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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104445361A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410614142.7
申请日：2014-11-04
Applicant: 华东师范大学
CPC classification number: C01G3/12 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/30 , C01P2004/64
Abstract: 本发明公开了一种自镶嵌三维Cu2S纳米结构及其制备方法，以一次水热法合成的纳米片自组装Cu2S球状纳米结构为骨架，以二次水热法合成的Cu2S纳米薄片均匀分布在所述Cu2S球状纳米结构的纳米片表面与边缘，形成所述自镶嵌三维Cu2S纳米结构。本发明还提供了基于自镶嵌三维Cu2S纳米结构的场电子发射阴极材料及其制备方法。本发明制备方法具有成本低、制备条件简单、重复性高、杂质少等优点。本发明自镶嵌三维Cu2S纳米结构及场电子发射阴极材料结晶性高，结构稳定，比表面积大，边缘超薄，具有优良的场电子发射性能。
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公开(公告)号：CN103274443A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310141259.3
申请日：2013-04-22
Applicant: 华东师范大学
IPC: C01G3/02 , C01G9/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0336
Abstract: 本发明公开一种四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料，包括硅片衬底及生长在所述硅片上的四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构；其中，所述Cu2O-ZnO复合纳米结构由Cu2O微米颗粒和ZnO纳米颗粒组成，所述Cu2O微米颗粒具有四角树叶状结构，所述ZnO纳米颗粒覆盖在所述Cu2O微米颗粒表面。本发明还公开了四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料的制备方法。本发明制备方法操作简单，所得到的Cu2O-ZnO异质纳米结构的光能利用率显著提高。
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公开(公告)号：CN103739001B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310752281.1
申请日：2013-12-31
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化亚铜微米环状结构半导体材料，其中包括片状物构成的层级结构和颗粒构成的多孔环状结构。本发明还公开了所述硫化亚铜微米环状结构半导体材料的制备方法，将无水乙醇和去离子水混合制备混合溶液，分别制备硫脲溶液和CuCl溶液，然后均匀混合；加入反应釜中，密封，在150℃下反应5小时；反应完成后，将反应物置于硅片上，在55℃下烘烤，得到所述硫化亚铜微米环状结构半导体材料。本发明具有低成本，生长温度较低，重复性较高的优点，在光催化工业污染废水方面和场发射发光方面有极大的潜力。
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公开(公告)号：CN103739001A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310752281.1
申请日：2013-12-31
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化亚铜微米环状结构半导体材料，其中包括片状物构成的层级结构和颗粒构成的多孔环状结构。本发明还公开了所述硫化亚铜微米环状结构半导体材料的制备方法，将无水乙醇和去离子水混合制备混合溶液，分别制备硫脲溶液和CuCl溶液，然后均匀混合；加入反应釜中，密封，在150℃下反应5小时；反应完成后，将反应物置于硅片上，在55℃下烘烤，得到所述硫化亚铜微米环状结构半导体材料。本发明具有低成本，生长温度较低，重复性较高的优点，在光催化工业污染废水方面和场发射发光方面有极大的潜力。
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公开(公告)号：CN103204536A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310118899.2
申请日：2013-04-08
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种三维Cu2S@ZnO纳米异质结构半导体材料，包括ZnO纳米颗粒晶体及Cu2S纳米花结构基底材料，ZnO纳米颗粒晶体均匀覆盖在Cu2S纳米花结构基底材料上；Cu2S纳米花结构基底材料由Cu2S纳米薄片构成；ZnO纳米颗粒晶体与Cu2S纳米花结构基底材料的界面处具有P-N结。本发明还公开三维Cu2S@ZnO纳米异质结构半导体材料的制备方法，利用水热合成法分别合成Cu2S纳米花晶体和ZnO纳米颗粒晶体，以PEI作为协助材料使ZnO纳米颗粒均匀地复合在Cu2S纳米薄片上，得到三维Cu2S@ZnO纳米异质结构半导体材料。本发明具有成本低，生长温度低，重复性高等优点，在场发射、光催化领域有着极大的发展应用潜力。
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