公开(公告)号：CN111052468B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN201880058447.0

申请日：2018-09-14

Applicant: 电化株式会社 ,  中央硝子株式会社

Inventor： 大角真一朗 ,  永井达也 ,  新井贵子 ,  伊藤哲哉 ,  大森启之 ,  铃木圣唯 ,  八尾章史

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139

Abstract: 本发明提供一种能够简便地得到粘结性优异的电池用正极、及输出特性与循环特性优异的电池的电池用炭黑。本发明所使用的电池用炭黑的特征在于，按照JIS K6217‑2C法测定的BET比表面积为100m2/g以上，且使用XPS测定的表面氟浓度X(单位：原子％)及表面氧浓度Y(单位：原子％)满足下述的条件(A)及(B)：(A)0.3≤X≤4.0、(B)0.1≤Y≤3.0。

公开(公告)号：CN112997280A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980071896.3

申请日：2019-10-16

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 大森启之 ,  铃木圣唯

IPC: H01L21/3065 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578

Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，针对形成于基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的层叠膜，经由形成于前述层叠膜上的具有特定的开口图案的掩模，将干蚀刻剂等离子体化而进行施加绝对值500V以上的负直流自偏压的蚀刻，从而形成相对于前述层叠膜的垂直方向的贯通孔，前述干蚀刻剂至少包含C3F6、CxHyFz所示的含氢饱和氟碳及氧化性气体，前述干蚀刻剂所包含的前述含氢饱和氟碳的体积为前述干蚀刻剂所包含的前述C3F6的体积的0.1～10倍的范围。

公开(公告)号：CN112534550A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201980051482.4

申请日：2019-09-02

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 铃木圣唯 ,  八尾章史

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明的目的在于，提供：不使用等离子体也能在200℃以下的低温下以充分的速度对硅氧化物进行蚀刻而不产生残渣的方法。本发明为一种硅氧化物的干蚀刻方法，其特征在于，使硅氧化物与气体的氟化氢和气体的有机胺化合物、和/或气体的有机胺化合物的氟化氢盐在不伴随等离子体状态下进行反应。

公开(公告)号：CN111052468A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880058447.0

申请日：2018-09-14

Applicant: 电化株式会社 ,  中央硝子株式会社

Inventor： 大角真一朗 ,  永井达也 ,  新井贵子 ,  伊藤哲哉 ,  大森启之 ,  铃木圣唯 ,  八尾章史

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139

Abstract: 本发明提供一种能够简便地得到粘结性优异的电池用正极、及输出特性与循环特性优异的电池的电池用炭黑。本发明所使用的电池用炭黑的特征在于，按照JIS K6217-2C法测定的BET比表面积为100m2/g以上，且使用XPS测定的表面氟浓度X(单位：原子％)及表面氧浓度Y(单位：原子％)满足下述的条件(A)及(B)：(A)0.3≤X≤4.0、(B)0.1≤Y≤3.0。

公开(公告)号：CN111279460B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201880068626.2

申请日：2018-10-24

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 铃木圣唯 ,  八尾章史

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明提供一种干式蚀刻方法，其特征在于，使包含氟化氢及含氟羧酸的混合气体于小于100℃且无等离子体地与氮化硅接触，蚀刻所述氮化硅。所述含氟羧酸的量优选为所述氟化氢与所述含氟羧酸的合计量的0.01体积％以上。作为所述含氟羧酸，可列举单氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸、二氟丙酸、五氟丙酸、七氟丁酸等。通过该干式蚀刻方法，能以高蚀刻速率蚀刻氮化硅，对氧化硅及多晶硅具有高选择比，可抑制对氧化硅的损伤。

公开(公告)号：CN115315786A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202180020720.2

申请日：2021-03-04

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 泽村凉介 ,  铃木圣唯 ,  大森启之 ,  八尾章史

IPC: H01L21/302

Abstract: 一种硅氧化物的干蚀刻方法，其特征在于，其是使气体的氟化氢及气体的有机胺化合物、气体的有机胺化合物的氟化氢盐、或气体的氟化氢、气体的有机胺化合物及气体的有机胺化合物的氟化氢盐与硅氧化物反应的干蚀刻方法，上述有机胺化合物为包含下述通式(1)所示的化合物中的至少2种的有机胺混合物。R1‑N＝R2R3···(1)(通式(1)中，N为氮原子。R1为碳数1～10的、任选具有环、杂原子、卤素原子的烃基。R2、R3为氢原子或碳数1～10的、任选具有环、杂原子、卤素原子的烃基。其中，烃基在碳数为3以上时，任选形成支链结构或环状结构。烃基的杂原子为氮原子、氧原子、硫原子或磷原子。进而，R1和R2均为碳数1以上的烃基时，R1与R2任选直接键合而形成环状结构。进而，R1或R2以双键直接键合而形成环状结构时，任选形成芳香环而不存在R3。另外，R1、R2及R3任选为相同的烃基或不同的烃基。)。

公开(公告)号：CN111279460A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201880068626.2

申请日：2018-10-24

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 铃木圣唯 ,  八尾章史

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明提供一种干式蚀刻方法，其特征在于，使包含氟化氢及含氟羧酸的混合气体于小于100℃且无等离子体地与氮化硅接触，蚀刻所述氮化硅。所述含氟羧酸的量优选为所述氟化氢与所述含氟羧的合计量的0.01体积％以上。作为所述含氟羧酸，可列举单氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸、二氟丙酸、五氟丙酸、五氟丁酸等。通过该干式蚀刻方法，能以高蚀刻速率蚀刻氮化硅，对氧化硅及多晶硅具有高选择比，可抑制对氧化硅的损伤。