公开(公告)号：CN110868190B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201910964439.9

申请日：2019-10-11

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 李亮 ,  商庆杰 ,  梁东升 ,  赵洋 ,  王利芹 ,  丁现朋 ,  刘青林 ,  冯利东 ,  张丹青 ,  崔玉兴 ,  张力江 ,  刘相伍 ,  杨志 ,  李宏军 ,  钱丽旭 ,  李丽 ,  卜爱民 ,  王强 ,  蔡树军 ,  付兴昌

IPC: H03H9/15 ,  H03H3/02

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器封装结构及其制备方法。该谐振器包括基板；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；盖帽，所述盖帽与所述基板之间形成一个密封空间；材料层区域；以及电子电路，形成于所述材料层区域上，并与所述声学谐振器电连接，从而形成一种新型的声学谐振器封装结构，且具有较好的性能。

公开(公告)号：CN116613159A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310587065.X

申请日：2023-05-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 吕元杰 ,  梁士雄 ,  郝晓林 ,  宋洁晶 ,  胡泽先 ,  刘飞飞 ,  刘京亮 ,  徐森锋 ,  卜爱民 ,  冯志红

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/86 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/329 ,  H03G11/02

Abstract: 本发明提供一种氮化镓限幅器的制备方法及氮化镓限幅器。该方法包括：在N‑GaN层外延生长后在第一预设位置上刻蚀得到PIN二极管台面；在N‑GaN层上暴露区域的第二预设位置进行刻蚀，在N+GaN层上得到肖特基二极管台面；在N+GaN层上暴露区域的第三预设位置刻蚀进行台面隔离；在N+GaN层的暴露区域上制备欧姆接触；在N+GaN层和P+GaN层上的暴露区域，以及N+GaN层和N‑GaN层上的暴露区域制作电极，得到氮化镓限幅器。本发明能够通过刻蚀方式可以快速得到氮化镓限幅器，污染少，制备得到的氮化镓限幅器功率容量大、击穿电压高且性能好。

公开(公告)号：CN116190460A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310286583.8

申请日：2023-03-22

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 吕元杰 ,  王元刚 ,  刘宏宇 ,  秦哲 ,  李保弟 ,  孙保瑞 ,  周国 ,  卜爱民 ,  冯志红

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种肖特基二极管制备方法和肖特基二极管。该方法包括：利用高温热氧化工艺对目标N+型氧化镓衬底进行氧化处理，得到形成在目标N+型氧化镓衬底上表面的第一N‑型氧化镓漂移层，以及在目标N+型氧化镓衬底下表面的第二N‑型氧化镓漂移层；在第一N‑型氧化镓漂移层的上表面和第二N‑型氧化镓漂移层的下表面制备阳极电极；对目标N+型氧化镓衬底进行裁切，得到第一N+型氧化镓衬底和第二N+型氧化镓衬底；在第一N+型氧化镓衬底的下表面和第二N+型氧化镓衬底的上表面制备阴极电极，得到两个肖特基二极管。本发明能够有效解决外延氧化镓层导致的二极管器件性能差、成品率低和生产成本高等问题。

公开(公告)号：CN110676307B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201910967615.4

申请日：2019-10-12

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 王元刚 ,  冯志红 ,  吕元杰 ,  周幸叶 ,  谭鑫 ,  韩婷婷 ,  梁士雄 ,  卜爱民 ,  许春良

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管的制备方法。该方法包括：在衬底上外延第一n型氧化镓层；制备再生长掩膜层；其中，所述再生长掩膜层位于待制备的凹槽结构所对应的区域；制备再生长掩膜层后，外延第二n型氧化镓层；制备第一阳极金属层；将所述再生长掩膜层、所述再生长掩膜层上方的所述第二n型氧化镓层和所述再生长掩膜层上方的所述第一阳极金属层去除，形成凹槽结构；淀积绝缘介质层；将第一区域的绝缘介质层去除，保留第二区域的绝缘介质层，其中，所述第一区域位于所述第一阳极金属层所对应的区域范围内，所述第二区域包括所述凹槽结构所对应的区域。上述方法可以将阳极金属和凹槽完全对齐且可精准控制凹槽深度。

公开(公告)号：CN114826242A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210278146.7

申请日：2022-03-21

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 郝俊祥 ,  刘飞飞 ,  卜爱民 ,  王磊 ,  陈南庭 ,  刘帅 ,  戴剑 ,  王凯 ,  冯涛 ,  郭丰强 ,  韩玉鹏 ,  傅琦 ,  宋作奇 ,  苏晓晨

IPC: H03K19/0175

Abstract: 本发明提供一种微波功率开关电路、装置及控制方法。该电路包括射频输入端口、第一匹配元件、第二匹配元件、至少一个射频输出端口和至少一个开关模块；开关模块和射频输出端口一一对应；开关模块包括第一开关支路；第一开关支路包括第一开关管、第二开关管和吸收负载；在同一第一开关支路中，第一开关管与吸收负载串联连接，第二开关管与吸收负载并联连接；当微波功率开关电路工作时，同一开关模块中的第一开关管的开关状态和第二开关管的开关状态相反，以使该开关模块对应的射频输出端口与射频输入端口之间处于导通状态或隔离状态。本发明可以使微波功率开关电路的插损降低，并提高其隔离度。

公开(公告)号：CN114743881A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210470222.4

申请日：2022-04-28

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 刘宏宇 ,  吕元杰 ,  王元刚 ,  卜爱民 ,  盛百城 ,  冯志红

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管，上述方法包括：在氧化镓衬底的上生长氧化镓沟道层；对氧化镓沟道层进行离子注入掺杂形成源区；离子注入的深度小于氧化镓沟道层的厚度；在氧化镓沟道层上依次生长源电极层及掩膜层；对源电极层上及氧化镓沟道层上未被掩膜层覆盖的区域进行刻蚀，形成沟槽；其中，氧化镓沟道层的刻蚀深度小于氧化镓沟道层的厚度大于离子注入的深度；在沟槽及掩膜层上生长P型介质层；在P型介质层上生长栅电极层；去除掩膜层；在氧化镓衬底的下表面制备漏电极。本发明采用自对准剥离技术，通过P型介质层形成PN结，制备过程简单，降低了垂直场效应晶体管的制备难度。

公开(公告)号：CN114047484A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111164392.1

申请日：2021-09-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 连智富 ,  卜爱民 ,  王立发 ,  袁彪 ,  张志谦 ,  刘晓红 ,  郝金中 ,  郝岩 ,  董雪 ,  肖宁 ,  郭建 ,  靳英策 ,  胡占奎 ,  滑国红 ,  杨国喆 ,  马力 ,  赵晨安

IPC: G01S7/40

Abstract: 本发明提供了一种毫米波一体化测试夹具，属于射频微波组件技术领域，包括底板、测试工装、导向板、测试线、测试支板、上压盖，底板上设有放置TR组件的测试安装位；测试工装设置于TR组件的天线端；导向板固定于底板上，且位于测试工装远离TR组件的一侧，能够将测试工装压紧在TR组件的天线端；测试线的第一接头穿过导引孔、插孔与绝缘子插接；测试支板固定于底板上，且设置于TR组件的射频端；导向板、测试支板以及上压盖将TR组件定位在底板的测试安装位上。本发明提供的毫米波一体化测试夹具，通过测试工装及导向板，保证测试线与TR组件的绝缘子同轴连接的可靠性和连续性，从而保证多通道绝缘子同时良好的接触，提高绝缘子测试的精确度和测试效率。

公开(公告)号：CN111424310B

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202010487276.2

申请日：2020-06-02

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 付莉杰 ,  孙聂枫 ,  卜爱民 ,  王书杰 ,  李晓岚 ,  张鑫 ,  张晓丹 ,  史艳磊 ,  邵会民 ,  王阳 ,  欧欣 ,  宋瑞良

IPC: C30B15/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明一种液态磷注入法合成磷化铟的方法，属于半导体技术领域，该方法将气态磷经冷凝器转化为液态磷，液态磷注入铟溶体中，同时借助低温惰性气体的流动随送防止磷气化，使液态磷与液态铟熔体瞬时反应，能够在较低温度下、高效率、高纯度的配比、大容量合成磷化铟溶体，利于生长富磷磷化铟多晶，易于磷化铟单晶的生长。包括：铟的清理、装磷、装炉、连通冷凝器、合成、晶体制备等步骤。

公开(公告)号：CN110868174A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910328566.X

申请日：2019-04-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 李亮 ,  钱丽勋 ,  吕鑫 ,  梁东升 ,  刘青林 ,  马杰 ,  高渊 ,  丁现朋 ,  冯利东 ,  崔玉兴 ,  张力江 ,  刘相伍 ,  杨志 ,  商庆杰 ,  李宏军 ,  李丽 ,  卜爱民 ,  王强 ,  付兴昌

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/17 ,  H03H9/54

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；以及桥部，其与所述多层结构的末端相邻，且与所述上电极层的一部分重叠，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。

公开(公告)号：CN117890695A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311676916.4

申请日：2023-12-07

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所 ,  北京大学 ,  河北博威集成电路有限公司

Inventor： 默江辉 ,  吴文刚 ,  张力江 ,  王金延 ,  戴伟 ,  王川宝 ,  王帅 ,  何佳音 ,  王鑫 ,  倪涛 ,  余若祺 ,  郭跃伟 ,  卢啸 ,  崔玉兴 ,  卜爱民

IPC: G01R31/00 ,  G01R1/073 ,  G01R1/20

Abstract: 本发明提供一种微波射频芯片及微波射频芯片的测试系统，微波射频芯片通过将电阻组件串联在待测微波射频芯片的栅极，将电容组件并联在待测微波射频芯片的栅极，本发明能够使得电阻组件和电容组件构成的稳定匹配装置可以过滤栅极输入信号中可能存在的纹波电压和交流信号，同时可以有效过滤外部环境各种干扰源引入的自激信号。防止芯片高压测试时出现自激甚至烧毁现象。