公开(公告)号：CN102239574A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201080003506.8

申请日：2010-01-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  上野昌纪 ,  中村孝夫 ,  上田登志雄 ,  高须贺英良 ,  千田裕彦

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种用于制造发光元件的方法涉及用于制造III-V族化合物半导体的发光元件的方法，所述III-V族化合物半导体具有包括In和N的量子阱结构，所述方法包括如下步骤：形成包括In和N的阱层(13a)；形成势垒层(13b)，所述势垒层(13b)具有的带隙比所述阱层(13a)的带隙宽；以及在形成所述阱层(13a)的步骤之后以及形成所述势垒层(13b)的步骤之前，供应包括N的气体并且中断外延生长。在中断外延生长的所述步骤中，供应具有的分解效率高于N2和NH3在900℃下分解为活性氮的分解效率的气体。另外，在中断外延生长的步骤中，供应与用作阱层(13a)的N源的气体不同的气体。

公开(公告)号：CN101499416A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910009927.0

申请日：2009-01-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中村孝夫 ,  上野昌纪 ,  上田登志雄 ,  高须贺英良 ,  千田裕彦

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/30 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供了一种生长III－V族化合物半导体的方法以及制造发光器件和电子器件的方法，其中降低了危险并能够在低温下有效地供应氮。所述生长III－V族化合物半导体的方法包括下列步骤。首先，准备含选自一甲胺和一乙胺中的至少一种物质的气体以作为氮原料。然后，使用该气体通过气相生长来生长III－V族化合物半导体。

公开(公告)号：CN102668033A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201180005073.4

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐见弘 ,  千田裕彦 ,  伊藤里美 ,  藤川一洋 ,  岛田茂树 ,  玄番润 ,  寺尾岳见 ,  古庄胜

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/872

Abstract: 基板（10-12）分别安装在多个基座（20-22）中的每个基座上。所述多个基座中的每个基座均安装有基板，且所述多个基座设置在旋转机构上，使得这些基座在上下方向上彼此间具有预定间隔。设置有所述多个基座的旋转机构被旋转。每个均安装有基板的多个基座被加热。通过向在旋转的同时受热的基座中的每个基座供应原料气体来沉积半导体薄膜，所述原料气体通过基本上彼此相等的相应路径长度的气体流路被加热。