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公开(公告)号：CN116617875A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310669683.9
申请日：2023-06-07
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种具有低温开裂特性的复合膜制备方法，包括：取一定量易成模高分子聚合物加入四氢呋喃溶剂中，超声处理并搅拌，得到聚合物成膜液；将含有圆孔的金属网固定在玻璃基片上，使金属网与玻璃基片紧密贴合；将玻璃基片固定在旋转涂膜机上，设置旋转涂膜机转速和旋转时间，取一定量聚合物成膜液滴在金属网中央，运行旋转涂膜机，待旋转涂膜机停止后金属网上形成均匀聚合物薄膜，即金属‑聚合物复合膜；将金属‑聚合物复合膜放置2h以上，将金属‑聚合物复合膜从玻璃基片上取下，金属‑聚合物复合膜即为具有低温开裂特性复合膜。本发明制得低温开裂特性复合膜可作为吸潮材料吸收水汽的温度响应开关，还可用于不同种类气体的分离与混合。
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公开(公告)号：CN116162806A8
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310111553.3
申请日：2023-02-14
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 , 西北稀有金属材料研究院宁夏有限公司
Abstract: 本发明公开了一种梯度磁场增强的真空蒸馏提纯金属铍的装置，属于半导体材料技术，包括真空室（15），所述真空室（15）内从上至下依次设置衬底基座（3）、收集器（9）和蒸馏炉（6），所述蒸馏炉（6）内设置坩埚（8），在所述收集器（9）与坩埚（8）之间还设置有永磁体（4）和水冷屏蔽板（5），所述水冷屏蔽板（5）位于永磁体（4）与坩埚（8）之间，其中，所述永磁体（4）为非对称磁极，本发明还公开了采用上述装置进行提纯铍的方法；本发明通过设置梯度磁场，能够将金属铍中的Fe元素含量降至5ppm以下，Mn元素含量降低至3ppm以下，并且能将Cr和Ni元素含量降至0.5ppm以下，大大提高了金属铍的纯度，并降低了粗铍的提纯成本。
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公开(公告)号：CN106363259B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610878532.4
申请日：2016-10-09
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明提供了一种电火花打孔装置，涉及精密加工领域。该电火花打孔装置包括供电电路、电极针、三维位移负压吸附组件和压电陶瓷驱动组件。供电电路的一端与电极针相连，供电电路的另一端与工件相连。三维位移负压吸附组件用于固定工件，压电陶瓷驱动组件驱动电极针在工件上打孔。本发明提供的电火花打孔装置结构简单，操作方便，成本低，可用于易碎空心微球、箔材、板材和实心微球的微孔加工。
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公开(公告)号：CN107824791B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201711188072.3
申请日：2017-11-24
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种泡沫铍材料的制备方法，属于X射线成像材料制备技术领域，其方法是分别将氢化铍粉末和金属铍粉末球磨细化，然后按比例混合并在固定体积的密封容器中快速加热并恒温，低温固结反应完成后冷却至室温即得产品；采用本发明的方法，制备得到的泡沫铍材料呈现均匀的开孔结构，平均孔径小于2μm，相对密度可调范围大；且其操作步骤简单，重复性高，制备过程中的烧结温度大大降低，不引入其它杂质，便于在同步加速器等X射线成像设备中的应用，有效消除成像中的斑点结构，提高成像质量。
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公开(公告)号：CN107824791A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711188072.3
申请日：2017-11-24
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种泡沫铍材料的制备方法，属于X射线成像材料制备技术领域，其方法是分别将氢化铍粉末和金属铍粉末球磨细化，然后按比例混合并在固定体积的密封容器中快速加热并恒温，低温固结反应完成后冷却至室温即得产品；采用本发明的方法，制备得到的泡沫铍材料呈现均匀的开孔结构，平均孔径小于2μm，相对密度可调范围大；且其操作步骤简单，重复性高，制备过程中的烧结温度大大降低，不引入其它杂质，便于在同步加速器等X射线成像设备中的应用，有效消除成像中的斑点结构，提高成像质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103482571A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310441492.3
申请日：2013-09-26
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: C01B6/04
Abstract: 本发明提供了一种氢化铍材料的制备方法及装置。所述的装置是通过对低压氢等离子体约束后形成的活性氢原子射流，诱导二叔丁基铍气体分子气相裂解生成气态氢化铍分子，然后氢化铍分子碰撞聚合成氢化铍薄膜或粉末。由于活性氢原子能将二叔丁基铍分子中的Be-C键断裂，而对C-C键没有明显影响，且氢原子相对于铍原子显著过量，采用该制备方法及装置可以获得纯度较高的氢化铍材料。
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公开(公告)号：CN106967964B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201710342715.9
申请日：2017-05-16
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种掺铍的碳氢涂层的制备方法，其步骤为：氢气在射频电感放电激发下电离形成氢等离子体，另一路氢气作为载气，经过预先加热后进入源瓶，携带有机铍蒸汽进入所述氢等离子体中心，所述有机铍在所述氢等离子体中，被打断成铍和碳氢片段，所述铍和碳氢片段共沉积在基底上，得到掺铍的碳氢涂层；还公开了用于制备该掺铍的碳氢涂层的装置；本方法通过共沉积铍和碳氢片段，形成均一的、无定形的掺铍的碳氢聚合物涂层材料，该材料作为激光聚变能源研究中的烧蚀层材料，该材料具有高X射线透过率、高烧蚀稳定性等优点。
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公开(公告)号：CN110129753A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910446045.4
申请日：2019-05-27
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种能及时排屑的微球涂层装置，包括真空室、磁控靶枪和涂层盘，所述涂层盘包括同轴设置的外筒体和内转台；所述外筒体水平固定在真空室内，所述内转台为上小下大的圆锥体形，底部设有磁力耦合器，所述磁力耦合器用于耦合位于真空室外的电机，驱动内转台其内转台的中心轴旋转；内转台底部不与底板接触，内转台边沿与环形体内壁不接触并形成一环形沟槽，所述环形沟槽间隙小于微球直径。本发明突破传统实心涂层盘渣屑去除技术局限，采用了同轴设置但存在一定间隙的外筒体和内转台、再配合拨片的结构。不但可以长时、均匀地涂层，而且能及时地排屑，避免屑与微球发生粘连，从而提升微球涂层质量，缩短制靶周期。
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公开(公告)号：CN108977789A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201811047875.1
申请日：2018-09-07
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: C23C14/50
Abstract: 本发明提供了一种反弹盘装置以及微球涂层系统，其包括有公转盘以及自转盘，自转盘安装在公转盘上，自转盘的转动轴线与公转盘的中轴线偏心设置，自转盘用于安装石英盘。该反弹盘装置在使用过程中转动的线路多样化，进而使得微球在涂层过程中转动更加合理，提高微球涂层的均匀性。
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公开(公告)号：CN107142449A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710307426.5
申请日：2017-05-04
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
CPC classification number: C23C14/028 , B24B1/00 , C23C14/0005 , C23C14/16 , C23C14/24
Abstract: 本发明公开了一种高精度极小尺寸自支撑铍薄膜的制备方法，依次包括以下步骤：在铜块体表面加工出高精度的台阶；精细研磨铜台阶端面粗糙度至纳米量级；在铜台阶端面蒸发沉积铝薄膜；在铝薄膜表面沉积铍薄膜；采用NaOH溶液反应去除铝薄膜衬底，得到高精度极小尺寸自支撑铍薄膜；本发明极大提高了极小尺寸自支撑铍薄膜的尺寸精度，精度可达1μm；并且所得的自支撑铍薄膜表面光滑，无砂眼，形状规则，质量优良。
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