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公开(公告)号：CN114520266B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202111232369.1
申请日：2021-10-22
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种硫化铅光电导探测器及其制备方法，其中硫化铅红外探测器，包括衬底，所述衬底向上依次覆盖有金属电极、石墨烯薄膜、金纳米颗粒、硫化铅单晶薄膜以及铋金属纳米颗粒，其中石墨烯薄膜下两端各铺设有一个所述金属电极。本发明旨在通过利用铋金属纳米粒子在硫化铅表面实现点状包覆增加硫化铅的光吸收从而提高传统的硫化铅光电导型红外探测器的响应度，基于此得到的金属纳米粒子光吸收增强型硫化铅光电导红外探测器可以将响应度提高两个数量级。
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公开(公告)号：CN117293208B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311151593.7
申请日：2023-09-07
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于硫化铅/硅复合结构的光电探测器及其制备方法，其中垂直结构的硫化铅采用电化学沉积法制备而成，具体方法为：以乙酸铅和硫化钠为原料，乙二胺四乙酸二钠为络合剂，配置包含Pb2+和S2‑的前驱体溶液，接着采用微纳加工工艺图案化刻蚀硅片表面二氧化硅层，利用电化学沉积法在刻蚀图案后的硅衬底上进行恒电位沉积，控制电位为‑0.95V，生长时间30min，得到硫化铅微米柱。本发明旨在通过构建PbS/Si复合结构来提高光电探测器的响应度和探测率，并降低暗电流对器件性能的影响。
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公开(公告)号：CN116712941A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310935271.5
申请日：2023-07-28
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
Abstract: 本发明提供一种麻点样磁性核‑壳结构微球的制作方法，其属于半导体制备技术领域，其其包括以下步骤：步骤S1，麻点样磁性微球的制作；步骤S2，麻点样磁性微球的表明改性；步骤S3，麻点样磁性核‑壳结构微球(四氧化三铁@铟化镓@二氧化硅)的制作。本发明的麻点样磁性核‑壳结构微球的制作方法利用铟化镓颗粒沉积在微球表面制成麻点样磁性微球，通过对麻点样磁性微球的改性、二氧化硅包覆、抗体/亲和素等官能基团修饰，成功制备了磁性四氧化三铁核‑铟化镓@二氧化硅磁性微球、磁性四氧化三铁核‑铟化镓@二氧化硅@抗精子抗体磁性微球。
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公开(公告)号：CN115058766A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210644938.1
申请日：2022-06-08
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: C30B7/12 , C30B29/46 , C23C14/18 , C23C14/35 , C30B29/62 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种碲化铅纳米线薄膜及其制备方法与应用。该碲化铅纳米线薄膜采用无模板电化学原子层沉积法进行制备，具体包括以下步骤：以氢氧化钠溶液为溶剂，配制二氧化碲溶液和硝酸铅溶液；采用磁控溅射设备于二氧化硅片上镀金，制得金衬底；将二氧化碲溶液和硝酸铅溶液以体积比2:3分别倒入电解池汇总，采用电化学工作站和三电极体系在金衬底上进行恒电位沉积实验，铅原子和碲原子逐层生长，制得单晶碲化铅纳米线薄膜。该方法操作简单，无需大型设备，在制备碲化铅纳米线时无需采用模板，节约了模板成本，并且利用该方法制备的碲化铅纳米线制作光电探测器，该光电探测器具有较高的响应度，探测率及响应速度。
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公开(公告)号：CN110407198A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910749387.3
申请日：2019-08-14
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: C01B32/186 , C01B33/02
Abstract: 本发明属于材料领域，具体涉及一种石墨烯纳米硅复合材料的制备方法和应用。本发明提供了一种石墨烯纳米硅复合材料的制备方法，其特征在于，采用气相沉积法，将纳米硅放入等离子体化学气相沉积装置中，真空环境下，在等离子发生区域通入工作气体载入碳源，时间为15-60min，在纳米硅表面得到三维石墨烯。本发明还提供了一种石墨烯纳米硅复合材料以及该材料在制备储能材料、光伏材料和散热材料中的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110028060A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910295438.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: C01B32/186 , C01B33/18 , B82Y30/00 , H01M4/62
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯/氧化硅复合材料的制备方法及其用于电极材料的应用。所述制备方法包括如下步骤：a)将氧化硅颗粒均匀地分散在反应器的恒温区中；b)排除反应器中的空气，并且使反应器中充入惰性气体；c)在惰性气体氛围下，使反应器内的温度升高至预定温度；d)在达到预定温度之后，停止通入惰性气体和向反应器中通入碳源气体；e)在预定温度下保持一定时间，然后停止通入碳源气体和通入惰性气体，并且使反应器冷却至室温；f)取出样品，得到石墨烯/氧化硅复合材料。
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公开(公告)号：CN106315570B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610695374.9
申请日：2016-08-19
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供了一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法，属于电子生产技术和柔性器件制备领域，该方法步骤包括：(1)制作掩模板图形；(2)固定掩模板和生长基底：(3)低温生长三维石墨烯；通过该方法可制备任意形状的三维石墨烯。该方法步骤简单、高效、成本低、环保，且无需进行加热处理，适用于图形化三维石墨烯的产业化生产，同时也可应用于其他二维三维材料的图形化处理。
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公开(公告)号：CN104498894B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410727811.1
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明公开了一种多孔金刚石薄膜的制备方法，将硅衬底放置于微波等离子体化学气相沉积装置中，所述硅衬底表面镀有一层金属Pt薄膜作为催化剂；将真空度控制在10-30毫巴，通入工作气体载入碳源至微波等离子发生区域，加热至750-850℃；沉积得到块体的金刚石薄膜；将薄膜在500-600℃空气氛围中煅烧，得到多孔金刚石薄膜。该方法不需要模板，也无需复杂的预处理工艺和高温过程，能够避免金属污染，使处理工序更加简化。
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公开(公告)号：CN106315570A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610695374.9
申请日：2016-08-19
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供了一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法，属于电子生产技术和柔性器件制备领域，该方法步骤包括：(1)制作掩模板图形；(2)固定掩模板和生长基底：(3)低温生长三维石墨烯；通过该方法可制备任意形状的三维石墨烯。该方法步骤简单、高效、成本低、环保，且无需进行加热处理，适用于图形化三维石墨烯的产业化生产，同时也可应用于其他二维三维材料的图形化处理。
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公开(公告)号：CN106248221A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610567749.3
申请日：2016-07-19
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: G01J5/10
CPC classification number: G01J5/10 , G01J2005/106
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯非制冷红外探测焦平面器件，包括基底；所述基底上设置周期性红外探测基元阵列，单个所述红外探测基元包括位于基底上的衬底和原位生长于衬底上的三维石墨烯墙。本发明提供的非制冷红外探测焦平面器件采用了三维石墨烯墙作为红外吸收层的桥面结构，增强了红外探测焦平面器件的红外吸收率，通过测试证明该器件对8～14μm的中远红外波段的红外辐射能量的吸收率能够提高20％左右；对2μm～5μm的近红外波段的红外辐射能量的吸收率能够提高30％-45％，对于短波1-2μm红外的吸收率能够提高30％～60％；从而使得非制冷焦平面器件的探测效率得到进一步提升；同时，该器件无需增透膜，从而在一定程度上简化了器件结构并适当降低了器件成本。此外，该器件与现有的非制冷红外探测焦平面器件的制备工艺完全兼容。
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