公开(公告)号：CN102822998A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201280001044.5

申请日：2012-01-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  石原邦亮 ,  八乡昭广 ,  吉田乔久 ,  上野昌纪 ,  木山诚

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/02 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025

Abstract: 半导体器件（5），其包括支撑衬底（60）、置于支撑衬底（60）上的导电层（50）以及置于导电层（50）上的至少一个III族氮化物半导体层（200）。在III族氮化物半导体层（200）之中，导电层邻接III族氮化物半导体层（200c）具有n型导电类型、至多为1×107cm-2的位错密度和至多为5×1018cm-3的氧浓度。因此，可以提供具有高结晶度的半导体层的n向下型器件。

公开(公告)号：CN103140946A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201280002986.5

申请日：2012-03-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松原秀树 ,  石原邦亮

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/187 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于GaN基半导体器件（5）的制造方法包括以下步骤：使用离子注入分离方法制备复合衬底（1），其包括：支撑衬底（10），其具有相对于GaN的热膨胀系数的比率不小于0.8且不大于1.2的热膨胀系数；和GaN层（21），其结合到支撑衬底（10）；在复合衬底（1）中的GaN层（21）上，生长至少单层GaN基半导体层（40）；以及通过溶解支撑衬底（10）去除复合衬底（1）的支撑衬底（10）。因此，提供了一种用于GaN基半导体器件的制造方法，其使得能够以高良率制造具有优良特性的GaN基半导体器件。

公开(公告)号：CN104798182A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380060425.5

申请日：2013-11-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石原邦亮

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/20 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212

Abstract: 肖特基势垒二极管包括在从第一主表面侧到第二主表面侧的方向上依次布置的：第一电极(72)；III族氮化物膜(20)；绝缘膜(30)，其具有开口；肖特基接触金属膜(40)；接合金属膜(60)；导电支撑衬底(50)；和第二电极(75)。肖特基接触金属膜(40)的一部分可在绝缘膜(30)的一部分上延伸。肖特基势垒二极管还可包括设置在肖特基接触金属膜(40)的凹进部分和接合金属膜(60)之间的嵌入金属膜。因此，能够提供具有高击穿电压并且允许大电流从中流过的低成本肖特基势垒二极管及其制造方法。