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公开(公告)号：CN104022131B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410072283.0
申请日：2014-02-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/2252 , H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/552 , H01L23/58 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L27/14 , H01L27/14618 , H01L2224/05554 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48229 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/10161 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H04N5/2253 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了电子组件和电子设备。铁磁体设置在基准平面的前表面侧并且位于在与该基准平面垂直的方向上与电子器件重叠的区域外部，并且导体设置在该基准平面的后表面侧，并且在与基准平面垂直的方向上与电子器件重叠。
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公开(公告)号：CN102386198A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110261646.1
申请日：2011-08-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14685 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及一种制造光学传感器的方法，该方法包括以下步骤：提供具有多个像素区域的半导体晶片；在半导体晶片上形成包围每个像素区域的网格状肋，所述网格状肋具有预定宽度并由固定构件形成；提供透光衬底，在该透光衬底的主表面上具有间隙部分，所述间隙部分具有宽度小于网格状肋的沟槽和多个通孔中的至少一种；固定半导体晶片和透光衬底，以使得网格状肋和间隙部分彼此面对；和将固定的半导体晶片和透光衬底切割为片，以使得每片包括一个像素区域。
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公开(公告)号：CN101635264A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910168033.6
申请日：2007-12-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L2224/45144 , H01L2224/49171 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造半导体模块的方法，该半导体模块包括用封装树脂密封的半导体芯片，其中通过在阻焊剂图案的外边缘的外部从布线图案开始沿着阻焊剂图案的外边缘延伸的布线图案延伸部分，防止封装树脂从该外边缘的内部溢出。该方法包括：制备半导体芯片；制备具有连接部分、连接到连接部分的布线图案和阻焊剂的基板，其中布线图案的布线图案延伸部分延伸以与布线图案的一部分交叉，布线图案具有连接部分一侧的第一边缘和与连接部分一侧相反一侧的第二边缘，阻焊剂设置在连接部分的周边以覆盖布线图案，使得阻焊剂的外边缘在第二边缘一侧沿着布线图案延伸部分设置；在基板的阻焊剂的内部部分上安装半导体芯片；施加封装树脂以覆盖半导体芯片。
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公开(公告)号：CN114679554A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111567750.3
申请日：2021-12-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/369
Abstract: 本公开涉及装置、系统、移动体和基板。该装置包括：像素阵列，包括多个像素，所述多个像素的第一像素和第二像素与不同颜色对应，所述多个像素的第一像素和第三像素与相同颜色对应；连接到所述第一像素的第一电路组；连接到所述第三像素的第三电路组；以及包括在所述第一电路组中的第一电路、第二电路以及包括在所述第三电路组中且具有与所述第一电路的功能相同的功能的第三电路，在顶视图中，所述第三电路布置在所述第一电路与所述第二电路之间。
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公开(公告)号：CN107425029B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201710370871.6
申请日：2017-05-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N1/028
Abstract: 提出了光电转换装置和图像读取装置。一种光电转换装置，包括具有一个主表面的半导体基板(该主表面包括凹陷部分)以及在凹陷部分中的绝缘体。半导体基板包括光电转换元件，每个光电转换元件包括第一导电类型的第一半导体区域、第二导电类型的第二半导体区域和第二导电类型的第三半导体区域，其中第三半导体区域具有相对于第二半导体区域更靠近主表面而部署的至少一部分。第二半导体区域具有信号电荷的极性。第二半导体区域与第一和第三半导体区域接触。在垂直于主表面的横截面中，信号电荷路径部署在凹陷部分之间。第二和第三半导体区域中的至少一个在信号电荷路径中至少两条的方向上定位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102376731B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110250084.0
申请日：2011-08-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/225 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L2224/13 , H04N5/2253
Abstract: 本发明公开了图像拾取模块和照相机，该图像拾取模块包括：盖部件；包含光电二极管的图像拾取器件芯片；固定部件，被布置在图像拾取器件芯片周围并且将盖部件和图像拾取器件芯片连接在一起；再布线基板，被布置在图像拾取器件芯片的与盖部件相反的一侧；连接部件，被配置为连接图像拾取器件芯片与再布线基板；以及由盖部件、图像拾取器件芯片和固定部件包围的空间。图像拾取器件芯片包含半导体基板。半导体基板包含通孔电极，通孔电极贯通基板。当在相对于盖部件的图像拾取模块的正交投影中与固定部件对应的区域被限定为被固定区域时，通孔电极和连接部件被布置在被固定区域中。
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公开(公告)号：CN103378118A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310150932.X
申请日：2013-04-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H05K5/0091 , H01L23/10 , H01L23/13 , H01L27/14618 , H01L2224/48091 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/16195 , Y10T156/10 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了电子元器件、安装部件、电子装置和它们的制造方法。该基体包含具有内部端子组的基准段部和相对于基准段部位于封装的外缘侧并且通过台阶部相对于基准段部突出的上段部。框架体与上段部接合，并且，框架体的内缘相对于台阶部位于封装的外缘侧。
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公开(公告)号：CN102376731A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110250084.0
申请日：2011-08-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L2224/13 , H04N5/2253
Abstract: 本发明公开了图像拾取模块和照相机，该图像拾取模块包括：盖部件；包含光电二极管的图像拾取器件芯片；固定部件，被布置在图像拾取器件芯片周围并且将盖部件和图像拾取器件芯片连接在一起；再布线基板，被布置在图像拾取器件芯片的与盖部件相反的一侧；连接部件，被配置为连接图像拾取器件芯片与再布线基板；以及由盖部件、图像拾取器件芯片和固定部件包围的空间。图像拾取器件芯片包含半导体基板。半导体基板包含通孔电极，通孔电极贯通基板。当在相对于盖部件的图像拾取模块的正交投影中与固定部件对应的区域被限定为被固定区域时，通孔电极和连接部件被布置在被固定区域中。
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公开(公告)号：CN101211889A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710305585.8
申请日：2007-12-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
CPC classification number: H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L2224/45144 , H01L2224/49171 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体模块，包括用封装树脂(114)密封的半导体芯片(112)，其中通过在阻焊剂图案的外边缘的外部从布线图案开始沿着阻焊剂图案的外边缘延伸的布线图案延伸部分，防止封装树脂(114)从该外边缘的内部溢出。
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公开(公告)号：CN102386192B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201110242163.7
申请日：2011-08-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/13
Abstract: 本发明涉及制造光学传感器的方法、光学传感器和包括其的照相机。所述制造光学传感器的方法包括：设置包含多个像素区域的半导体晶片；设置包含光透射晶片的光透射基板，其中所述光透射晶片上附接有多个光透射部件，所述多个光透射部件被布置在所述光透射晶片的第一主表面上，并且所述多个光透射部件中的每一个的α射线发射量小于或等于0.05c/cm2·h；通过固定部件将所述光透射基板固定到所述半导体晶片上；以及将被固定在一起的半导体晶片和光透射基板分成单独的件。
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