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公开(公告)号：CN1181977C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN02121709.2
申请日：2002-02-09
CPC classification number: B41J2/1628 , B41J2/161 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , Y10T29/42 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49401
Abstract: 一压电结构，包括：一个振动板；一个压电膜；该振动板包括由单晶材料、多晶体材料，掺有与构成单晶材料的元素不同的元素的单晶材料，或者掺有与构成多晶体材料的元素不同的元素的多晶材料构成的一层，并且包括将前述层夹在中间的氧化层，该压电膜具有单一取向的晶体或单晶结构。
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公开(公告)号：CN100443303C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510052152.7
申请日：2005-02-25
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种电介质元件、压电元件、喷墨头和喷墨记录装置，该电介质元件在上部电极层和下部电极层之间设置有电介质层，电介质层具有组成相互不同的第一电介质层和第二电介质层，在第一电介质层和第二电介质层的边界附近，第一电介质层的至少一种成分的组成在第一电介质层的厚度方向上发生变化。
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公开(公告)号：CN1296210C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN01124891.2
申请日：2001-06-21
IPC: B41J2/14 , B41J2/16 , H01L41/083 , H01L41/187
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电元件结构，包括一个支承衬底。和一个支承在所述支承衬底上压电膜，其中压电膜包含第一层、和具有锆的第二层，每一层具有钙钛矿结构，并且彼此接触形成或通过中间层层压，薄膜形成时的温度为500℃或更高以提供所述压电膜，为了形成薄膜，以30℃/min或更快的冷却速度从薄膜形成温度到至少450℃快速冷却。与现有压电膜相比，如此形成的压电膜厚度小，而且表现出很大的压电常数，从而能够可靠地执行其有效微处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1660579A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052153.1
申请日：2005-02-25
CPC classification number: H01G4/1227 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01G4/10 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种依次设置了基板、下部电极层、电介质层和上部电极层的电介质元件，其特征在于：所述电介质层具有主成分为氧化物且位于上述下部电极层一侧的第一电介质层和主成分为氧化物且位于上述上部电极层一侧的第二电介质层，所述第二电介质层比所述第一电介质层厚，在所述第一电介质层的25℃的相对介电常数为ε1、所述第二电介质层的25℃的相对介电常数为ε2时，满足下述的式(1)ε1/ε2≥0.9 ……(1)。
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公开(公告)号：CN1338377A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN01124891.2
申请日：2001-06-21
IPC: B41J2/14 , B41J2/16 , H01L41/083 , H01L41/187
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电元件结构,包括一个支承衬底。和一个支承在所述支承衬底上压电腊,其中压电膜包含第一层、和具有锆的第二层,每一层具有钙钛矿结构,并且彼此接触形成或通过中间层层压,薄膜形成时的温度为500℃或更高以提供所述压电膜,为了形成薄膜,以30℃/min或更快的冷却速度从薄膜形成温度到至少450℃快速冷却。与现有压电膜相比,如此形成的压电膜厚度小,而且表现出很大的压电常数,从而能够可靠地执行其有效微处理。
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公开(公告)号：CN100402292C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200510052153.1
申请日：2005-02-25
CPC classification number: H01G4/1227 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01G4/10 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种依次设置了基板、下部电极层、电介质层和上部电极层的电介质元件，其特征在于：所述电介质层具有主成分为氧化物且位于上述下部电极层一侧的第一电介质层和主成分为氧化物且位于上述上部电极层一侧的第二电介质层，所述第二电介质层比所述第一电介质层厚，在所述第一电介质层的25℃的相对介电常数为ε1、所述第二电介质层的25℃的相对介电常数为ε2时，满足下述的式(1)ε1/ε2≥0.9……(1)。
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公开(公告)号：CN1660578A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052152.7
申请日：2005-02-25
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种电介质元件，其在第一电介质层和第二电介质层之间设置有电介质层，电介质层具有组成相互不同的第一电介质层和第二电介质层，在第一电介质层和第二电介质层的边界附近，第一电介质层的至少一种成分的组成在第一电介质层的厚度方向上发生变化。
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公开(公告)号：CN1380187A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02121709.2
申请日：2002-02-09
CPC classification number: B41J2/1628 , B41J2/161 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , Y10T29/42 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49401
Abstract: 一压电结构,包括:一个振动板;一个压电膜;该振动板包括由单晶材料、多晶体材料,掺有与构成单晶材料的元素不同的元素的单晶材料,或者掺有与构成多晶体材料的元素不同的元素的多晶材料构成的一层,并且包括将前述层夹在中间的氧化层,该压电膜具有单一取向的晶体或单晶结构。
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