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公开(公告)号：CN116162806A8
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310111553.3
申请日：2023-02-14
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 , 西北稀有金属材料研究院宁夏有限公司
Abstract: 本发明公开了一种梯度磁场增强的真空蒸馏提纯金属铍的装置，属于半导体材料技术，包括真空室（15），所述真空室（15）内从上至下依次设置衬底基座（3）、收集器（9）和蒸馏炉（6），所述蒸馏炉（6）内设置坩埚（8），在所述收集器（9）与坩埚（8）之间还设置有永磁体（4）和水冷屏蔽板（5），所述水冷屏蔽板（5）位于永磁体（4）与坩埚（8）之间，其中，所述永磁体（4）为非对称磁极，本发明还公开了采用上述装置进行提纯铍的方法；本发明通过设置梯度磁场，能够将金属铍中的Fe元素含量降至5ppm以下，Mn元素含量降低至3ppm以下，并且能将Cr和Ni元素含量降至0.5ppm以下，大大提高了金属铍的纯度，并降低了粗铍的提纯成本。
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公开(公告)号：CN116162806A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310111553.3
申请日：2023-02-14
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 , 西北稀有金属材料研究院宁夏有限公司
Abstract: 本发明公开了一种梯度磁场增强的真空蒸馏提纯金属铍的装置，属于半导体材料技术，包括真空室（15），所述真空室（15）内从上至下依次设置衬底基座（3）、收集器（9）和蒸馏炉（6），所述蒸馏炉（6）内设置坩埚（8），在所述收集器（9）与坩埚（8）之间还设置有永磁体（4）和水冷屏蔽板（5），所述水冷屏蔽板（5）位于永磁体（4）与坩埚（8）之间，其中，所述永磁体（4）为非对称磁极，本发明还公开了采用上述装置进行提纯铍的方法；本发明通过设置梯度磁场，能够将金属铍中的Fe元素含量降至5ppm以下，Mn元素含量降低至3ppm以下，并且能将Cr和Ni元素含量降至0.5ppm以下，大大提高了金属铍的纯度，并降低了粗铍的提纯成本。
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公开(公告)号：CN114910828B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202210527311.8
申请日：2022-05-16
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种判断量子级联激光器快速退火效果的方法，采用示波器测量量子级联激光器在脉冲工作模式下的电压波形，通过调整电流脉冲宽度，获得不同电流脉冲宽度下的电压波形，根据电压波形前端是否出现明显尖峰，从而判断量子级联激光器快速退火效果，即金属电极是否达到良好的欧姆接触；本发明克服了依据电流‑电压关系曲线判断量子级联激光器金属电极快速退火是否达到欧姆接触比较复杂的问题，具有简单、方便、快捷等优点，同时，也可以推广到其它半导体激光器、光电传感器金属电极快速退火效果的判断。
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公开(公告)号：CN108226099B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201711478375.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京工业大学 , 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 一种太赫兹无损检测硅片电阻率的装置及其使用方法，涉及太赫兹技术领域。包括太赫兹辐射源、准直扩束系统、样品台、太赫兹探测器、计算机、机械吸盘、返工片收集盒；太赫兹辐射源设置在最下方，太赫兹辐射源垂直向上辐射太赫兹波，准直扩束系统设置在太赫兹辐射源的正上方，所述太赫兹探测器设置在准直扩束系统正上方，太赫兹探测器与准直扩束系统之间有一段间距，太赫兹探测器的探头朝下，用于接收太赫兹辐射，样品台设置在太赫兹探测器与准直扩束系统之间，能够沿水平面移动，计算机与太赫兹探测器数据线相连，机械吸盘与计算机数据线连接，返工片收集盒独立。可在不接触硅片的情况下，无损地测量硅片的电阻率，不会对硅片造成损伤。
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公开(公告)号：CN115684274A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211422202.6
申请日：2022-11-14
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种具备防尘、加热功能的氢气传感器，包括衬底，以及设置在所述衬底上的钯镍合金薄膜，且所述衬底上设置有用于连接钯镍合金薄膜的两个第一引线电极，微纳防尘罩，其与所述衬底键合形成腔室，所述钯镍合金薄膜位于所述腔室内，且所述微纳防尘罩对应所述衬底垂直开设有微米级的多个第一通孔；加热组件，其设置在所述微纳防尘罩上，且所述加热组件与所述钯镍合金薄膜相对应。本发明，通过微纳防尘罩实现对钯镍合金薄膜的防尘封装，并在微纳防尘罩上集成设置加热组件，实现对氢气传感器均匀加热、微米量级防尘的同时大幅缩减封装体积，具有提升防尘效果、保障加热效果、减小封装体积的有益效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113957363B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202111152315.4
申请日：2021-09-29
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种大应变镍铬合金超细丝单丝连续退火装置，包括设置在前端的放丝系统、设置在后端的收丝系统、以及设置在放丝系统和收丝系统之间的控温系统，控温系统包括石英管、设置在石英管外部的加热圈、设置在加热圈外部的隔热层，放丝系统和收丝系统相配合以使拉拔态超细NiCr合金丝从石英管内匀速通过，石英管的前端设置有与石英管呈45°的第一气体入口、与石英管呈225°的第二气体入口，第一气体入口、第二气体入口分别通入氮气以使石英管内形成对称分布的有效退火温度场。本发明不但可以实现大应变拉拔态NiCr合金丝塑性变形性能恢复，而且可以有效改善热处理区域温度分布均匀性问题及解决合金丝退火过程中的表面氧化问题。
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公开(公告)号：CN114062447A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111442683.2
申请日：2021-11-30
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明公开了一种应用于低湿度环境的超薄湿敏传感器，所述超薄湿敏传感器的结构从下至上包括：厚度100μm左右的石英衬底；设置在石英衬底一侧的感湿膜层；设置在石英衬底上并与感湿膜层相邻接的转换电路芯片倒装区；用于与外部控制电路板连接的软导线；其中，所述软导线在与感湿膜层、转换电路芯片倒装区相配合的位置上设置有开口；所述石英衬底上设置有与感湿膜层相配合的叉指电极，所述叉指电极、转换电路芯片、软导线通过刻蚀在石英衬底上的连接电路实现连接。本发明提供一种检测低湿度环境的湿敏传感器，可以对无法进入人或者设备的狭小空间内的低湿度环境变化进行检测，适应性更好。
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公开(公告)号：CN113739949A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111039736.6
申请日：2021-09-06
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G01K7/16
Abstract: 本发明公开了一种基于多层量子阱结构的深低温温度传感器及其制备方法，包括：由下至上依次设置的传热层，衬底层，带有下电极的缓冲层，由多个量子阱周期组成的温敏层，带有上电极的接触层；每个所述量子阱周期由多层不同厚度的Al0.15Ga0.85As和GaAs交替组成。本发明提供一种基于GaAs材料体系的多层量子阱结构，在深低温环境下对电子在多层量子阱结构中的输运过程进行精确控制，从而显著提高本装置在各个低温区间的相对灵敏度；同时能够依据不同低温温度区间的高精度温度测量需要，对量子阱的多层结构进行灵活的生长裁剪，实现对不同低温区间的高精度温度测量。
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公开(公告)号：CN108710163B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810436156.2
申请日：2018-05-08
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G02B1/10 , G02B1/14 , C09D129/04
Abstract: 一种熔石英表面镀聚乙烯醇涂层、制备方法以及应用，本发明属于光学材料制备技术领域，包括：用孔径为0.15‑0.30μm的PVDF过滤头对质量百分比为0.5％‑5％的聚乙烯醇水溶液进行过滤，最后冷却待用；通过旋涂或提拉镀膜的方式将所述聚乙烯醇镀制在表面整洁的熔石英基片后表面，干燥后得到聚乙烯醇涂层。这种聚乙烯醇涂层能够将最高电场强度的分布从熔石英后表面转移到涂层上，从而降低熔石英后表面的电场强度，其在紫外波段的激光损伤阈值提高10‑20％。这种方法工艺简单，条件温和，易于控制，成本低廉，环境友好，在光学材料领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109110729A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811019444.4
申请日：2018-09-03
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种微纳结构的制备方法，包括以下步骤：在金属基板单面部分覆盖玻璃片，得到基体；在基体覆盖有玻璃片的一面进行等离子体刻蚀，得到微纳结构；所述等离子体刻蚀用气体包括含氟气体和Ar。本发明提供的微纳结构制备方法简单，由本发明实施例可知，本发明提供的方法制备得到的微纳结构形貌较好。
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