提取效率高、显示亮度高、显示性能好。
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公开(公告)号：CN112018221B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010953229.2
申请日：2020-09-11
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种面向3D显示的出射圆偏振光垂直结构微腔Micro‑LED及其制备方法，本发明这种微腔Micro‑LED可以出射圆偏偏振光，采用圆偏振光进行3D偏光显示，只要设置好圆偏振眼镜的光轴位置就可以消除由于眼镜倾斜带来的图案的串扰问题。本发明通过减薄芯片厚度，并通过导电层上的光栅和n‑GaN层上的介质膜反射镜作为谐振腔端面，形成垂直方向的谐振微腔结构，将抑制侧壁出光，提高正面出光方向性。同时谐振微腔结构将选择特定波长，使其发光光谱变窄，光谱纯度更高，这将有利于提高Micro‑LED显示的阈值。并且光栅有偏振选择出光性，经过此结构出射光为线偏振光。顶部集成微纳结构，相当于1/4波片，将线偏振光转换为圆偏振光。
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公开(公告)号：CN110581186B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910881040.4
申请日：2019-09-18
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法，属于半导体技术领域，所述探测器包括衬底和在衬底上依次生长的AlXGa1‑XN基紫外光吸收层和叉指电极；所述叉指电极与AlXGa1‑XN基紫外光吸收层形成肖特基接触；所述衬底背面设有微纳结构。所述探测器的制备方法包括：首先在衬底的正面外延生长AlXGa1‑XN基紫外光吸收层；然后在AlXGa1‑XN紫外光吸收层上制备叉指电极；再在衬底的背面进行研磨，得到光滑平整背面；最后在光滑平整背面制作微纳结构，得到MSM紫外探测器。上述制备方法简单、成本低廉，提高了MSM紫外探测器的响应度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN110571317B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910881409.1
申请日：2019-09-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种表面塑形倒装焊Micro LED及其制备方法，器件包括衬底一和LED外延材料；LED外延材料由上至下依次包括p‑GaN层、MQW层和n‑GaN层；p‑GaN层与MQW层的宽度相等且小于n‑GaN层的宽度，n‑GaN层的厚度从上至下逐渐增加，形成倾斜侧壁台阶结构；n‑GaN层的下表面设有微纳结构；LED外延材料通过微凸点结构倒装焊接在所述衬底一上。制备方法包括：制备LED外延材料、刻蚀形成倾斜侧壁台阶结构、将台阶结构倒装焊在衬底一上、剥离外延材料的衬底二、制备微纳结构，完成Micro LED器件的制备。所得Micro LED器件光提取效率高、显示亮度高、显示性能好。
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公开(公告)号：CN112038458A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010953224.X
申请日：2020-09-11
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种偏光微结构Micro-LED及其在裸眼3D显示系统中的应用，其结构由下到上包括金属衬底、导电层、氮化物层一、多量子阱有源区层、氮化物层二、氧化物DBR、表面偏光微结构。本发明的偏光微结构Micro-LED不需要借助光栅，实现裸眼3D显示。利用LED由于其自发辐射性，其发光不具有相干性。通过减薄芯片厚度，并通过金属衬底和氮化物层二上的氧化物DBR反射镜作为谐振腔端面，形成垂直方向的谐振微腔结构，使其发光光谱变窄，且将抑制侧壁出光，提高正面出光方向性。同时顶部集成微纳结构，具有改变光束相位功能，将未偏转角度的光波前转换为斜射一定角度的光波前，实现出射光角度的改变，进而实现裸眼3D显示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110581186A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910881040.4
申请日：2019-09-18
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法，属于半导体技术领域，所述探测器包括衬底和在衬底上依次生长的AlXGa1-XN基紫外光吸收层和叉指电极；所述叉指电极与AlXGa1-XN基紫外光吸收层形成肖特基接触；所述衬底背面设有微纳结构。所述探测器的制备方法包括：首先在衬底的正面外延生长AlXGa1-XN基紫外光吸收层；然后在AlXGa1-XN紫外光吸收层上制备叉指电极；再在衬底的背面进行研磨，得到光滑平整背面；最后在光滑平整背面制作微纳结构，得到MSM紫外探测器。上述制备方法简单、成本低廉，提高了MSM紫外探测器的响应度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN110444615B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910739894.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基垂直结MSM紫外探测器及其制备方法，包括衬底，衬底一侧由内至外依次设有AlXGa1‑XN紫外光吸收层、电极，所述电极为正常叉指电极的一半，沉积在AlXGa1‑XN紫外光吸收层的表面，衬底另一侧设有区域电极，所述区域电极和叉指电极的材质相同，区域电极为层状，且区域电极、衬底、AlXGa1‑XN紫外光吸收层的横截面积相等。本发明通过将单个叉指电极沉积在紫外光吸收层上面，减少了金属电极对部分入射光的阻挡和吸收，在衬底下面制备区域电极，使得产生的光生载留子在垂直方向迁移收集，而不是在侧方向迁移收集，减少了光生载流子迁移时间，从而提高探测器的响应度，降低响应时间，增大探测器响应度，提高了使用性能。
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公开(公告)号：CN112018221A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010953229.2
申请日：2020-09-11
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种面向3D显示的出射圆偏振光垂直结构微腔Micro-LED及其制备方法，本发明这种微腔Micro-LED可以出射圆偏偏振光，采用圆偏振光进行3D偏光显示，只要设置好圆偏振眼镜的光轴位置就可以消除由于眼镜倾斜带来的图案的串扰问题。本发明通过减薄芯片厚度，并通过导电层上的光栅和n-GaN层上的介质膜反射镜作为谐振腔端面，形成垂直方向的谐振微腔结构，将抑制侧壁出光，提高正面出光方向性。同时谐振微腔结构将选择特定波长，使其发光光谱变窄，光谱纯度更高，这将有利于提高Micro-LED显示的阈值。并且光栅有偏振选择出光性，经过此结构出射光为线偏振光。顶部集成微纳结构，相当于1/4波片，将线偏振光转换为圆偏振光。
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公开(公告)号：CN110444615A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910739894.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基垂直结MSM紫外探测器及其制备方法，包括衬底，衬底一侧由内至外依次设有AlXGa1-XN紫外光吸收层、电极，所述电极为正常叉指电极的一半，沉积在AlXGa1-XN紫外光吸收层的表面，衬底另一侧设有区域电极，所述区域电极和叉指电极的材质相同，区域电极为层状，且区域电极、衬底、AlXGa1-XN紫外光吸收层的横截面积相等。本发明通过将单个叉指电极沉积在紫外光吸收层上面，减少了金属电极对部分入射光的阻挡和吸收，在衬底下面制备区域电极，使得产生的光生载留子在垂直方向迁移收集，而不是在侧方向迁移收集，减少了光生载流子迁移时间，从而提高探测器的响应度，降低响应时间，增大探测器响应度，提高了使用性能。
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公开(公告)号：CN110581206A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910880984.X
申请日：2019-09-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种GaN基Micro-LED及其制备方法，所述Micro-LED包括GaN基Micro-LED芯片和Si衬底；所述芯片由下到上设有介质膜和n-GaN层；所述n-GaN层表面具有上台阶部和下台阶部；所述n-GaN层的上台阶部依次设有MQW层、p-GaN层和反射镜电极，所述n-GaN层的下台阶部设有欧姆接触金属；所述GaN基Micro-LED芯片通过In柱阵列倒装焊接在Si衬底上。上述GaN基Micro-LED具有垂直方向的谐振微腔结构，发光半高宽窄、发光方向性好、发光速度快；Micro-LED由GaN基材料组成，芯片厚度经减薄后，光提取效率得到提高、体积更小、集成度更高。
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