-
公开(公告)号：CN108400157B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201810104358.7
申请日：2018-02-02
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金泽大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于所述方法的衬底基板，其对于减低包含位错缺陷等的各种缺陷是有效的。上述衬底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜的衬底基板，其特征在于：前述衬底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。
-
公开(公告)号：CN108400157A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810104358.7
申请日：2018-02-02
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金泽大学
CPC classification number: C30B25/20 , C23C16/0281 , C23C16/272 , C30B25/105 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/04 , H01L21/00 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02491 , H01L21/02499 , H01L21/02502 , H01L21/02516 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02634 , H01L29/04 , H01L21/02617
Abstract: 本发明的目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于所述方法的衬底基板，其对于减低包含位错缺陷等的各种缺陷是有效的。上述衬底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜的衬底基板，其特征在于：前述衬底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。
-
公开(公告)号：CN115336006A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024306.9
申请日：2021-04-12
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金泽大学
Abstract: 本发明的课题在于提供一种不具有漂移层的适于高耐压的新的半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于具有：第1导电型的第1半导体层，形成为p型及n型中的任一导电型；源极部，以与所述第1半导体层相接的方式配置，且形成为所述导电型与所述第1导电型不同的第2导电型的半导体部；源极电极，与所述源极部欧姆接触而配置；栅极电极，介隔栅极绝缘膜而配置在所述第1半导体层的任一个面上，且利用施加电场能够在所述第1半导体层中与所述栅极绝缘膜的接触面附近的区域形成反转层；所述第1导电型的第2半导体层，以与所述反转层相接的方式配置；以及漏极电极，与所述反转层分开并且与所述第2半导体层肖特基接触而配置。
-
公开(公告)号：CN107130293B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710103267.7
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金沢大学
Abstract: 本发明提供一种制造转位缺陷为少，抑制异常成长粒子的发生的金刚石基板的制造方法。该金刚石基板的制造方法的特征包括，包括在基底表面上设置图案状的金刚石的第一工序；除去在该第一工序设置的图案状的金刚石的壁面上附着的异种附着物的第二工序；从所述在第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，在所述第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中形成金刚石的第三工序。
-
公开(公告)号：CN107130294B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710106146.8
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金沢大学
Abstract: 提供一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法，以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板。所述金刚石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的金刚石设置的第一工序，从第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中使金刚石形成的第二工序，上述第一工序设置的图案状的金刚石去除，第二工序形成的金刚石构成的图案状的金刚石形成的第三工序，从第三工序形成的图案状的金刚石使金刚石成长以及第三工序形成的图案状的金刚石中的图案间隙中金刚石形成的第四工序。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107130293A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710103267.7
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金沢大学
CPC classification number: C30B25/186 , C30B25/04 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02647 , H01L21/02658 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L29/1602 , C23C16/27 , C30B25/02 , C30B33/12
Abstract: 本发明提供一种制造转位缺陷为少，抑制异常成长粒子的发生的金刚石基板的制造方法。该金刚石基板的制造方法的特征包括，包括在基底表面上设置图案状的金刚石的第一工序；除去在该第一工序设置的图案状的金刚石的壁面上附着的异种附着物的第二工序；从所述在第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，在所述第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中形成金刚石的第三工序。
-
公开(公告)号：CN117480283A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280042067.4
申请日：2022-05-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: C30B29/04
Abstract: 本发明为一种金刚石基板的制造方法，其特征在于，其为通过微波等离子体CVD法、直流等离子体CVD法、热灯丝CVD法或电弧放电等离子体喷射CVD法，将氢稀释甲烷作为主原料气体，通过外延生长在基底基板上制造(111)取向金刚石晶体的方法，并将生长速度设为小于3.8μm/h。由此，可稳定地提供一种通过在于规定条件下进行CVD而获得的高取向(111)金刚石基底基板上，于相同的规定条件下进行CVD而获得的NV轴为[111]取向并具有高密度的NVC的、能够应用于电子磁性器件的金刚石晶体及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN107130294A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710106146.8
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金沢大学
CPC classification number: C30B25/04 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/02057 , H01L21/02085 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L21/3086 , H01L29/1602 , C30B25/02
Abstract: 提供一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法，以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板。所述金刚石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的金刚石设置的第一工序，从第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中使金刚石形成的第二工序，上述第一工序设置的图案状的金刚石去除，第二工序形成的金刚石构成的图案状的金刚石形成的第三工序，从第三工序形成的图案状的金刚石使金刚石成长以及第三工序形成的图案状的金刚石中的图案间隙中金刚石形成的第四工序。
-
公开(公告)号：CN104451868A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410478813.1
申请日：2014-09-18
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: C30B25/16 , C30B25/105 , C30B25/12 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/04
Abstract: 本发明提供在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上稳定地追加堆积气相合成单晶金刚石而制造高质量的单晶金刚石的方法。一种在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上追加堆积气相合成单晶金刚石的单晶金刚石的制造方法，其特征在于，包括以下工序：(1)测量晶种基板的平坦度的工序；(2)基于平坦度的测量结果，判定是否进行晶种基板的平坦化的工序；(3)以下两工序中之一，即，(3a)基于判定，对于需要平坦化的晶种基板，进行平坦化之后，追加堆积气相合成单晶金刚石的工序，(3b)基于判定，对于不需要平坦化的晶种基板，不进行平坦化而追加堆积气相合成单晶金刚石的工序。
-
公开(公告)号：CN104451868B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201410478813.1
申请日：2014-09-18
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: C30B25/16 , C30B25/105 , C30B25/12 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/04
Abstract: 本发明提供在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上稳定地追加堆积气相合成单晶金刚石而制造高质量的单晶金刚石的方法。一种在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上追加堆积气相合成单晶金刚石的单晶金刚石的制造方法，其特征在于，包括以下工序：(1)测量晶种基板的平坦度的工序；(2)基于平坦度的测量结果，判定是否进行晶种基板的平坦化的工序；(3)以下两工序中之一，即，(3a)基于判定，对于需要平坦化的晶种基板，进行平坦化之后，追加堆积气相合成单晶金刚石的工序，(3b)基于判定，对于不需要平坦化的晶种基板，不进行平坦化而追加堆积气相合成单晶金刚石的工序。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.07 seconds)
