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公开(公告)号：CN100443303C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510052152.7
申请日：2005-02-25
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种电介质元件、压电元件、喷墨头和喷墨记录装置，该电介质元件在上部电极层和下部电极层之间设置有电介质层，电介质层具有组成相互不同的第一电介质层和第二电介质层，在第一电介质层和第二电介质层的边界附近，第一电介质层的至少一种成分的组成在第一电介质层的厚度方向上发生变化。
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公开(公告)号：CN1296210C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN01124891.2
申请日：2001-06-21
IPC: B41J2/14 , B41J2/16 , H01L41/083 , H01L41/187
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电元件结构，包括一个支承衬底。和一个支承在所述支承衬底上压电膜，其中压电膜包含第一层、和具有锆的第二层，每一层具有钙钛矿结构，并且彼此接触形成或通过中间层层压，薄膜形成时的温度为500℃或更高以提供所述压电膜，为了形成薄膜，以30℃/min或更快的冷却速度从薄膜形成温度到至少450℃快速冷却。与现有压电膜相比，如此形成的压电膜厚度小，而且表现出很大的压电常数，从而能够可靠地执行其有效微处理。
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公开(公告)号：CN1660579A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052153.1
申请日：2005-02-25
CPC classification number: H01G4/1227 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01G4/10 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种依次设置了基板、下部电极层、电介质层和上部电极层的电介质元件，其特征在于：所述电介质层具有主成分为氧化物且位于上述下部电极层一侧的第一电介质层和主成分为氧化物且位于上述上部电极层一侧的第二电介质层，所述第二电介质层比所述第一电介质层厚，在所述第一电介质层的25℃的相对介电常数为ε1、所述第二电介质层的25℃的相对介电常数为ε2时，满足下述的式(1)ε1/ε2≥0.9 ……(1)。
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公开(公告)号：CN1338377A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN01124891.2
申请日：2001-06-21
IPC: B41J2/14 , B41J2/16 , H01L41/083 , H01L41/187
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电元件结构,包括一个支承衬底。和一个支承在所述支承衬底上压电腊,其中压电膜包含第一层、和具有锆的第二层,每一层具有钙钛矿结构,并且彼此接触形成或通过中间层层压,薄膜形成时的温度为500℃或更高以提供所述压电膜,为了形成薄膜,以30℃/min或更快的冷却速度从薄膜形成温度到至少450℃快速冷却。与现有压电膜相比,如此形成的压电膜厚度小,而且表现出很大的压电常数,从而能够可靠地执行其有效微处理。
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公开(公告)号：CN1181977C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN02121709.2
申请日：2002-02-09
CPC classification number: B41J2/1628 , B41J2/161 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , Y10T29/42 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49401
Abstract: 一压电结构，包括：一个振动板；一个压电膜；该振动板包括由单晶材料、多晶体材料，掺有与构成单晶材料的元素不同的元素的单晶材料，或者掺有与构成多晶体材料的元素不同的元素的多晶材料构成的一层，并且包括将前述层夹在中间的氧化层，该压电膜具有单一取向的晶体或单晶结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100402292C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200510052153.1
申请日：2005-02-25
CPC classification number: H01G4/1227 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01G4/10 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种依次设置了基板、下部电极层、电介质层和上部电极层的电介质元件，其特征在于：所述电介质层具有主成分为氧化物且位于上述下部电极层一侧的第一电介质层和主成分为氧化物且位于上述上部电极层一侧的第二电介质层，所述第二电介质层比所述第一电介质层厚，在所述第一电介质层的25℃的相对介电常数为ε1、所述第二电介质层的25℃的相对介电常数为ε2时，满足下述的式(1)ε1/ε2≥0.9……(1)。
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公开(公告)号：CN1660578A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052152.7
申请日：2005-02-25
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种电介质元件，其在第一电介质层和第二电介质层之间设置有电介质层，电介质层具有组成相互不同的第一电介质层和第二电介质层，在第一电介质层和第二电介质层的边界附近，第一电介质层的至少一种成分的组成在第一电介质层的厚度方向上发生变化。
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公开(公告)号：CN1380187A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02121709.2
申请日：2002-02-09
CPC classification number: B41J2/1628 , B41J2/161 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , Y10T29/42 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49401
Abstract: 一压电结构,包括:一个振动板;一个压电膜;该振动板包括由单晶材料、多晶体材料,掺有与构成单晶材料的元素不同的元素的单晶材料,或者掺有与构成多晶体材料的元素不同的元素的多晶材料构成的一层,并且包括将前述层夹在中间的氧化层,该压电膜具有单一取向的晶体或单晶结构。
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公开(公告)号：CN105272231A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510287878.2
申请日：2015-05-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C04B35/49
CPC classification number: B08B7/02 , B41J2/14201 , B41J2002/14258 , B41J2202/03 , G02B7/09 , G02B27/0006 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/0973 , H01L41/1871 , H02N2/106 , H02N2/163 , H04N5/2171 , H04N5/2254 , Y10T29/43
Abstract: 本发明提供不含铅并且在器件运转温度范围内具有优异且稳定的压电性能的压电材料。为了该目的的本发明是压电材料，其包括：含有由下述通式(1)表示的钙钛矿金属氧化物的主要成分、含有Mn的第一辅助成分、和含有电荷歧化为三价和五价的Bi的第二辅助成分，其中含有的Mn的量为0.0020摩尔-0.0150摩尔，相对于1摩尔的该金属氧化物，并且含有的Bi的量为0.0004摩尔-0.0085摩尔，相对于1摩尔的该金属氧化物。Baa(Ti1-xZrx)O3 (1)(其中0.020≤x≤0.130和0.996≤a≤1.030)。
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公开(公告)号：CN105272230A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510284910.1
申请日：2015-05-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B08B7/02 , B41J2/14233 , B41J2/14274 , B41J2/161 , B41J2/1612 , B41J2/1632 , B41J2/1637 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , G02B7/10 , G02B27/0006 , H01L41/0471 , H01L41/1871 , H01L41/257 , H01L41/273 , H01L41/43 , H02N2/103 , Y10T29/43
Abstract: 公开了压电材料、压电元件、压电元件制造方法和电子设备。本发明能够提供在室温范围内具有高压电常数的无铅压电材料。为此，本发明是一种压电材料，包括包含由以下通式(1)表示的钙钛矿型金属氧化物的主成分、含Mn的第一辅助成分和含三价Bi的第二辅助成分，Baa(Ti1-xZrx)O3(1)其中0.02≤x≤0.13并且0.986≤a≤1.02，其中，所含Mn的量是相对于1摩尔的金属氧化物的0.0020摩尔以上且0.0150摩尔以下，并且所含Bi的量是相对于1摩尔的金属氧化物的0.00042摩尔以上且0.00850摩尔以下。
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