公开(公告)号：CN103762133B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201410028270.3

申请日：2014-01-22

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 宋长青 ,  郁可 ,  尹海宏 ,  朱自强

IPC: H01J1/308 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种三维VS2/ZnO复合纳米结构及制备方法，其包括VS2纳米薄片和ZnO纳米颗粒，以所述VS2纳米薄片为骨架，所述ZnO纳米颗粒均匀分布在所述VS2纳米薄片的表面与边缘，形成所述三维VS2/ZnO复合纳米结构。本发明还提供了基于此三维VS2/ZnO复合纳米结构的柔性增强PET(聚对苯二甲酸乙二酯)衬底场电子发射阴极材料及制备方法。本发明制备方法具有成本低，制备条件简单，重复性高，杂质少等优点。本发明柔性三维VS2/ZnO纳米复合结构及场电子发射阴极材料结晶性高，结构稳定，比表面积大，边缘超薄，具有优秀柔性场电子发射性能。

公开(公告)号：CN103762133A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410028270.3

申请日：2014-01-22

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 宋长青 ,  郁可 ,  尹海宏 ,  朱自强

IPC: H01J1/308 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种三维VS2/ZnO复合纳米结构及制备方法，其包括VS2纳米薄片和ZnO纳米颗粒，以所述VS2纳米薄片为骨架，所述ZnO纳米颗粒均匀分布在所述VS2纳米薄片的表面与边缘，形成所述三维VS2/ZnO复合纳米结构。本发明还提供了基于此三维VS2/ZnO复合纳米结构的柔性增强PET(聚对苯二甲酸乙二酯)衬底场电子发射阴极材料及制备方法。本发明制备方法具有成本低，制备条件简单，重复性高，杂质少等优点。本发明柔性三维VS2/ZnO纳米复合结构及场电子发射阴极材料结晶性高，结构稳定，比表面积大，边缘超薄，具有优秀柔性场电子发射性能。

公开(公告)号：CN103204536A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310118899.2

申请日：2013-04-08

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 李守川 ,  郁可 ,  汪阳 ,  宋长青 ,  尹海宏 ,  朱自强

IPC: C01G3/12 ,  C01G9/02 ,  B01J27/04 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种三维Cu2S@ZnO纳米异质结构半导体材料，包括ZnO纳米颗粒晶体及Cu2S纳米花结构基底材料，ZnO纳米颗粒晶体均匀覆盖在Cu2S纳米花结构基底材料上；Cu2S纳米花结构基底材料由Cu2S纳米薄片构成；ZnO纳米颗粒晶体与Cu2S纳米花结构基底材料的界面处具有P-N结。本发明还公开三维Cu2S@ZnO纳米异质结构半导体材料的制备方法，利用水热合成法分别合成Cu2S纳米花晶体和ZnO纳米颗粒晶体，以PEI作为协助材料使ZnO纳米颗粒均匀地复合在Cu2S纳米薄片上，得到三维Cu2S@ZnO纳米异质结构半导体材料。本发明具有成本低，生长温度低，重复性高等优点，在场发射、光催化领域有着极大的发展应用潜力。

公开(公告)号：CN104445361A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410614142.7

申请日：2014-11-04

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 郁可 ,  宋长青 ,  李守川 ,  朱自强

IPC: C01G3/12 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01G3/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/30 ,  C01P2004/64

Abstract: 本发明公开了一种自镶嵌三维Cu2S纳米结构及其制备方法，以一次水热法合成的纳米片自组装Cu2S球状纳米结构为骨架，以二次水热法合成的Cu2S纳米薄片均匀分布在所述Cu2S球状纳米结构的纳米片表面与边缘，形成所述自镶嵌三维Cu2S纳米结构。本发明还提供了基于自镶嵌三维Cu2S纳米结构的场电子发射阴极材料及其制备方法。本发明制备方法具有成本低、制备条件简单、重复性高、杂质少等优点。本发明自镶嵌三维Cu2S纳米结构及场电子发射阴极材料结晶性高，结构稳定，比表面积大，边缘超薄，具有优良的场电子发射性能。

公开(公告)号：CN103274443A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310141259.3

申请日：2013-04-22

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 汪阳 ,  郁可 ,  李守川 ,  尹海宏 ,  宋长青 ,  朱自强

IPC: C01G3/02 ,  C01G9/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0336

Abstract: 本发明公开一种四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料，包括硅片衬底及生长在所述硅片上的四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构；其中，所述Cu2O-ZnO复合纳米结构由Cu2O微米颗粒和ZnO纳米颗粒组成，所述Cu2O微米颗粒具有四角树叶状结构，所述ZnO纳米颗粒覆盖在所述Cu2O微米颗粒表面。本发明还公开了四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料的制备方法。本发明制备方法操作简单，所得到的Cu2O-ZnO异质纳米结构的光能利用率显著提高。