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公开(公告)号：CN118053932A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410121889.2
申请日：2024-01-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0224 , H01L31/0312
Abstract: 本发明提供一种碳化硅紫外雪崩光电探测器及组件，该探测器包括：碳化硅衬底，以及在碳化硅衬底上、自下而上依次外延生长的缓冲层、倍增层、电荷层、渐变层、吸收层和接触层；渐变层的掺杂浓度自下而上依次减小，其中，吸收层的掺杂浓度低于电荷层的掺杂浓度；渐变层的最大掺杂浓度小于等于电荷层的掺杂浓度；渐变层的最小掺杂浓度大于等于吸收层的掺杂浓度。本发明通过在掺杂浓度差异较大的吸收层与电荷层之间设置渐变层，可通过渐变层的掺杂浓度渐变实现吸收层与电荷层的能带渐变，可有效减少吸收层与电荷层之间电荷累积，提高光生载流子的输运效率，降低体内漏电，降低探测器的暗电流和暗计数率，显著提升光电探测效率。
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公开(公告)号：CN118053757A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410120024.4
申请日：2024-01-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/15 , C30B25/18 , C30B29/40
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了晶体管外延材料制备方法、场效应管、放大电路及放大器，该方法包括：将GaAs衬底放置于衬底托盘上；在GaAs衬底的上方生长GaAs缓冲层；在GaAs缓冲层上方以第一预设温度生长第一预设数量的超晶格；在生长完第一预设数量的超晶格之后，将第一预设温度降低至有源器件层的生长温度，并且在降温的同时，在第一预设数量的超晶格的上方生长第二预设数量的超晶格；其中，第一预设数量的超晶格和第二预设数量的超晶格共同组成超晶格层；在超晶格层的上方依次生长有源器件层和GaAs接触层。本申请能够保证晶体管外延材料的片内方阻的均匀性。
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公开(公告)号：CN118294230A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410374551.8
申请日：2024-03-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N1/28
Abstract: 本申请提供一种测试样品的制作方法及测试样品。该制作方法用于制作HEMT类外延材料进行VDP_HALL测试所使用的测试样品，该制作方法包括：手工制作第一预制样品；第一预制样品包括衬底和位于衬底上的外延层；基于预先制作的电极定位模具，将预先制作好的电极材料块，放置在外延层上的定位位置；将放置有电极材料块的第一预制样品进行加热，使电极材料块熔化形成欧姆电极，得到第二预制样品；基于预先制作的化蜡模具，在第二预制样品上覆盖蜡膜；蜡膜覆盖欧姆电极，蜡膜的形状和尺寸与测试样品的外延片的形状和尺寸相同；去除未被蜡膜覆盖的外延层，并去除蜡膜，得到测试样品。本申请可以同时兼顾测试样品一致性、低成本和短周期。
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公开(公告)号：CN115188658A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210876233.2
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种图形化氮化铝缓冲层的生长方法及半导体器件。该方法包括：将衬底放入MOCVD设备的反应室内；对反应室内的环境条件进行第一次调整，并向反应室内通入氢气、氮气或氢气和氮气的混合气作为载气，以及向反应室内通入铝源、镓源和氨气，在衬底上生长AlGaN层；持续向反应室内通入载气，停止向反应室内通入铝源和镓源，并对反应室内的环境条件进行第二次调整，对AlGaN层进行刻蚀和重结晶，生成岛状的氮化铝缓冲。本发明通过刻蚀破坏AlGaN层中的Ga‑N键，使得Ga原子从AlGaN层中脱附，并重结晶成图形化的AlN缓冲层材料，使得后续生长氮化物材料变为横向外延，可以减少外延材料的位错和缺陷密度。
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公开(公告)号：CN116288722A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310080393.0
申请日：2023-02-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种金刚石衬底GaN外延方法。本发明通过在金刚石衬底上溅射生长AlN缓冲层，并形成AlN/金刚石模板，将AlN/金刚石模板进行退火处理，在退火后的AlN缓冲层上生长GaN外延层，其中，对AlN/金刚石模板退火得到单晶AlN材料，消除衬底晶向的影响，同时消除衬底带来的晶格失配和热失配，简化了金刚石上GaN的外延生长过程，降低了金刚石衬底上外延GaN的生长难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115528107A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211191773.3
申请日：2022-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/15 , H01L29/20 , H01L21/335
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了GaAs基PHEMT材料结构及其制备方法，该GaAs基PHEMT材料结构包括：GaAs衬底；复合缓冲层，设置于GaAs衬底上表面；多周期超晶格层，设置于复合缓冲层上表面；有源层，设置于多周期超晶格层上表面；帽层，设置于有源层上表面。本申请的复合缓冲层具有更大的带隙宽度，复合缓冲层中的原子与GaAs衬底中的杂质原子具有更强的结合能，能有效隔离和屏蔽GaAs衬底中的杂质和缺陷，提高GaAs衬底隔离效果。
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公开(公告)号：CN116313795A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310080421.9
申请日：2023-02-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/205 , H01L21/8252
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种GaN基场效应管外延方法，本发明通过将衬底置于特定温度和压力的生长反应室内，通入镓源和氨气，在衬底上生长第一GaN外延层，改变反应室的温度和压力，通入镓源、氨气和铝源，在第一GaN外延层上生长AlGaN外延层，再次改变反应室的温度和压力，通入镓源和氨气，在AlGaN外延层上生长第二GaN外延层，再次改变反应室的温度和压力，通入镓源、镓源和氨气，在第二GaN外延层上生长第三GaN外延层，其中，AlGaN外延层和第二GaN外延层之间发生自发极化反应，在两层之间产生二维空穴气体，从而能够使得GaN基场效应管与GaN基高电子迁移率晶体管互补，实现单片集成。
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公开(公告)号：CN116219394A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310121963.6
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C23C16/34
Abstract: 本申请适用于半导体衬底材料制备技术领域，提供了一种GaN HEMT上降低Fe拖尾的方法，该GaN HEMT上降低Fe拖尾的方法包括：将衬底置入MOCVD设备的反应室；在衬底上生长故意掺Fe的第一GaN层；在高温条件下，在第一GaN层上生长AlN层；在AlN层上生长非故意掺杂的第二GaN层。本申请在高温条件下生长AlN层，利用AlN层的晶格常数较小的特点，增加后续生长非故意掺杂的GaN层的压应力，阻止Fe通过分凝现象向非故意掺杂的GaN层中掺入，进而有效地改善Fe拖尾的问题。
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公开(公告)号：CN116092924A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310080402.6
申请日：2023-02-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/205 , H01L31/18 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供一种砷化镓外延层的制备方法及结构。该方法包括：在As束流的保护下，将GaAs衬底的温度设置为第一预设温度，打开Ga束流，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；打开P型掺杂源束流，在GaAs缓冲层上生长P型体掺杂GaAs外延层；关断Ga束流，在P型体掺杂GaAs外延层上生长P型平面掺杂层；重复执行“打开Ga束流，在当前P型平面掺杂层上生长新的P型体掺杂GaAs外延层”步骤，以及“关断Ga束流，在当前P型体掺杂GaAs外延层上生长新的P型平面掺杂层”步骤，直到P型体掺杂GaAs外延层的层数达到预设层数时，关断Ga束流和P型掺杂源束流，得到砷化镓外延层结构。本发明能够提高砷化镓P型掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN115323487A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210876665.3
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种衬底表面刻蚀方法及半导体器件。衬底为SiC衬底或Si衬底，该方法包括：将衬底放入MOCVD设备的反应室内；对反应室内的环境条件进行第一次调整，以使反应室满足衬底刻蚀所需的环境条件；向反应室内通入载气，并向反应室内通入CBr4或CCl4，以对衬底进行刻蚀处理。CBr4在一定环境条件下可以分解出Br原子，CCl4在一定环境条件下可以分解出Cl原子，Br原子或Cl原子可以与衬底表面的Si原子发生反应，生成气态的溴化硅或氯化硅，达到刻蚀衬底表面，去除衬底表面的氧化层以及亚损伤层的目的。
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