公开(公告)号：CN103403841A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201180068690.9

申请日：2011-08-31

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 小泽隆弘 ,  中嶋健次 ,  全基荣 ,  伊藤孝浩

IPC: H01L21/205 ,  C01B33/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C01B33/027 ,  C01B33/029 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明涉及一种气相生长装置及气相生长方法。所述气相生长装置具备：气相生长室、加热室、混合室、对三氯硅烷气体进行贮藏的第一贮藏库、对与氯化氢气体发生反应的硅烷类气体进行贮藏的第二贮藏库。加热室连通于第一贮藏库和混合室，并且在将三氯硅烷气体加热之后，向混合室进行供给。混合室连通于第二贮藏库和气相生长室，并使从加热室供给的气体与硅烷类气体混合，且将该混合气体向气相生长室进行供给。加热室的室内温度高于混合室的室内温度。

公开(公告)号：CN103403841B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201180068690.9

申请日：2011-08-31

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 小泽隆弘 ,  中嶋健次 ,  全基荣 ,  伊藤孝浩

IPC: H01L21/205 ,  C01B33/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C01B33/027 ,  C01B33/029 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明涉及一种气相生长装置及气相生长方法。所述气相生长装置具备：气相生长室、加热室、混合室、对三氯硅烷气体进行贮藏的第一贮藏库、对与氯化氢气体发生反应的硅烷类气体进行贮藏的第二贮藏库。加热室连通于第一贮藏库和混合室，并且在将三氯硅烷气体加热之后，向混合室进行供给。混合室连通于第二贮藏库和气相生长室，并使从加热室供给的气体与硅烷类气体混合，且将该混合气体向气相生长室进行供给。加热室的室内温度高于混合室的室内温度。