公开(公告)号：CN103403841A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201180068690.9

申请日：2011-08-31

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 小泽隆弘 ,  中嶋健次 ,  全基荣 ,  伊藤孝浩

IPC: H01L21/205 ,  C01B33/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C01B33/027 ,  C01B33/029 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明涉及一种气相生长装置及气相生长方法。所述气相生长装置具备：气相生长室、加热室、混合室、对三氯硅烷气体进行贮藏的第一贮藏库、对与氯化氢气体发生反应的硅烷类气体进行贮藏的第二贮藏库。加热室连通于第一贮藏库和混合室，并且在将三氯硅烷气体加热之后，向混合室进行供给。混合室连通于第二贮藏库和气相生长室，并使从加热室供给的气体与硅烷类气体混合，且将该混合气体向气相生长室进行供给。加热室的室内温度高于混合室的室内温度。

公开(公告)号：CN103026463A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201080066784.8

申请日：2010-12-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 伊藤孝浩 ,  小泽隆弘 ,  中岛健次 ,  全基荣

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/24 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02532

Abstract: 半导体膜的气相生长方法包括向加热至1200～1400℃的基板的表面从与该表面垂直的方向供应包含氯硅烷气体和载气的混合原料气体的工序。氯硅烷气体的供应量相对基板每1cm2的表面而言为200μmol/分钟以上。载气包含氢气、和从氩气、氙气、氪气以及氖气中选择的至少一种以上的气体。

公开(公告)号：CN103403841B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201180068690.9

申请日：2011-08-31

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 小泽隆弘 ,  中嶋健次 ,  全基荣 ,  伊藤孝浩

IPC: H01L21/205 ,  C01B33/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C01B33/027 ,  C01B33/029 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明涉及一种气相生长装置及气相生长方法。所述气相生长装置具备：气相生长室、加热室、混合室、对三氯硅烷气体进行贮藏的第一贮藏库、对与氯化氢气体发生反应的硅烷类气体进行贮藏的第二贮藏库。加热室连通于第一贮藏库和混合室，并且在将三氯硅烷气体加热之后，向混合室进行供给。混合室连通于第二贮藏库和气相生长室，并使从加热室供给的气体与硅烷类气体混合，且将该混合气体向气相生长室进行供给。加热室的室内温度高于混合室的室内温度。