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公开(公告)号：CN115938952A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211505845.7
申请日：2022-11-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种玻璃转接板高深径比低键合压力金微凸点制造工艺方法，该方法采用双层光刻胶(交联碳化薄胶+厚胶)形成电镀图形掩膜，在不降低光刻胶图形精度基础上提升了光刻胶附着力，降低了金表面电镀浮胶、脱胶问题；采用平坦化和灰度光刻刻蚀方法，在微凸点表面制备了键合增强微结构，优化了微凸点高度一致性和表面接触面积，降低了键合压力要求和键合难度；采用常用微纳加工工艺，可有效实现微波组件中的玻璃基转接板三维集成垂直互连所需的微凸点制备。
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公开(公告)号：CN115377050A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210813168.9
申请日：2022-07-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/10 , H01L21/52 , H01L23/66
Abstract: 本发明涉及微电子封装技术领域，旨在解决现有技术中双面互连封装结构的气密封装难的问题，提供一种双面互连气密封装结构及其制备方法，包括第一封装基板、第二封装基板、金属围框、金属微柱、裸芯片、第一封焊面、第二封焊面、第一焊球和第二焊球，用激光植球和激光局部焊接工艺将第一封装基板、金属围框、第一封焊面、第二封焊面和第二封装基板构成气密封装结构，金属微柱和裸芯片位于气密封装结构内，第一焊球和第二焊球分别在第一封装基板和第二封装基板外表面。本发明的有益效果是封装结构既能满足PoP叠层封装的需求、又能满足与印制电路板双面互连的需求，在提升集成密度的同时，保证了封装气密性。
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公开(公告)号：CN113224032B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110434189.5
申请日：2021-04-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/538 , H01L25/16 , H01L21/768
Abstract: 本发明具体公开了一种芯片倒装结构及制作方法包括设置有有源区的芯片、多层电路基板、设置在芯片与多层电路基板之间堆叠焊球结构,以及芯片电容；多层电路基板包括位于有源区正下方的表层介质层、位于表层介质层远离有源区一侧的金属层、表层焊盘、互连孔；有源区与金属层之间形成高度在200μm以上的介质腔。制备方法为芯片加工；堆叠焊球结构安装；用热压焊接工艺将芯片焊接在多层电路基板上；将芯片电容安装在接地焊盘上，通过引线与该侧的安装信号焊盘互连。保证了保证化合物半导体芯片的宽带射频性能，同时与化合物半导体芯片加工工艺和微组装工艺兼容，工艺流程短、灵活性好；通过将芯片电容集成在芯片背面的方式提高系统集成密度。
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公开(公告)号：CN113097200B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110252542.8
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种倒装热源芯片及其制备方法和应用方法，该倒装热源芯片包括芯片衬底、底部绝缘层、导热钝化层、阻焊层、粘附层、发热电阻、温度传感器、金属互连焊盘、金属导热焊盘和微凸点，芯片衬底、底部绝缘层、导热钝化层和阻焊层依次连接；导热钝化层内设置有发热电阻和多个温度传感器，发热电阻和温度传感器通过粘附层连接底部绝缘层；阻焊层内贯穿地设置有多个金属互连焊盘和多个金属导热焊盘，金属互连焊盘电连接发热电阻和温度传感器，金属导热焊盘连接导热钝化层，金属互连焊盘和金属导热焊盘的表面设置有微凸点。该芯片能够模拟真实倒装芯片发热，能够实时、原位测量倒装芯片的温度，从而准确分析基于倒装芯片电子系统的散热能力。
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公开(公告)号：CN118366965A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410270477.5
申请日：2024-03-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/552 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及射频电路集成技术领域，具体涉及一种高隔离三维集成结构及制作方法，集成结构包括至少三层转接板并依次叠合，转接板包括介质层，介质层上表面和下表面对应设置若干处上焊接层及下焊接层，上焊接层与下焊接层通过接地结构连接形成接地区域或通过通信结构连接形成通信区域；同一转接板上相邻通信区域或相邻接地区域之间设置隔离墙进行水平间隔，相邻转接板之间对应的接地区域或通信区域则通过隔离墙进行垂向连通。高隔离三维集成结构可实现三层转接板堆叠的高隔离电路，实现射频信号的高隔离交叉传输，提高了传输线间的隔离度，并提高三维集成系统的集成密度，有效地实现小型化、多功能、高密度的异质集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116590770A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310380170.6
申请日：2023-04-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明公开了一种管内电镀装置及方法，所述管内电镀装置包括：直流电源、镀液槽和镀液输送单元；所述镀液槽经镀液输送单元与待电镀的微流道管体形成回路，且所述镀液槽内设有电镀液；所述电源包括电源正极和电源负极，所述电源正极经金属夹夹持电镀金属块，所述电镀金属块浸没于电镀液之中；所述电源负极与待电镀的微流道管体电性连接。通过本发明管内电镀装置及方法，可将微流道接口的低温钎料表面镀上防腐涂层，隔离低温钎料和散热液体，防止发生电化学反应腐蚀，损坏微流道接口。
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公开(公告)号：CN116313957A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310111062.9
申请日：2023-02-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L21/677 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开了一种多芯片组件多工位自动生产线及生产方法，属于集成电路封装领域；其中，自动生产线包括：上料机、下料机、主线轨道组、移载机、支线轨道、多芯片组件组装自动化设备、控制系统；并基于该自动生产线提出了一种自动生产方法，包括：接收生产任务、设备资源分析及反馈、上料机接收待加工产品、待加工产品搬运、产品装配、产品完工判定、完工产品搬运、下料机接收完工产品、产品交付；本发明，显著缩短了产品的流转时间、提升了产品的生产效率；同时，产线布局紧凑，可以方便实现产线设备的更换、新增或减少。
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公开(公告)号：CN113097200A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110252542.8
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种倒装热源芯片及其制备方法和应用方法，该倒装热源芯片包括芯片衬底、底部绝缘层、导热钝化层、阻焊层、粘附层、发热电阻、温度传感器、金属互连焊盘、金属导热焊盘和微凸点，芯片衬底、底部绝缘层、导热钝化层和阻焊层依次连接；导热钝化层内设置有发热电阻和多个温度传感器，发热电阻和温度传感器通过粘附层连接底部绝缘层；阻焊层内贯穿地设置有多个金属互连焊盘和多个金属导热焊盘，金属互连焊盘电连接发热电阻和温度传感器，金属导热焊盘连接导热钝化层，金属互连焊盘和金属导热焊盘的表面设置有微凸点。该芯片能够模拟真实倒装芯片发热，能够实时、原位测量倒装芯片的温度，从而准确分析基于倒装芯片电子系统的散热能力。
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公开(公告)号：CN119361518A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411338411.1
申请日：2024-09-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种多芯片一体化共晶精密限位加压装置及方法，属于微电子封装技术领域，用于元器件与焊料片的限位加压，包括弹簧组合体、元器件限位组合体、承载板和载板限位组件；所述元器件与焊料片依次堆叠后限位在弹簧组合体和元器件限位组合体之间；所述载板限位组件将承载板穿过元器件限位组合体与焊料片紧贴。本发明的一种多芯片一体化共晶精密限位加压装置及方法，以解决现有技术中真空共晶焊接夹具不通用，不能同时焊接多芯片、多元器件产品，同时无法对复杂电路裸芯片进行精密加压以及操作复杂度高等问题。
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公开(公告)号：CN115377050B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210813168.9
申请日：2022-07-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/10 , H01L21/52 , H01L23/66
Abstract: 本发明涉及微电子封装技术领域，旨在解决现有技术中双面互连封装结构的气密封装难的问题，提供一种双面互连气密封装结构及其制备方法，包括第一封装基板、第二封装基板、金属围框、金属微柱、裸芯片、第一封焊面、第二封焊面、第一焊球和第二焊球，用激光植球和激光局部焊接工艺将第一封装基板、金属围框、第一封焊面、第二封焊面和第二封装基板构成气密封装结构，金属微柱和裸芯片位于气密封装结构内，第一焊球和第二焊球分别在第一封装基板和第二封装基板外表面。本发明的有益效果是封装结构既能满足PoP叠层封装的需求、又能满足与印制电路板双面互连的需求，在提升集成密度的同时，保证了封装气密性。
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