公开(公告)号：CN111211092B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201811395542.8

申请日：2018-11-22

Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 胡连峰 ,  胡友存 ,  杨明 ,  卑多慧 ,  倪百兵

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一电极层；在所述第一电极层的顶部和侧壁形成电容介质层；形成保形覆盖所述电容介质层的第二电极层。与电容介质层仅覆盖第一电极层顶部的方案相比，本发明增加了第二电极层和第一电极层之间的有效面积，所述第二电极层、第一电极层、以及位于第一电极层顶部的电容介质层构成一个电容，所述第二电极层、第一电极层、以及位于第一电极层侧壁的电容介质层构成另外四个电容，即所形成的电容结构中包含五个并联电容，在同等基底面积等其他条件相同的情况下，增大了电容结构的电容密度。

公开(公告)号：CN112447663A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910826080.9

申请日：2019-09-03

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 胡连峰 ,  杨明 ,  卑多慧 ,  倪百兵 ,  张超

IPC: H01L23/522 ,  H01L49/02

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一电极层；在第一电极层上形成一个或多个相隔离的叠层结构，叠层结构包括电容介质层以及位于电容介质层上的第二电极层；形成黏附层以及保形覆盖黏附层的刻蚀停止层，黏附层覆盖叠层结构的侧壁表面和顶部、以及第一电极层的部分表面；形成覆盖刻蚀停止层和第一电极层的介电层；形成贯穿介电层、刻蚀停止层和黏附层且与第一电极层相接触的第一导电插塞，以及贯穿介电层、刻蚀停止层和黏附层且与第二电极层相接触的第二导电插塞。本发明实施例有利于提高半导体结构的可靠性。

公开(公告)号：CN112349581A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201910733357.3

申请日：2019-08-09

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 胡连峰

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成电介质层；在所述电介质层上形成第二电极层；在所述第二电极层上形成氧化层；在所述氧化层表面形成第一刻蚀停止层；在所述第一刻蚀停止层上形成绝缘层；刻蚀所述绝缘层、所述第一刻蚀停止层及所述氧化层，形成第一接触孔，所述第一接触孔底部露出所述第二电极层顶部表面，所述第一接触孔贯穿所述绝缘层、所述第一刻蚀停止层及所述氧化层。本发明有助于提高所述第二电极板与所述第一刻蚀停止层的黏附强度，降低所述第二电极板与所述第一刻蚀停止层之间出现分层的风险，从而改善封装质量。

公开(公告)号：CN111952287A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201910410619.2

申请日：2019-05-16

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 胡连峰

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/768

Abstract: 一种电容器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区；在所述基底第一区表面和第二区表面形成第一导电层；在所述第一导电层表面形成电介质层；在所述电介质层表面形成第二导电膜；去除第一区上的第二导电膜并暴露出第一区上的电介质层，在第二区上的电介质层表面形成第二导电层；在所述电介质层暴露出的表面、以及第二导电层侧壁和顶部表面形成第一介质层；在所述第一区上的第一介质层内形成第一插塞，所述第一插塞和第一导电层表面接触。所述方法形成的电容器件的可靠性较高。

公开(公告)号：CN112349581B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN201910733357.3

申请日：2019-08-09

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 胡连峰

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成电介质层；在所述电介质层上形成第二电极层；在所述第二电极层上形成氧化层；在所述氧化层表面形成第一刻蚀停止层；在所述第一刻蚀停止层上形成绝缘层；刻蚀所述绝缘层、所述第一刻蚀停止层及所述氧化层，形成第一接触孔，所述第一接触孔底部露出所述第二电极层顶部表面，所述第一接触孔贯穿所述绝缘层、所述第一刻蚀停止层及所述氧化层。本发明有助于提高所述第二电极板与所述第一刻蚀停止层的黏附强度，降低所述第二电极板与所述第一刻蚀停止层之间出现分层的风险，从而改善封装质量。

公开(公告)号：CN111952287B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN201910410619.2

申请日：2019-05-16

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 胡连峰

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/768

Abstract: 一种电容器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区；在所述基底第一区表面和第二区表面形成第一导电层；在所述第一导电层表面形成电介质层；在所述电介质层表面形成第二导电膜；去除第一区上的第二导电膜并暴露出第一区上的电介质层，在第二区上的电介质层表面形成第二导电层；在所述电介质层暴露出的表面、以及第二导电层侧壁和顶部表面形成第一介质层；在所述第一区上的第一介质层内形成第一插塞，所述第一插塞和第一导电层表面接触。所述方法形成的电容器件的可靠性较高。

公开(公告)号：CN113594365B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202010363181.X

申请日：2020-04-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 胡连峰

IPC: H10N97/00

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一电极层；在第一电极层上形成电容介质层、以及位于电容介质层上的第二电极层，电容介质层包括由下而上依次堆叠的底部高k介质层、防漏电介质层和顶部高k介质层，底部高k介质层和顶部高k介质层具有预设总沉积厚度，底部高k介质层的沉积厚度占预设总沉积厚度的比例大于顶部高k介质层的沉积厚度占预设总沉积厚度的比例。本发明调整底部高k介质层和顶部高k介质层各自占预设总沉积厚度的比例，使得底部高k介质层和顶部高k介质层的有效厚度均较小，从而改善底部高k介质层和顶部高k介质层的结晶问题，进而提高电容结构的可靠性。

公开(公告)号：CN111211092A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201811395542.8

申请日：2018-11-22

Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 胡连峰 ,  胡友存 ,  杨明 ,  卑多慧 ,  倪百兵

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一电极层；在所述第一电极层的顶部和侧壁形成电容介质层；形成保形覆盖所述电容介质层的第二电极层。与电容介质层仅覆盖第一电极层顶部的方案相比，本发明增加了第二电极层和第一电极层之间的有效面积，所述第二电极层、第一电极层、以及位于第一电极层顶部的电容介质层构成一个电容，所述第二电极层、第一电极层、以及位于第一电极层侧壁的电容介质层构成另外四个电容，即所形成的电容结构中包含五个并联电容，在同等基底面积等其他条件相同的情况下，增大了电容结构的电容密度。

公开(公告)号：CN112018241B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN201910471955.8

申请日：2019-05-31

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 胡连峰

IPC: H10N97/00 ,  C23C16/455

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一电极层，第一电极层为单层或多层结构；在第一电极层上形成介电层；在介电层上形成第二电极层，第二电极层为单层或多层结构；第一电极层中与介电层相接触的为第一电极接触层，第二电极层中与介电层相接触的为第二电极接触层，第一电极接触层和第二电极接触层中至少一层采用原子层沉积工艺形成。原子层沉积工艺形成的层结构表面粗糙度较低，同一区域中，第一电极层接触层和第二电极层接触层中不易存在同时凸向介电层的凸出点，第一电极层接触层和第二电极层接触层之间的最短距离变大，进而介电层不易发生击穿，提高了半导体结构的电学性能。

公开(公告)号：CN110970557A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201811141437.1

申请日：2018-09-28

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 胡连峰 ,  胡友存 ,  杨明 ,  卑多慧 ,  倪百兵

IPC: H01L49/02

Abstract: 一种电容器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一层电极，所述第一层电极具有第一粗糙度；在所述第一层电极表面形成导电层，所述导电层具有第二粗糙度，所述第二粗糙度小于第一粗糙度；在所述导电层表面形成电介质层；在所述电介质层表面形成第二层电极。其中结构包括：基底，位于所述基底上的第一层电极，所述第一层电极具有第一粗糙度；位于所述第一层电极表面的导电层，所述导电层具有第二粗糙度，所述第二粗糙度小于第一粗糙度；位于所述导电层表面的电介质层；位于所述电介质层表面的第二层电极。所述方法形成的电容器件的可靠性较好。