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公开(公告)号：CN116859623A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310878269.9
申请日：2023-07-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种电光调制器，包括调制器主体和均衡电路；均衡电路，包括：第一掺杂半导体，包括第一N型掺杂区和第一P型掺杂区，第一N型掺杂区连接第一电极和信号输入端，第一P型掺杂区连接第二电极和电极臂，第一电极和第二电极用于接收反向偏置的第一控制电压；以及第二掺杂半导体，包括第二N型掺杂区和第二P型掺杂区，第二N型掺杂区的第一端和第二P型掺杂区的第一端均连接信号输入端，第二N型掺杂区的第二端和P型掺杂区的第二端均连接电极臂，第二P型掺杂区的第一端还连接第三电极，第二N型掺杂区的第二端还连接第四电极，第三电极和第四电极用于接收第二控制电压。
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公开(公告)号：CN119335766A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202310890946.9
申请日：2023-07-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种调制探测器件，包括底部模组，底部模组包括薄膜铌酸锂层，薄膜铌酸锂层上设置有：输入光波导，适用于输入待处理的光信号；调制器，调制器包括调制器电极，调制器适用于接收光信号，并利用调制器电极发出的调制电信号对光信号的相位进行调制；波长转换器，被构造成通过周期极化薄膜铌酸锂层而形成的波导，通过对波长转换器施加电压，利用非线性效应将波长转换器的晶向周期性反转，以对调制后的光信号的波长进行转化；光电探测器，适用于接收波长转化后的光信号并转化为电信号。
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公开(公告)号：CN118795608A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411114800.6
申请日：2024-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种波分解复用阵列，可应用于光通信领域技术领域。包括：第一输入波导，用于从外部接收初始光信号，初始光信号包含双偏振信息；偏振旋转分束器，用于将初始光信号转换成具有相同偏振信息的第一光信号和第二光信号；第二输入波导，用于传输第一光信号；第三输入波导，用于传输第二光信号；以及多个波分解复用单元，包括上路波分解复用器和下路波分解复用器，其中，上路波分解复用器用于将第一光信号分解为单一波长的光信号；下路波分解复用器用于将第二光信号分解为单一波长的光信号。该结构具有偏振无关、光通信容量高、结构简单、工艺友好以及可拓展性强的优点，可用于为数据密集的网络和连接提供双向波分复用。
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公开(公告)号：CN116859523A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310882652.1
申请日：2023-07-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开一种复合型光波导端面耦合器，包括：硅衬底(1)、埋氧层(2)、第一波导层、第二波导层和二氧化硅包层(3)；所述第一波导层包括条形过渡波导(5)和脊形波导(6)；所述条形过渡波导(5)生长在所述埋氧层(2)的中线上，依次包括第一过渡段(51)、第二过渡段(52)和第三过渡段(53)，所述第一过渡段(51)和所述第三过渡(53)段为倒锥形，所述第二过渡段(52)为矩形；所述脊形波导(6)包括平板波导和脊波导，所述平板波导和所述脊波导为倒锥形；所述二氧化硅包层(3)生长在所述埋氧层(2)和所述第一波导层上；所述第二波导层为氮化硅波导(4)，位于所述二氧化硅包层(3)中部，平行与所述埋氧层(2)的中线。
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公开(公告)号：CN108987500B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810722928.9
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 一种金属纳米线和多孔氮化物复合材料半导体，包括：衬底；缓冲层，位于衬底之上；复合材料层，位于所述缓冲层之上，包括横向多孔氮化物模板层，以及填充于其多孔中的金属纳米线，上述复合材料半导体的制备方法包括：步骤1：在衬底上生长制备缓冲层和n型氮化物外延层；步骤2：将步骤1所制备的n型氮化物外延层制成横向多孔氮化物模板层；步骤3：在步骤2所制备的横向多孔氮化物模板层的孔中制备金属纳米线，得到复合材料层，制成金属纳米线和多孔氮化物复合材料半导体，以缓解现有技术中半导体材料在光电化学反应过程中易被腐蚀，利用局域表面等离子体增强效应提高半导体内部材料的光电特性时制备工艺复杂，易损伤体材料等技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105609602B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201511005814.5
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用倒装RCLED，所述倒装RCLED包括LED芯片和倒装基板，LED芯片包括：芯片衬底、缓冲层、构成谐振腔的氮化物DBR层和氧化物DBR层、n型半导体层、有源区、p型半导体层、透明导电层和p、n电极；所述倒装基板由下至上依次包括支撑衬底、绝缘层以及互相绝缘隔离的P、N电极焊盘；所述LED芯片通过金属焊球或共晶焊分别与所述倒装基板的P、N电极焊盘电连接。本发明有利于获得高品质因子的短腔长倒装RCLED，从而协同改善LED的频率响应和量子效率，满足光通信用高光效、高带宽的光源需求。
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公开(公告)号：CN103325900B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201310193912.0
申请日：2013-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上，该GaN基LED结构纳米柱阵列的一侧有一台面；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的侧壁上；一三明治结构填充层，其制作在纳米柱侧壁隔离层外，且填满GaN基LED结构纳米柱阵列的间隙，形成基片；一p面电极，其制作在基片的上表面；一n面电极，其制作在台面上。本发明可以独立于材料生长过程实现表面等离激元与GaN基LED的耦合，并且可以实现小于10nm的近距离耦合。
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公开(公告)号：CN104051587A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410276182.5
申请日：2014-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0075
Abstract: 一种表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次生长n型InAlGaN层、非掺杂或掺杂的多量子阱层、p型InAlGaN层和电流扩展层；步骤2：利用光刻和干法刻蚀工艺在电流扩展层上向下刻蚀，刻蚀深度到达n型InAlGaN层内，使其形成GaN基LED结构纳米孔阵列；步骤3：在电流扩展层上面、在GaN基LED结构纳米孔阵列的一侧的一部分向下刻蚀，刻蚀深度大于GaN基LED结构纳米孔阵列的纳米孔的深度，形成台面；步骤4：利用光刻、蒸发和带胶剥离工艺，在电流扩展层的一部分上表面制作p电极；步骤5：在台面上制作n电极；步骤6：在GaN基LED结构纳米孔阵列的纳米孔中填入多个外表面包覆有非导电膜的球形金属纳米颗粒，形成核壳金属纳米球层，完成制备。
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公开(公告)号：CN103529310A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310459347.8
申请日：2013-09-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明公开了一种利用光致发光谱测量GaN基LED极化电场的方法，该方法包括制作GaN基LED测试样品，利用激光完全辐照所述测试样品并测量其输出的光电流和光电压，对所述测试样品的n电极接正电压，p电极接负电压，形成反向偏压，对所述测试样品施加等于光电压的反向偏压，测量其光致发光谱，并记录其发光波长，然后分步增大反向偏压，并测量其光谱和波长，在波长由逐渐变短转为变长时，停止增大反向偏压并停止测量，利用停止测量时的反向偏压减去光电压得到所述测试样品的极化电压，根据该极化电压计算测试样品的极化电场。本发明对样品要求简单，制样方便，可以较快地获得测试结果，有利于满足生产和研发工艺中对测试数据的迫切需求。
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公开(公告)号：CN116978974A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310919617.2
申请日：2023-07-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0232
Abstract: 提供一种氮化硅波导谐振腔级联锗椭圆探测器，包括：衬底，介质层，探测器层，覆盖层，电极单元。介质层形成于衬底上；探测器层形成于介质层上并被覆盖层包覆，探测器层包括：氮化硅波导，用于低损耗传输光信号；椭圆谐振腔，设置于氮化硅波导旁，用于对由氮化硅波导耦合入的光信号进行相长干涉和滤波，椭圆谐振腔的长轴方向与氮化硅波导平行；以及椭圆探测器，设置于椭圆谐振腔的一侧并与该椭圆谐振腔对齐级联，用于将经椭圆谐振腔处理后的光信号转换为电信号；椭圆探测器的长轴与氮化硅波导平行，椭圆探测器包括有第一掺杂区和第二掺杂区；电极单元包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别由第一掺杂区和第二掺杂区延伸至覆盖层表面。
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