公开(公告)号：CN103548133B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201280025380.3

申请日：2012-06-11

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 高田朋幸 ,  山田永 ,  秦雅彦 ,  高木信一 ,  前田辰郎 ,  卜部友二 ,  安田哲二

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/095 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207

Abstract: 形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极和第一漏极以及形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极和第二漏极由同一种导电物质构成，该导电物质的功函数ΦM满足式1及式2的至少之一的关系，(式1)(式2)且其中，表示N型半导体晶体层的电子亲和力、及Eg2表示P型半导体晶体层的电子亲和力及禁带宽度。

公开(公告)号：CN102668029B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201080055735.4

申请日：2010-12-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  高田朋幸 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546

Abstract: 本发明提供一种在单一的硅基板上使不同种类的半导体结晶层外延生长时，能够提高表面的平坦性，提高半导体器件的可靠性的半导体基板。该半导体基板其具有：在表面形成了第一凹部及第二凹部的硅结晶的基底基板、在第一凹部的内部形成且为露出状态的第一IVB族半导体结晶、在第二凹部的内部形成的第二IVB族半导体结晶、及形成在第二凹部的内部的第二IVB族半导体结晶上且处于露出状态的III-V族化合物半导体结晶。

公开(公告)号：CN103548133A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280025380.3

申请日：2012-06-11

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 高田朋幸 ,  山田永 ,  秦雅彦 ,  高木信一 ,  前田辰郎 ,  卜部友二 ,  安田哲二

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/095 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L21/76251

Abstract: 形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极和第一漏极以及形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极和第二漏极由同一种导电物质构成，该导电物质的功函数ΦM满足式1及式2的至少之一的关系，(式1)(式2)且其中，表示N型半导体晶体层的电子亲和力、及Eg2表示P型半导体晶体层的电子亲和力及禁带宽度。

公开(公告)号：CN102668110A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080055527.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  山田永 ,  高田朋幸

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1852 ,  H01L31/03046 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种半导体基板，具备：基底基板；牺牲层，与基底基板进行晶格匹配或者准晶格匹配；第1结晶层，由形成在牺牲层上的SixGe1-x(0≤x＜1)的外延结晶构成；以及第2结晶层，形成在第1结晶层上，由禁带宽比第1结晶层还大的3-5族化合物半导体的外延结晶构成。基底基板例如由单晶GaAs构成。牺牲层例如由InmAlnGa1-m-nAs(0≤m＜1、0＜n≤1、0＜n+m≤1)的外延结晶构成。

公开(公告)号：CN102341889A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010719.3

申请日：2010-03-08

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  秦雅彦 ,  山中贞则

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02642 ,  H01L29/107 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明提供可容易地进行具有结晶薄膜的半导体基板的设计以及所述结晶薄膜的膜质及膜厚度控制的半导体基板。具体，该基板具有，基底基板和一体或分离地被设置在所述基底基板上，用于阻挡化合物半导体的结晶生长的阻挡层；阻挡层，具有多个第1开口区域，该第1开口区域具有贯通阻挡层到基底基板的多个开口；多个第1开口区域分别包含在内部以相同配置设置的多个第1开口；多个第1开口的一部分，是设置用以形成电子元件的第1化合物半导体的第1元件形成开口；多个第1开口的另外一部分，是作为不形成电子元件的第1虚设开口。

公开(公告)号：CN101027787A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200580032135.5

申请日：2005-09-21

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐佐木诚 ,  高田朋幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供一种III－V族化合物半导体。所述III－V族化合物半导体包含n－型层，由式InaGabAlcN表示的厚度不小于300nm的p－型层，和存在于n－型层和p－型层之间的多量子阱结构，所述多量子阱结构具有至少两个包括两个阻挡层和位于阻挡层之间的由InxGayAlzN表示的量子阱层的量子肼结构；并且R/α比率不大于42.5％，其中R是通过X射线衍射测量的量子阱层中氮化铟的平均摩尔分数，α是从因电流注入而由III－V族化合物半导体发出的光的波长计算的氮化铟的摩尔分数。

公开(公告)号：CN101896997B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN200880119896.8

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/26 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/66318

Abstract: 本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。

公开(公告)号：CN102449785A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023898.4

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  山中贞则 ,  高田朋幸

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L29/737 ,  H01L29/866 ,  H01L33/12 ,  H01S5/026

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02524 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L29/161 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371 ,  H01S5/021

Abstract: 提供一种光器件，具备：基底基板，包含硅；多个种晶，设置在基底基板上；以及多个3-5族化合物半导体，与多个种晶晶格匹配或者准晶格匹配，其中，在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有光电半导体，该光电半导体包含根据供给的驱动电流来输出光的发光半导体、或者接收光的照射来产生光电流的感光半导体，在多个3-5族化合物半导体中的具有光电半导体的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有异质结晶体管。

公开(公告)号：CN102227802A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200980147545.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  秦雅彦 ,  山田永

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/67115 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的制造方法，其是对包括要被热处理的被热处理部的底板基板进行热处理来制造半导体基板的方法，包括：在底板基板上设置吸收电磁波而产生热、且对被热处理部选择性地加热的被加热部的步骤；对基板照射电磁波的步骤，和通过由于被加热部吸收电磁波而产生的热，降低被热处理部的晶格缺陷密度的步骤。

公开(公告)号：CN102227801A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200980147259.6

申请日：2009-11-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  秦雅彦 ,  高田朋幸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02636

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其包括：底板基板；设置在底板基板上的晶种；设置于晶种上方的化合物半导体；和设置于晶种和化合物半导体之间、具有比晶种大的电阻率的高电阻层，晶种和化合物半导体晶格匹配或者准晶格匹配。