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公开(公告)号：CN1956234A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610126135.8
申请日：2006-08-23
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/472 , C04B35/499 , B41J2/045 , B41J2/14 , C30B25/06
Abstract: 由ABO3表示的单晶结构或单一取向晶体结构的钙钛矿型氧化物，其中A位包括Pb作为主要组分、B位包括多种元素，该钙钛矿型氧化物包括多种选自四方晶系、六方晶系、斜方晶系、立方晶系、准立方晶系(pseudo cubic)和单斜晶系的晶相，多种晶相在 方向上取向。
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公开(公告)号：CN101258620B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200680032356.7
申请日：2006-09-05
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , H01L41/0805 , H01L41/1875 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供了一种压电膜、一种压电膜元件、一种使用该压电膜元件的液体排出头和一种液体排出装置。通过使用由根据通式ABO3构成的钙钛矿复合氧化物所组成的外延氧化物膜作为压电膜而得到压电膜元件，该压电膜元件可适用于液体排出头的排出压力生成元件。该外延氧化物膜至少具有相对于彼此具有晶向偏离的A晶畴和B晶畴。A晶畴和B晶畴之间的晶向偏离小于2°。
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公开(公告)号：CN100495753C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610126135.8
申请日：2006-08-23
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/472 , C04B35/499 , B41J2/045 , B41J2/14 , C30B25/06
Abstract: 由ABO3表示的单晶结构或单一取向晶体结构的钙钛矿型氧化物，其中A位包括Pb作为主要组分、B位包括多种元素，该钙钛矿型氧化物包括多种选自四方晶系、六方晶系、斜方晶系、立方晶系、准立方晶系(pseudo cubic)和单斜晶系的晶相，多种晶相在 方向上取向。
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公开(公告)号：CN101258620A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032356.7
申请日：2006-09-05
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , H01L41/0805 , H01L41/1875 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供了一种压电膜、一种压电膜元件、一种使用该压电膜元件的液体排出头和一种液体排出装置。通过使用由根据通式ABO3构成的钙钛矿复合氧化物所组成的外延氧化物膜作为压电膜而得到压电膜元件，该压电膜元件可适用于液体排出头的排出压力生成元件。该外延氧化物膜至少具有相对于彼此具有晶向偏离的A晶畴和B晶畴。A晶畴和B晶畴之间的晶向偏离小于2°。
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公开(公告)号：CN100564313C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610121595.1
申请日：2006-08-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C04B35/472 , C04B35/491 , H01L41/187
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1646 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 一种压电物质，其特征在于，压电物质的主要成分是PZT，其具有用Pb(ZrxTi1-x)O3(1)表示的钙钛矿型结构(x表示化学式中Zr和Ti的元素比Zr/(Zr+Ti))，该压电物质的Pb，Zr和Ti的元素比Pb/(Zr+Ti)为1.05或者更大，Zr和Ti的元素比Zr/(Zr+Ti)为0.2-0.8(含)，并且压电物质的居里温度Tc和在压电物质的Zr和Ti元素比下块体的居里温度Tc0满足关系Tc＞Tc0+50℃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1660578A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052152.7
申请日：2005-02-25
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种电介质元件，其在第一电介质层和第二电介质层之间设置有电介质层，电介质层具有组成相互不同的第一电介质层和第二电介质层，在第一电介质层和第二电介质层的边界附近，第一电介质层的至少一种成分的组成在第一电介质层的厚度方向上发生变化。
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公开(公告)号：CN100457458C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510004145.X
申请日：2005-01-07
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种介电体元件及其制造方法。使用该介电体元件的压电元件、喷墨头。其中，在用来制造介电体层的成膜用的通用基板上设置优先取向或单轴取向的晶体结构的介电体层。在基板上依此设置第1电极层、第2电极层及介电体层；这些层具有优先取向或单轴取向；基于上述第1电极层、上述第2电极层及上述介电体层的优先取向轴或单轴取向轴的X射线衍射测定得到的峰，根据伪沃伊特函数拟合得到的半高宽分别处于特定的范围，即使是使用成膜用的通用基板也可以稳定地获得所希望的品质的介电体层。
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公开(公告)号：CN1944333A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610121595.1
申请日：2006-08-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C04B35/472 , C04B35/491 , H01L41/187
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1646 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 一种压电物质，其特征在于，压电物质的主要成分是PZT，其具有用Pb(ZrxTi1－x)O3(1)表示的钙钛矿型结构(x表示化学式中Zr和Ti的元素比Zr/(Zr+Ti))，该压电物质的Pb，Zr和Ti的元素比Pb/(Zr+Ti)为1.05或者更大，Zr和Ti的元素比Zr/(Zr+Ti)为0.2－0.8(含)，并且压电物质的居里温度Tc和在压电物质的Zr和Ti元素比下块体的居里温度Tc0满足关系Tc＞Tc0+50℃。
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公开(公告)号：CN100590902C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200480003112.7
申请日：2004-01-30
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/24 , B41J2/045 , B41J2/055
CPC classification number: H01L41/41 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 一种包括上电极、压电和/或电致伸缩材料和下电极的压电元件，其特征在于，压电和/或电致伸缩材料是由通式ABO3构成的复合氧化物，并且该压电和/或电致伸缩材料具有孪晶。
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公开(公告)号：CN101051668A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710091634.2
申请日：2007-04-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , H01L41/0478 , H01L41/0973 , H01L41/316 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 提供了一种压电元件的制造方法，通过此方法，即使在高温下烘烤堆叠在衬底上的电极和压电膜，电极也不会氧化，并且可以抑制衬底、电极和压电膜之间的相互扩散。该电极被适配为叠层体，该叠层体从衬底侧起包括导电氧化物层、具有导电氧化物和导电金属的混合层以及包括导电金属的导电金属层，并且上述混合层被适配为渐变成分结构，其中导电氧化物的比例在与导电氧化物层的界面处最高，在与导电金属层的界面处最低。
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