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公开(公告)号：CN117936577A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410070130.6
申请日：2024-01-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L23/31 , H01L29/45
Abstract: 本公开提供了一种具有欧姆接触界面钝化层的GaN HEMT器件及其制备方法，该GaN HEMT器件包括：衬底层(1)；缓冲层(2)，生长于衬底层(1)的上表面；异质结结构层(3)，生长于缓冲层(2)的上表面，异质结结构层(3)的上表面的边缘处设有对称的两个外延槽；接触电阻结构层(4)，生长于外延槽内，其厚度大于外延槽的深度，自下而上依次包括材料层(41)、钝化层(42)及源漏金属层(43)；栅极金属层(5)，生长于异质结结构层(3)的上表面，以及位于接触电阻结构层(4)之间。本公开可以减少材料层(41)中的金属诱导带隙中间态密度，并钝化界面处的悬挂键，减轻界面态对于费米能级的钉扎效应，从而降低欧姆接触电阻，实现具有低欧姆接触电阻的GaN基HEMT。
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公开(公告)号：CN111446296A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010262718.3
申请日：2020-04-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/43 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供了一种p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构及制作方法，其p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构，自下而上顺次包括：衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和p型层；还包括：第一n型层、第二n型层、第一台面、第二台面、源电极、漏电极和栅电极，第一台面自p型层刻蚀至沟道层；第一n型层生长在第一台面上；第二台面自第一n型层刻蚀至缓冲层内；源电极和漏电极分别制备在第一n型层上；栅电极制备在p型层上；第二n型层生长在p型层上，且位于栅电极外的区域。本公开第二n型层的引入可耗尽其下方p型层中的空穴浓度，恢复异质结中的二维电子气，实现器件的增强型，并避免了刻蚀带来的晶格损伤以及界面杂质对p型层的影响。
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公开(公告)号：CN106341095B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201610797852.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出一种在金属上生长高质量单晶氮化物薄膜的方法：在金属上先采用低温磁控溅射技术制备AlN成核层，然后采用MOCVD技术制备高质量单晶氮化物薄膜。此外，在此基础上提出了一种单晶氮化物体声波谐振器结构，与常规多晶体声波谐振器相比，此种谐振器的压电材料由两部分组成，包括采用低温磁控溅射技术制备的AlN成核层和在AlN成核层上采用MOCVD技术制备的高质量单晶氮化物薄膜。AlN成核层可覆盖底部金属电极，因此可有效改善氮化物薄膜质量，克服制备高质量单晶氮化物薄膜时遇到的问题与挑战，从而有望获得高性能的单晶氮化物体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN108110097A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810034773.X
申请日：2018-01-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/02 , H01L21/324 , H01L33/00
Abstract: 一种GaN基LED器件，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；一发光层，其制作在n型层上；一p型层，其制作在发光层上。本发明具有制备时间短，成本低廉的优点，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能。
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公开(公告)号：CN108010959A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711280883.6
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/41 , H01L21/336 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种凹槽阳极肖特基二极管及其制备方法，该凹槽阳极肖特基二极管，包含衬底，形成于衬底上的外延层，形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽，以及形成于外延层上的阳极和阴极，其中：阳极形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽上，使阳极表面具有阳极凹槽图形。阳极凹槽图形是不连续图形，图形尺寸为纳米级到微米级。该二极管利用非连续阳极凹槽，提高了阳极凹槽的周长/面积比，使导通电阻降低，从而能够制备正向电流更大、导通电阻更低、导通压降更低的凹槽阳极肖特基二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103529310A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310459347.8
申请日：2013-09-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明公开了一种利用光致发光谱测量GaN基LED极化电场的方法，该方法包括制作GaN基LED测试样品，利用激光完全辐照所述测试样品并测量其输出的光电流和光电压，对所述测试样品的n电极接正电压，p电极接负电压，形成反向偏压，对所述测试样品施加等于光电压的反向偏压，测量其光致发光谱，并记录其发光波长，然后分步增大反向偏压，并测量其光谱和波长，在波长由逐渐变短转为变长时，停止增大反向偏压并停止测量，利用停止测量时的反向偏压减去光电压得到所述测试样品的极化电压，根据该极化电压计算测试样品的极化电场。本发明对样品要求简单，制样方便，可以较快地获得测试结果，有利于满足生产和研发工艺中对测试数据的迫切需求。
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公开(公告)号：CN103296165A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310244179.0
申请日：2013-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高发光二极管有源区多量子阱中辐射复合效率的可调控能带的量子阱结构及其外延生长方法。该可调控能带的LED量子阱结构包括至少一个组分渐变的量子阱势阱层，实现对量子阱区域的能带调控，提高量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高LED量子阱区域的辐射复合效率。该多量子阱结构可应用于InGaN基蓝光和绿光LED，提高InGaN基蓝光和绿光LED有源区的内量子效率，进而提高LED的功率和效率。
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公开(公告)号：CN111952177B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010846206.1
申请日：2020-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/28 , H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 一种HEMT器件及制作方法，其制作方法包括：在外延片上形成介质掩膜；在介质掩膜上形成定义栅电极的栅足窗口的光刻胶；去除栅足窗口内的介质掩膜；形成栅电极的栅足和金属掩膜；在金属掩膜上形成具有裸露区域的光刻胶，定义非裸露区域为源漏沟道区；去除源漏沟道区以外的金属掩膜、介质掩膜、势垒层和部分沟道层；以剩余的金属掩膜作为栅电极的栅帽，完成栅电极的制备；进行再生长，分别形成再生长源区和再生长漏区；沉积金属，完成HEMT器件的制备。本发明制作方法中，结合源区和漏区的再生长掩膜，通过单层胶电子束曝光或步进式曝光即可实现传统T栅工艺难以达到的极小尺寸的栅电极，工艺简单可控。
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公开(公告)号：CN113725294B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202111028226.9
申请日：2021-09-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中，该晶体管包括：n型集电区；p型基区，设置于n型集电区上，露出部分n型集电区；n型发射区，设置于p型基区上，露出部分p型基区；压控沟道层，设置于部分n型集电区上；接触层，设置于压控沟道层上；内电极金属层，设置于部分p型基区和部分接触层上。
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公开(公告)号：CN115472499A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211143850.8
申请日：2022-09-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/331 , H01L21/329 , H01L29/73 , H01L29/868
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：在衬底上形成基本功能层；在基本功能层上形成导电掩膜层；刻蚀导电掩膜层，以在导电掩膜层上形成向下凹陷的窗口；在导电掩膜层和窗口上形成绝缘介质层；刻蚀绝缘介质层，以在窗口内形成侧墙，侧墙位于导电掩膜层的侧壁；在侧墙之间形成载流子提供层；在窗口的外围刻蚀导电掩膜层、基本功能层，以形成向下凹陷的台面；以及在台面、导电掩膜层、载流子提供层和侧墙上形成钝化层。本发明还公开了一种利用上述的制作方法得到的半导体器件，该半导体器件为双极型晶体管或者pin结二极管。
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