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公开(公告)号：CN102116899A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201110051175.1
申请日：2011-03-03
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明提供了一种α-Fe2O3/Si孔状光子晶体，包括α-Fe2O3材料和Si衬底，其中，α-Fe2O3材料呈六角形格点周期性排列在Si衬底上。本发明还提供了所述α-Fe2O3/Si孔状光子晶体的制备方法及其光学衍射应用。本发明通过选择恰当的材料，对介电常数进行调整，从而构造二维光子晶体，成本低，制备快速且安全。
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公开(公告)号：CN101955752A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010507800.4
申请日：2010-10-15
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种具有束状纳米结构的VO2相变材料，其特征在于，其长度为18-25，直径为3-5，其中，纳米束晶体由直径为10-30nm的VO2纳米线定向聚合组成。本发明生成的VO2晶体具有特殊的束状纳米结构，粗细均匀，长度一致，且具有相变特性。本发明还公开了该材料的制备方法。本发明具有成本低，生长条件简单，重复性高，杂质少等优点，在纳米光电子领域和智能温控节能领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103762133B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410028270.3
申请日：2014-01-22
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种三维VS2/ZnO复合纳米结构及制备方法，其包括VS2纳米薄片和ZnO纳米颗粒，以所述VS2纳米薄片为骨架，所述ZnO纳米颗粒均匀分布在所述VS2纳米薄片的表面与边缘，形成所述三维VS2/ZnO复合纳米结构。本发明还提供了基于此三维VS2/ZnO复合纳米结构的柔性增强PET(聚对苯二甲酸乙二酯)衬底场电子发射阴极材料及制备方法。本发明制备方法具有成本低，制备条件简单，重复性高，杂质少等优点。本发明柔性三维VS2/ZnO纳米复合结构及场电子发射阴极材料结晶性高，结构稳定，比表面积大，边缘超薄，具有优秀柔性场电子发射性能。
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公开(公告)号：CN103762133A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410028270.3
申请日：2014-01-22
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种三维VS2/ZnO复合纳米结构及制备方法，其包括VS2纳米薄片和ZnO纳米颗粒，以所述VS2纳米薄片为骨架，所述ZnO纳米颗粒均匀分布在所述VS2纳米薄片的表面与边缘，形成所述三维VS2/ZnO复合纳米结构。本发明还提供了基于此三维VS2/ZnO复合纳米结构的柔性增强PET(聚对苯二甲酸乙二酯)衬底场电子发射阴极材料及制备方法。本发明制备方法具有成本低，制备条件简单，重复性高，杂质少等优点。本发明柔性三维VS2/ZnO纳米复合结构及场电子发射阴极材料结晶性高，结构稳定，比表面积大，边缘超薄，具有优秀柔性场电子发射性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101955752B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201010507800.4
申请日：2010-10-15
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种具有束状纳米结构的VO2相变材料，其特征在于，其长度为18-25，直径为3-5，其中，纳米束晶体由直径为10-30nm的VO2纳米线定向聚合组成。本发明生成的VO2晶体具有特殊的束状纳米结构，粗细均匀，长度一致，且具有相变特性。本发明还公开了该材料的制备方法。本发明具有成本低，生长条件简单，重复性高，杂质少等优点，在纳米光电子领域和智能温控节能领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102502825A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110360468.8
申请日：2011-11-15
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种杨梅状V2O5纳米结构，包括自中心衍生生长出的一维V2O5纳米线，所述杨梅状V2O5纳米材料为斜方晶系结构，晶格常数为a=11.516Å,b=3.566Å,c=4.373Å。本发明还公开了一种杨梅状V2O5纳米结构的制备方法，以偏钒酸铵溶液和H2O2为反应溶液，聚乙烯吡咯烷酮为表面活化剂，于密封的高压釜中反应得到。本发明制备方法操作简便，成本低，高重复性，可适用于大规模的工业生产；所制备的V2O5纳米材料杂质少，在纳米光电子领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101955751A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010507799.5
申请日：2010-10-15
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种杨桃状VO2组成的多孔纳米板相变材料，该多孔纳米板相变材料是由杨桃状VO2纳米结构相互间结合、嵌套生长而构成，其厚度为1-5个微米左右，长宽尺度的范围为10－60微米。本发明还公开了该多孔纳米板相变材料的制备方法。本发明杂质少，操作简便，成本低，高重复性，可适用于大规模的工业生产，在纳米光电子领域和智能温控节能领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103274443A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310141259.3
申请日：2013-04-22
Applicant: 华东师范大学
IPC: C01G3/02 , C01G9/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0336
Abstract: 本发明公开一种四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料，包括硅片衬底及生长在所述硅片上的四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构；其中，所述Cu2O-ZnO复合纳米结构由Cu2O微米颗粒和ZnO纳米颗粒组成，所述Cu2O微米颗粒具有四角树叶状结构，所述ZnO纳米颗粒覆盖在所述Cu2O微米颗粒表面。本发明还公开了四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料的制备方法。本发明制备方法操作简单，所得到的Cu2O-ZnO异质纳米结构的光能利用率显著提高。
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公开(公告)号：CN103204536A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310118899.2
申请日：2013-04-08
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种三维Cu2S@ZnO纳米异质结构半导体材料，包括ZnO纳米颗粒晶体及Cu2S纳米花结构基底材料，ZnO纳米颗粒晶体均匀覆盖在Cu2S纳米花结构基底材料上；Cu2S纳米花结构基底材料由Cu2S纳米薄片构成；ZnO纳米颗粒晶体与Cu2S纳米花结构基底材料的界面处具有P-N结。本发明还公开三维Cu2S@ZnO纳米异质结构半导体材料的制备方法，利用水热合成法分别合成Cu2S纳米花晶体和ZnO纳米颗粒晶体，以PEI作为协助材料使ZnO纳米颗粒均匀地复合在Cu2S纳米薄片上，得到三维Cu2S@ZnO纳米异质结构半导体材料。本发明具有成本低，生长温度低，重复性高等优点，在场发射、光催化领域有着极大的发展应用潜力。
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