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公开(公告)号：CN103176353A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310054677.9
申请日：2008-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/20
Abstract: 一种含有聚合物的化学放大负性抗蚀剂组合物，所述聚合物包含重复的羟基苯乙烯单元和其上具有吸电子取代基的重复苯乙烯单元。在形成一种具有小于0.1μm微细特征尺寸的图案中，组合物表现出高的分辨率，由组合物形成的抗蚀涂层可以处理成这种微细尺寸图案而将图案特征之间桥连接的形成最小化。
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公开(公告)号：CN103135362A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210599017.4
申请日：2012-11-21
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光图案曝光方法，光掩模及光掩模坯料。光图案曝光方法是通过光掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。光掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的光学膜的图案，过渡金属、硅、氮和氧的含量在特定范围内。光掩模可被ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射过。
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公开(公告)号：CN101625523A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910140186.X
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392
Abstract: 本发明是提供一种光阻图案的形成方法，其特征在于：在具有被酸分解性基保护的羟基的苯乙烯单元、与茚单元或苊烯单元的聚合物中，使用重量平均分子量为4000至7000、特别是4500至5500的聚合物作为化学增幅型光阻组合物的基质聚合物而成的光阻组合物，来形成至少线宽为65纳米以下的图案。目前线边缘粗糙度是被要求解决的课题之一，但是通过酸产生剂或碱性化合物来解决时，在与解像性之间会产生对立。依照本发明，能够提供一种光阻图案的形成方法，其是关于将具有高解像性的被酸不稳定基保护的羟基苯乙烯等作为基质聚合物的光阻组合物，能够抑制线边缘粗糙度，来提供65纳米以下的图案规则(pattern rule)光阻图案。
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公开(公告)号：CN107272328A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710224861.1
申请日：2017-04-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/66 , H01L21/673
CPC classification number: G03F1/66 , G03F1/60 , H01L21/67359 , H01L21/67376 , H01L21/67393
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能抑制对抗蚀剂图案的影响且能保管、输送光掩模坯基板的光掩模坯基板收纳容器。为此，提供一种光掩模坯基板收纳容器，其特征在于，具备：内部构件，其具有内部盒体与保持构件；容器本体，其具有下箱与上盖；及，密封带；容器本体和内部构件由高分子系材料构成，该高分子系材料在采取0.1g样品时在以40℃保持60分钟的情况下释放的排气成分中，根据气相色谱质谱仪检测到的排气总量以正十四烷换算为1.9×103ng以下，密封带在采取10mm×10mm尺寸的样品时在以150℃保持10分钟的情况下释放的排气成分中，根据气相色谱质谱仪检测到的排气总量以正十四烷换算为1.8×103ng以下。
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公开(公告)号：CN101846876B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010148960.4
申请日：2010-03-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101477307B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200810154778.2
申请日：2008-06-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0392
Abstract: 光掩模坯料具有抗蚀膜，该抗蚀膜包含(A)基础树脂，(B)产酸剂，和(C)碱性化合物。该抗蚀膜进一步包含(D)聚合物，该聚合物包含具有侧链的重复单元，该侧链带有氟化烃基，该氟化烃基包含与羟基键合的碳原子和与该碳原子键合的邻近碳原子，该邻近碳原子总计至少有两个与其键合的氟原子。聚合物(D)的加入确保整个抗蚀膜的均匀显影，能形成具有高CD均匀性的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN101846876A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010148960.4
申请日：2010-03-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。
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公开(公告)号：CN1825206A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610059991.6
申请日：2006-01-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , C08L25/18 , C08L2666/04
Abstract: 本发明提供了一种负型抗蚀剂组合物，其包含一种包含具有式(1)的重复单元的聚合物、一种光致酸生成剂和一种交联剂。在式(1)中，X是烷基或烷氧基，R1和R2是H、OH、烷基、可取代的烷氧基或卤素，R3和R4是H或CH3，n是1至4的整数，m和k是1至5的整数，p、q和r是正数。该组合物具有高的曝光前后的碱溶解率对比、高灵敏度、高分辨率和良好的蚀刻性。
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公开(公告)号：CN104698737B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201510140000.6
申请日：2011-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100‑6×CM/100>1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。
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公开(公告)号：CN102402117B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110348752.3
申请日：2011-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100-6×CM/100＞1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。
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