干蚀刻方法、半导体器件的制造方法及干蚀刻气体组合物

    公开(公告)号:CN115315786A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202180020720.2

    申请日:2021-03-04

    Abstract: 一种硅氧化物的干蚀刻方法,其特征在于,其是使气体的氟化氢及气体的有机胺化合物、气体的有机胺化合物的氟化氢盐、或气体的氟化氢、气体的有机胺化合物及气体的有机胺化合物的氟化氢盐与硅氧化物反应的干蚀刻方法,上述有机胺化合物为包含下述通式(1)所示的化合物中的至少2种的有机胺混合物。R1‑N=R2R3···(1)(通式(1)中,N为氮原子。R1为碳数1~10的、任选具有环、杂原子、卤素原子的烃基。R2、R3为氢原子或碳数1~10的、任选具有环、杂原子、卤素原子的烃基。其中,烃基在碳数为3以上时,任选形成支链结构或环状结构。烃基的杂原子为氮原子、氧原子、硫原子或磷原子。进而,R1和R2均为碳数1以上的烃基时,R1与R2任选直接键合而形成环状结构。进而,R1或R2以双键直接键合而形成环状结构时,任选形成芳香环而不存在R3。另外,R1、R2及R3任选为相同的烃基或不同的烃基。)。

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