-
公开(公告)号：CN116469939A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310566357.5
申请日：2023-05-18
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道结构氧化物晶体管的制备方法，属于集成电路领域。该氧化物晶体管包括衬底、栅电极、栅电极隔离层、栅介质、有源层、间隔层、源电极和漏电极，涉及单源漏电极结构和双源漏电极结构两种类型。该垂直结构氧化物晶体管有如下优点：一方面，充分利用栅电极和源漏电极对有源层载流子的调控能力，在施加偏压的情况下，有源层中形成两条电流输运路径，这种新型电流输运模式有利于提高迁移率和驱动电流，改善器件的电学性能；另一方面，制备工艺与传统集成电路工艺兼容，具有实施步骤简单、工艺温度低、技术迁移性强等优点，可作为先进集成电路的技术储备。因此，本发明有望实现高性能垂直沟道氧化物晶体管的规模化制备，推动基于氧化物晶体管的无电容DRAM和三维单片集成芯片的实际产品化，具有非常重要的应用价值。
-
公开(公告)号：CN114249305B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202011006224.5
申请日：2020-09-23
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: C01B19/04 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明涉及一种具有宽温域性能稳定的碲化铋基热电薄膜及其制备方法，通过先在衬底上沉积上一层热电薄膜，再在控制条件下对热电薄膜进行原位退火处理，最后对所述退火处理后的热电薄膜进行阶梯性循环退火处理，最终制得具有宽温域稳定性的热电薄膜材料，取向结构的变化有利于提升材料的热电性能，对热电薄膜进行原位退火处理，使得薄膜材料可以在生长环境中充分生长，同时缓解薄膜内部应力和膜基应力，增强薄膜材料的结构稳定性，阶梯性退火过程有利于针对不同取向结构的热电材料的结构特点，对材料的载流子输运性能进行调控，因此所述碲化铋基热电薄膜材料可实现在提升热电性能的情况下，实现薄膜材料在宽温域范围内具有较好的性能和稳定性。
-
公开(公告)号：CN118731881A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410801999.3
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01S7/41 , G01S13/90 , G06V20/10 , G06V10/26 , G06V10/28 , G06V10/764 , G06V10/774
Abstract: 本发明涉及逆合成孔径雷达成像及雷达信号处理技术领域，具体涉及一种适用于ISAR学习成像的伪测量数据生成方法。该方法包括构建语义分割网络模型，并进行预训练；将包含目标类别的图片输入预训练后的语义分割网络模型，生成目标轮廓图片；对生成的目标轮廓图片依次进行二值化和网格化处理，得到网格化的二值目标轮廓图片；采用随机地形生成算法在网格化的二值目标轮廓图片的目标轮廓内部生成随机块，生成目标伪测量数据。本发明不仅模拟了目标的基本形状，还能够在几何轮廓内随机生成与真实测量数据类似的散射分布，从而为基于数据驱动的ISAR成像方法提供更加丰富和真实的图像数据，有效提升ISAR学习成像技术的实用性和精度。
-
公开(公告)号：CN110707213B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201911145732.9
申请日：2019-11-21
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种具有高耐压自限流性能的阻变型选通器及其制备方法，所述的阻变型选通器，结构包括从底部至顶部依次设置的衬底、底电极薄膜、功能层薄膜和顶电极薄膜，且所述底电极薄膜的面积大于所述功能层薄膜的面积；每层材料薄膜层之间没有其他材料，相邻薄膜层之间通过一定程度的相互扩散形成多级次功能层，使所述阻变型选通器在高电压下仍保持低电流值，可有效抑制阻变器件集成阵列中的串扰电流；改善功能层薄膜在真空状态下沉积得到的成分偏析问题，使高电阻状态更稳定。使底电极薄膜与功能层薄膜之间形成一种特殊的材料界面效应，在大电压下将通过该选通器的电流稳定在一个极低的固定值，形成自限流效应，省略外加钳位电流。
-
公开(公告)号：CN111926299A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010776036.4
申请日：2020-08-05
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有表面界面调控作用的多级次Cu膜及其制备方法，通过先在衬底上沉积上一层超薄铜膜，再在控制条件下对超薄铜膜进行退火处理，最后在退火处理后的超薄铜膜表面再沉积一层铜膜，最终制得具有表面界面调控作用的多级次Cu膜；本发明所述多级次Cu膜的微纳复合结构的表面积和极性发生变化，导致表面对非极性气体或水蒸气的吸附特性发生转变，所述Cu膜可实现不采用表面修饰材料的情况下由超亲水到超疏水表面的可控调节，表面接触角在6度到152度之间转换；本发明所述多级次微纳复合结构为纳米团簇与纳米颗粒的复合、纳米颗粒与纳米孔洞或纳米团簇与纳米线的复合，在基本不改变材料的电学和热学性能的情况下，实现材料表面能的调控。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111175631A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811337347.X
申请日：2018-11-12
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及一种利用机器学习动态计算高速互连通道的孔洞率并判定该互连通道能否自动修复部分孔洞的方法。用机器学习训练数据得到互连通道的误码率和空洞率之间的拟合函数，在已知误码率的条件下通过该拟合函数便可计算出空洞率。本发明提出了一种新的动态计算互连通道的空洞率的方法，避免了传统切割法对通道结构的损坏。本发明还提出了一种新的互连通道检测策略，可以计算出能自动修复部分空洞的互连通道，提高了互连通道的利用率，提升了整个互连通道阵列的传输性能，延长了互连通道阵列的工作寿命，进而延长了整个电子设备的使用寿命，减少经济损失。
-
公开(公告)号：CN110620097A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201810634826.1
申请日：2018-06-20
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L23/48
Abstract: 本发明涉及一种三维集成电路芯片中冗余硅通孔的容错结构和方法，其目的是通过重构冗余结构对缺陷TSV进行容错，使芯片恢复正常工作。本发明公开了一种双重冗余容错结构，具体为根据数据位宽的大小将TSV阵列动态划分成若干个TSV簇单元，在TSV簇单元中包含信号TSV簇单元和冗余TSV簇单元，且在每个信号TSV簇单元中配备一定比例的冗余TSV结构，即在TSV阵列中既存在分散冗余TSV容错结构又存在聚集的冗余TSV容错结构。本发明公开的双重冗余容错结构可以根据数据位宽进行重构，具有较高的灵活性，该结构既能实现单独分散出现的TSV缺陷的容错又能实现TSV簇缺陷的容错，大大提高了三维集成电路芯片的容错能力，进一步提高了芯片的可靠性。
-
公开(公告)号：CN101593863B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200910087815.7
申请日：2009-06-26
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可调微波带通滤波器，是在微波电路衬底上设置一具备双谐振模态的环形谐振器及相应的输入耦合单元、输出耦合单元和扰动单元，在谐振器上镜像对称放置偶数个微机械桥膜来调节中心频率，在扰动单元上放置一个或多个的微机械桥膜来调节带宽。该滤波器利用了微机械桥膜电容加载结构产生的可变电容效应对双模谐振器及其扰动结构进行加载，可以以较少数量的微机械桥膜和较小的芯片面积占用来实现通带中心频率和通带带宽等滤波特性的调节；与现有的双模滤波器和微机械可调带通滤波器相比，结构更灵活，工艺复杂度降低，器件总体性能更好，同时适用于基于平面传输线和片上波导的滤波器件。
-
公开(公告)号：CN110516272B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810708362.4
申请日：2018-07-02
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G06F30/30 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及一种三维集成电路缺陷TSV的动态自修复方法和装置。修复电路分为主端修复电路和从端修复电路，主端修复电路用于配置修复路径，从端修复电路用于恢复修复后的数据信号。当缺陷TSV的数量小于或等于冗余TSV数量时，应用冗余容错修复(硬修复)对其进行修复。否则，先对缺陷TSV进行冗余容错修复(硬修复)，再将剩余缺陷TSV进行并串‑串并转换修复(软修复)。本发明避免了传统修复方案中修复率高低取决于冗余TSV数量的弊端，增加了修复路径的选择，进而提高了缺陷TSV被修复的可能性。通过重构电路来修复由于工作环境及芯片老化率等因素影响下的TSV数据通道缺陷问题，有利于延长芯片的工作寿命，减少经济损失。
-
公开(公告)号：CN114249305A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011006224.5
申请日：2020-09-23
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有宽温域性能稳定的碲化铋基热电薄膜及其制备方法，通过先在衬底上沉积上一层热电薄膜，再在控制条件下对热电薄膜进行原位退火处理，最后对所述退火处理后的热电薄膜进行阶梯性循环退火处理，最终制得具有宽温域稳定性的热电薄膜材料，取向结构的变化有利于提升材料的热电性能，对热电薄膜进行原位退火处理，使得薄膜材料可以在生长环境中充分生长，同时缓解薄膜内部应力和膜基应力，增强薄膜材料的结构稳定性，阶梯性退火过程有利于针对不同取向结构的热电材料的结构特点，对材料的载流子输运性能进行调控，因此所述碲化铋基热电薄膜材料可实现在提升热电性能的情况下，实现薄膜材料在宽温域范围内具有较好的性能和稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.027 seconds)
