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公开(公告)号：CN103155102A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280003355.5
申请日：2012-02-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02104 , H01L21/76254
Abstract: 本发明提供一种具有保护膜的复合衬底(2Q)，其包含支持衬底(10)、布置在所述支持衬底(10)上的氧化物膜(20)、布置在所述氧化物膜(20)上的半导体层(30a)、和保护膜(40)，所述保护膜(40)通过覆盖作为所述氧化物膜(20)的一部分且未被所述支持衬底(10)和所述半导体层(30a)覆盖的部分(20s、20t)来保护所述氧化物膜(20)。本发明还提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：准备所述具有保护膜的复合衬底(2Q)的步骤；和在所述具有保护膜的复合衬底(2Q)的所述半导体层(30a)上外延生长至少一层功能半导体层的步骤，所述至少一层功能半导体层使得呈现半导体器件的必要功能。由此，提供了一种具有保护膜的复合衬底，其具有其中可以外延生长高品质功能半导体层的大的有效区域；和一种制造半导体器件的方法，其中使用所述具有保护膜的复合衬底。
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公开(公告)号：CN102330151A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110251381.7
申请日：2008-12-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/32 , C30B19/02 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02658 , H01L33/0075 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供了一种发光器件制造方法，其特征在于，在III族氮化物晶体衬底上形成至少单层的III族氮化物层，所述III族氮化物晶体衬底具有表面积不小于10cm2的主面，其中，在主面的除了从其外周到距离该外周5mm范围内的外周边缘区域之外的主要区域中，总位错密度是1×104cm-2至3×106cm-2，并且螺旋位错密度对所述总位错密度的比率是0.5以上。优选地，所述螺旋位错密度对所述总位错密度的比率是0.9以上。所制得的发光器件具有高发光强度。
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公开(公告)号：CN102906857A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025487.3
申请日：2011-11-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/0242 , H01L21/02488 , H01L21/0254
Abstract: 一种III族氮化物复合衬底(1)，其包含支持衬底(10)；在所述支持衬底(10)上形成的氧化物膜(20)；和在所述氧化物膜(20)上形成的III族氮化物层(30a)。所述氧化物膜(20)可以为选自由TiO2膜和SrTiO3膜组成的组中的膜，并且在所述氧化物膜中可添加有杂质。因此，提供其中支持衬底和III族氮化物层之间的结合强度高的III族氮化物复合衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102959141B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180032962.X
申请日：2011-05-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 提供了通过使用多个瓦片衬底生长III族氮化物晶体的方法，该III族氮化物晶体具有大尺寸并且在主表面上较少出现凹坑。生长III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备多个瓦片衬底（10），每个瓦片衬底（10）具有主表面（10m），主表面（10m）具有能够平面填充的具有投影角的四边形形状或者三角形形状；执行瓦片衬底（10）的平面填充来布置瓦片衬底（10），使得在瓦片衬底（10）的顶点彼此面对的任意点处彼此面对的顶点数是3个或更少；以及在如此布置的瓦片衬底（10）的主表面（10m）上生长III族氮化物晶体（20）。
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公开(公告)号：CN102959141A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032962.X
申请日：2011-05-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 提供了通过使用多个瓦片衬底生长III族氮化物晶体的方法，该III族氮化物晶体具有大尺寸并且在主表面上较少出现凹坑。生长III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备多个瓦片衬底（10），每个瓦片衬底（10）具有主表面（10m），主表面（10m）具有能够平面填充的具有投影角的四边形形状或者三角形形状；执行瓦片衬底（10）的平面填充来布置瓦片衬底（10），使得在瓦片衬底（10）的顶点彼此面对的任意点处彼此面对的顶点数是3个或更少；以及在如此布置的瓦片衬底（10）的主表面（10m）上生长III族氮化物晶体（20）。
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公开(公告)号：CN102099896A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980127791.1
申请日：2009-07-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/208 , C30B19/12 , C30B29/38 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B9/00 , C30B29/406 , H01L21/02378 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/02625 , H01L21/02658 , H01L33/0075 , H01L33/16
Abstract: 本发明公开了生长GaN晶体的方法。所述方法包括以下步骤：准备具有一个主面(10m)并包含具有所述主面(10m)的GaxAlyIn1-x-yN晶体(10a)的衬底(10)；以及在800℃至1500℃的气氛温度和500至小于2,000atm的气压下使溶液(7)与所述衬底(10)的所述主面(10m)进行接触，在该状态下在所述主面(10m)上生长GaN晶体(20)，其中该溶液(7)通过使氮(5)溶解在Ga熔融体(3)中而制得。所述方法在所述准备衬底(10)的步骤之后并且在所述生长GaN晶体(20)的步骤之前还包括腐蚀所述衬底(10)的所述主面(10m)的步骤。因此，在不将原料以外的任何杂质添加到熔融体中并且不需要增加晶体生长装置尺寸的情况下，可以生长具有低位错密度和高结晶度的GaN晶体。
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公开(公告)号：CN101815816A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200880110221.7
申请日：2008-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B19/04
Abstract: 本发明公开了一种能够通过液相法生长大型晶体的生长III族氮化物晶体的方法。本发明具体公开了一种通过液相法生长III族氮化物晶体(10)的方法，所述生长III族氮化物晶体(10)的方法包括：准备III族氮化物晶体衬底(1)的步骤，所述衬底(1)具有与所述III族氮化物晶体(10)相同的化学组成，并具有0.5mm以上的厚度；以及将溶液与所述III族氮化物晶体衬底(1)的主面(1m)接触并且在所述主面(1m)上生长III族氮化物晶体(10)的步骤，所述溶液通过使含氮气体(5)溶于包含III族金属的溶剂(3)中而获得。
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公开(公告)号：CN101447542A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810178828.0
申请日：2008-12-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L29/32 , C30B19/02 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02658 , H01L33/0075 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供了适用于发光器件中的可用的第III族氮化物晶体衬底、包括所述衬底的发光器件和制造所述发光器件的方法。第III族氮化物晶体衬底具有表面积不小于10cm2的主面，在主面的除了从其外周到距离该外周5mm范围内的外周边缘区域之外的主要区域中，总位错密度是1×104cm－2至3×106cm－2，并且螺旋位错密度对所述总位错密度的比率是0.5以上。
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