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公开(公告)号：CN114422045B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111652717.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明涉及射频电路领域，公开了一种相控阵通道幅相校正网络的设计方法及存储介质。该方法包括：将天线互联端口层、带状线射频层以及TR互联端口层各自制作在一个射频基板上，再将多个射频基板进行复合叠层；将所述天线互联端口层采用微小型表贴射频连接器的方式与天线互联，或者将天线做成表贴封装与所述天线互联端口层互联；将所述TR互联端口层采用微小型表贴射频连接器的方式与TR类型的前端组件连接，或者将TR类型的前端组件做成表贴封装与所述TR互联端口层互联；将所述带状线射频层采用集成电阻基板内埋的方式设置。本方法实现了对宽带相控阵射频通道间组件幅相一致性耦合校正和环境变化的幅相一致性校正。
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公开(公告)号：CN113904084A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111239168.4
申请日：2021-10-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开了一种宽带高平坦度微带耦合器设计方法，包括以下步骤：S1、在低频段通过电阻耦合支节实现相对平坦的带宽耦合效果，通过设计电阻耦合支节的电阻值实现需要的耦合量；S2、在高频段通过电阻耦合与耦合线支节相结合，改善频率高端的耦合效果，使得高端耦合在宽的频带内实现高平坦耦合效果。本发明宽频带范围内的耦合平坦度达到非常优良的水平，在高达20倍以上的倍频带宽内的耦合平坦度可以达到1dB以内。本发明尺寸小，在各端口驻波性能良好，耦合平坦度优异的情况下，通过单阶耦合线+电阻耦合方式实现相应性能，尺寸相比多阶耦合线耦合器缩小3倍以上。
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公开(公告)号：CN119892265A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510061012.3
申请日：2025-01-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本申请公开了一种宽带射频接收通道幅相校正装置，属于射频通道校正技术领域，该装置包括：系统综合控制单元，将控制参数下发给射频系统控制单元和数字采集处理单元；射频系统控制单元，接收控制参数，并根据控制参数完成对校正源和宽带射频接收通道的控制；宽带射频接收通道，用于射频通道同步调谐；校正源，输出校正信号，并根据脉冲宽度、重复频率的参数控制校正信号输出模式；数字采集处理单元，接收控制参数，并根据控制参数完成对宽带射频接收通道校正数据的采集与处理，并将通道间的幅度和相位的差异值上报给系统综合控制单元。本申请能够实现宽带射频并行接收通道的快速幅相校正功能,极大提高射频系统通道校正效率和工作的时效性。
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公开(公告)号：CN114422045A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111652717.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明涉及射频电路领域，公开了一种相控阵通道幅相校正网络的设计方法及存储介质。该方法包括：将天线互联端口层、带状线射频层以及TR互联端口层各自制作在一个射频基板上，再将多个射频基板进行复合叠层；将所述天线互联端口层采用微小型表贴射频连接器的方式与天线互联，或者将天线做成表贴封装与所述天线互联端口层互联；将所述TR互联端口层采用微小型表贴射频连接器的方式与TR类型的前端组件连接，或者将TR类型的前端组件做成表贴封装与所述TR互联端口层互联；将所述带状线射频层采用集成电阻基板内埋的方式设置。本方法实现了对宽带相控阵射频通道间组件幅相一致性耦合校正和环境变化的幅相一致性校正。
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公开(公告)号：CN113316330A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110570439.8
申请日：2021-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H05K3/46
Abstract: 本发明涉及射频电路领域，公开了一种基于多次层压的内埋合成网络基板叠层及设计方法。本发明提供的阵列合成网络集成基板叠层包括多个压合在一起的基础单元，所述基础单元包括两层地属性层以及一层射频层，所述射频层采用内埋电阻膜加工的方式设置在两层地属性层中间，相邻的射频层之间至少设有两层地属性层和一层数字/电源控制层，每个基础单元单独设有射频隔离孔，两端的基础单元上还开有射频信号传输孔，用于传输射频信号，多个压合在一起的基础单元之间设有相通的地孔或安装孔。本发明提供的阵列合成网络集成基板叠层组合方式多样，设计灵活，应用灵活方便，且射频信号隔离性能非常好，能够实现非常高的射频隔离要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112349693A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011038906.4
申请日：2020-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种采用BGA接口的宽带射频系统级封装结构，包括：有机材料任意层互联封装基板、BGA焊球、芯片、金属围框和金属盖板；所述BGA焊球焊接于有机材料任意层互联封装基板底面，作为所述宽带射频系统级封装结构对外的二次级联I/O接口；所述宽带射频系统级封装结构具有A、B、C三种封装尺寸；A、B、C三种封装尺寸具有如下关系：Lc＝2×Wb+d＝2×La+d；Wc＝Lb＝2×Wa+d。本发明利用有机材料实现任意层互联封装基板，实现了一种能够满足多芯片、高气密要求、高电磁屏蔽、高可靠互联的系统级封装要求的系统级封装结构，并提供三种封装尺寸以最大化利用PCB模板布线空间。
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公开(公告)号：CN115940988A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211439087.3
申请日：2022-11-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明公开了一种超薄宽带收发阵列校准网络及其使用方法，涉及射频电路领域，包括：复合基板、射频连接器、单刀双掷开关；所述复合基板内埋有校准功分/合成网络；所述射频连接器集成在复合基板上；所述单刀双掷开关集成在复合基板上；所述单刀双掷开关的公共端通过射频连接器与阵列射频通道互联，实现校准信号的输入和发射信号的接收；所述单刀双掷开关的其中一个开关选择端通过射频连接器与天线连接，另一个开关选择端与校准功分/合成网络连接，所述校准功分/合成网络通过射频连接器与校准公共通道连接；本发明，规避了传统超薄阵列耦合校准网络对阵列天线隔离的限制，提升了校准的准确性和灵活性。
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公开(公告)号：CN113054392B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110210541.7
申请日：2021-02-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明提供了一种可调耦合度双向耦合器，包括平行的主微带线与副微带线，主微带线一端为输入端，另一端为直通端，还包括耦合微带线，所述耦合微带线垂直于副微带线且一端连接在副微带线中点处，另一端形成耦合端；所述耦合微带线中设有两个电阻a、b；耦合微带线一侧设有阻抗开路线。与传统结构相比，此对称结构保证了信号不论流向，都能在耦合端实现相同的耦合度；同时调节电阻的设计方式可以便捷的在一定范围内调节耦合度，从而适应不同用户的需求，能广泛适用于收发电路中，同时可以进行灵活的调节，从而拓宽了这种耦合器的应用范围。
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公开(公告)号：CN112422139B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011309593.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明公开了一种宽带下变频装置，所述下变频装置包括前端微波通道单元、采样保持单元，所述前端微波通道单元与所述采样保持单元相连；输入的微波信号进入前端微波通道单元进行放大、滤波和数控衰减处理后经采样保持单元进行采样保持，输出中频信号。本发明公开的变频装置，以更简洁的射频链路将宽频带微波信号频谱搬移至可被AD直接采样的中频信号，同时保证高线性度及带宽。
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公开(公告)号：CN114121823A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111373981.0
申请日：2021-11-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/043 , H01L23/10 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种内嵌金属基复合基板的气密封装结构，包括盒体、设置在盒体上方的上盖板以及设置在盒体下方的下盖板，所述盒体内设有复合基板，所述盒体两侧设有绝缘子，所述复合基板、盒体和绝缘子围成一密封腔体，所述密封腔体内的复合基板上表面设有裸芯片。发明中的复合基板封装结构实现基板正面裸芯片气密封装，对于仅正面包含裸芯片的复合基板无需双面激光封焊即可保证气密性；相比于双面激光封焊以实现气密性的方案，本结构降低了对盒体加工精度要求，从而降低组件成本；复合基板背面的元器件有损坏时可及时维修，提高了组件的可维修性。
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