公开(公告)号：CN108663153A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810155128.3

申请日：2018-02-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 林和也

IPC: G01L9/00 ,  G01L9/02 ,  G01L9/06

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0133 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0055 ,  G01L9/0073 ,  G01L19/04 ,  G01L9/0051 ,  G01L9/025 ,  G01L9/065 ,  G01L2009/0067 ,  G01L2009/0069

Abstract: 本发明提供一种能够发挥优异的压力检测精度的压力传感器及其制造方法、压力传感器模块、电子设备及移动体。压力传感器具有：基板，其具有通过受压而发生挠曲变形的隔膜；侧壁部，其被配置于所述基板的一面侧，并在俯视观察所述基板时包围所述隔膜；密封层，其以隔着空间而与所述隔膜对置的方式被配置，并对所述空间进行密封；金属层，其为框状，且位于所述侧壁部与所述密封层之间，所述密封层具有：第一密封层，其具有面对所述空间的贯穿孔；第二密封层，其相对于所述第一密封层而位于与所述空间相反的一侧，并对所述贯穿孔进行密封，在俯视观察所述基板时，所述金属层的内周端位于所述贯穿孔与所述隔膜的外缘之间。

公开(公告)号：CN107835788A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201680041349.7

申请日：2016-05-24

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： R·施特劳布 ,  S·平特 ,  J·穆霍

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00103 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00317 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2203/0136 ,  G02B1/14 ,  G02B26/0833

Abstract: 本发明涉及一种用于微机械窗结构的制造方法，所述制造方法具有以下步骤：提供衬底(1)，其中，所述衬底(1)具有正面(4)和背面(5)；在所述正面(4)上形成第一凹部(6)；在所述正面(4)和所述第一凹部(6)上构造覆层(8；8‘、8“)；并且在所述背面(5)上形成第二凹部(7)，使得所述覆层(8)至少局部地露出，由此通过所述覆层的露出区域形成窗(F)。

公开(公告)号：CN105174203A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201410231976.X

申请日：2014-05-28

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 胡永刚 ,  周国平

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C1/00 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0142

Abstract: 一种基于MEMS的传感器的制作方法，通过在正面形成浅槽时就同时形成支撑质量块的支撑梁，由于刻蚀浅槽相较于刻蚀深槽更容易控制、工艺精准度更高，使得形成的支撑梁相较于传统的在背面形成深槽时形成的支撑梁一致性和均匀性更好，同时也节约了工艺时间和刻蚀原料。

公开(公告)号：CN103539064A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201210236844.7

申请日：2012-07-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 苏佳乐

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C2201/0133 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明提供一种微机电系统（MEMS）结构的牺牲层湿法腐蚀方法。根据所述方法，在所述牺牲层表面施加增黏剂并且通过调整所述增黏剂的量来改变牺牲层与光刻胶之间的黏附性，进而以湿法腐蚀得到所需腐蚀形貌的牺牲层。本发明还提供了用所述方法得到的MEMS结构。采用本发明所提供的方法，可以灵活地控制通过湿法腐蚀制作MEMS牺牲层时所得到的腐蚀形貌，尤其是得到直线斜坡形的腐蚀形貌，从而使MEMS结构中的后续层有良好的覆盖性。

公开(公告)号：CN1496333A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN02803671.9

申请日：2002-01-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·德蓬 ,  U·德雷克斯勒 ,  R·H·马格努森

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/308 ,  C23F13/14

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81B2201/12 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0133 ,  C23F13/14

Abstract: 一种在制造期间保护微结构材料不受不希望的电腐蚀的方法，所述结构包括所述材料和贵金属层(8)，该方法包括在结构上形成具有的氧化还原电位比所述材料低的牺牲金属层(12)，该牺牲金属层电连接到所述贵金属层(8)。

公开(公告)号：CN1440454A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN01812275.2

申请日：2001-05-02

Applicant: 高振智

Inventor： 高振智

IPC: C12M1/34 ,  C12N11/00 ,  G01N27/00 ,  G01N31/00 ,  G01N33/00 ,  G01N33/48 ,  G01N33/53 ,  G01N33/543

CPC classification number: B01L3/5088 ,  B01J2219/00317 ,  B01J2219/00497 ,  B01J2219/00585 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00605 ,  B01J2219/0061 ,  B01J2219/00612 ,  B01J2219/00617 ,  B01J2219/00619 ,  B01J2219/00621 ,  B01J2219/0063 ,  B01J2219/00637 ,  B01J2219/00653 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00702 ,  B01J2219/00722 ,  B01J2219/00725 ,  B81C2201/0133 ,  B82Y30/00 ,  C12Q1/68 ,  C12Q1/6876 ,  C12Q2600/156 ,  C40B40/06 ,  C40B40/10 ,  C40B60/14 ,  G01N27/3277

Abstract: 一基于微电子机械系统(MEMS)及集成电路(IC)的生物传感器可被用于感测或检测不同的离子及大分子(DNA、RNA或蛋白质)。基于微电子机械系统(MEMS)的生物传感器可以利用杂交、酶扩增方法及一电化学检测方法，以提高灵敏度及缩小系统体积。所述生物传感器整合于单一基质上。所述生物传感器系统包含至少两个电极。这些电极包括一工作电极，一参考电极和一反电极(辅助电极)。此生物传感器还提供了利用表面张力将试剂和/或溶液小规模限制在所述生物传感器上的装置和方法。该试剂限制系统利用可控制的表面特性及表面张力，使试剂和/或溶液可控制性地与传感器元件(例如电极)接触。该试剂限制系统也可以将生物传感器整合在便携式或手持式装置上，并且不怕振荡及翻转。本发明还提供了与集成电路技术整合的生物传感器。优选将整个传感器系统制造于单一IC基质或芯片上而无需外接元件及/或仪器以构成完整的系统。该系统优选利用IC方法制造在硅基质上。

公开(公告)号：CN103723675B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201310484562.3

申请日：2013-10-16

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F.霍伊克 ,  C.舍林 ,  M.哈塔斯 ,  B.施密特

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  G01C19/5769

Abstract: 本发明涉及一种用于微机械部件的制造方法，所述制造方法具有下述步骤：在硅层（10）的现有的（110）‑表面定向的情况下，通过在所述硅层（10）的正面（12）上至少实施与晶体定向相关的蚀刻步骤从至少一个单晶的硅层（10）至少部分地结构化出至少一个结构（42、46），其中在硅层（10）的现有的（110）‑表面定向的情况下，在所述硅层（10）的正面（12）上额外地实施至少一个与晶体定向无关的蚀刻步骤以用于至少部分地结构化出至少一个结构（42、46）。此外，本发明还涉及一种微机械部件。

公开(公告)号：CN107176587A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201611039292.5

申请日：2016-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘育嘉 ,  朱家骅 ,  郑钧文

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B7/0051 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/112 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  B81C1/00261

Abstract: 本发明涉及一种制造微机电系统MEMS装置的方法，该方法包含：在衬底上方沉积绝缘材料；在所述绝缘材料的第一组层中形成导电通路；及在所述绝缘材料的第二组层中形成金属结构。所述第一组层与所述第二组层交替地交错。提供虚拟绝缘层作为所述第一组层的最上部层。蚀刻所述第一组层及所述第二组层的部分以在所述绝缘材料中形成空隙区域。在所述绝缘材料的顶部表面上及其中形成导电垫。利用囊封结构密封所述空隙区域。所述囊封结构的至少一部分横向邻近所述虚拟绝缘层，且位于所述导电垫的顶部表面上面。执行蚀刻以移除所述虚拟绝缘层的至少一部分。

公开(公告)号：CN105939958A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201480072957.5

申请日：2014-11-20

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T.卢茨 ,  F.霍伊克

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133

Abstract: 本发明涉及一种用于微机械构件的制造方法，其至少包括以下步骤:借助于一个晶体定向无关的蚀刻步骤从衬底的至少一个结晶层(12)中形成微机械构件的至少一个部件的基础结构(10)，和借助于一个晶体定向相关的蚀刻步骤从该至少一个部件的基础结构(10)中蚀刻出一个限定的晶体平面(20)的至少一个面(18)，其中，该晶体定向相关的蚀刻步骤被实施，对于该晶体定向相关的蚀刻步骤，相应的限定的晶体平面(20)在全部的晶体平面中具有最低的蚀刻速率，在基础结构(10)上被蚀刻出的所述至少一个面(18)按照所述相应的限定的晶体平面定向。此外本发明涉及一种微机械构件。

公开(公告)号：CN104039687A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380004918.7

申请日：2013-01-03

Applicant: 法国原子能及替代能源委员会

Inventor： 伯纳德·迪姆

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/308

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81B2203/033 ,  B81B2203/0392 ,  B81C1/00103 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/014 ,  H01L21/3083

Abstract: 一种用于在基板的第一面中蚀刻所期望的复杂图案(50)的方法，包括以下步骤：穿过基板的第一面同时蚀刻至少第一和第二子图案，所蚀刻的子图案通过至少一个隔墙分开，在第一面，第一子图案的宽度大于第二子图案的宽度，并且沿与上述第一面垂直的方向，第一子图案的深度大于第二子图案的深度；移除或者消除上述隔墙以露出期望的复杂图案(50)的步骤。