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公开(公告)号：CN118276402A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410339198.X
申请日：2024-03-25
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种用于基因测序双层孔结构纳米压印模板制造及压印方法，涉及纳米器件制造技术领域。主要包括以下步骤：1.在硅片表面镀一层金属硬掩模；2.激光直写灰度曝光得到双层结构；3.刻蚀金属，将下层结构转移到金属层中；4.深硅刻蚀，将下层结构刻入硅中；5.残胶去除，在胶层中去除下层结构；6.刻蚀金属，将上层结构转移到金属层中；7.深硅刻蚀，将上层结构刻入硅中；8.去除金属层和残胶，清洗模板；9.电镀制备金属工作模具；10.利用紫外光固化压印完成结构。本方法提供的整套工艺可以降低此类结构制造成本，避免双层结构套刻误差，提高结构的设计灵活性。
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公开(公告)号：CN115791862B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211656214.5
申请日：2022-12-22
Applicant: 南开大学
IPC: G01N23/2273
Abstract: 本发明属于XPS设备技术领域，公开了一种晶圆表面量测设备、检测方法及应用，包括：X射线源；环形能量分析器模块数据处理模块；实时监测模块；快速进样模块；传输模块；真空模块；加热模块；样品台模块。本发明通过提高光电子的收集立体角，大幅增加通过环形能量分析器的光电子的数量，可大幅提升设备对光电子信号的收集效率，避免多次重复扫描带来的时间消耗；可同时进行不同光谱、能谱分析、微区扫描，极大减少了检样时的步骤及时耗。本发明通过XPS检测通量的颠覆性提高，其可实现与光学方法接近量测速度，从而可以实现多重技术同步量测，大幅提高晶圆检测或量测的效率；极大提升了光电子的收集效率，可大幅缩减单个样品的检测时间。
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公开(公告)号：CN117737668A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311570252.3
申请日：2023-11-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种在亚铁磁合金中获得手性耦合的方法，属于新材料技术领域，包括以下步骤：1)采用直流磁控溅射技术在Si/SiO2衬底上沉积钽Ta作为种子层的步骤；2)在步骤1)的基础上，采用直流磁控溅射技术在Ta上沉积铂Pt作为重金属层的步骤；3)在步骤2)的基础上，采用磁性过渡金属或合金TM和稀土金属RE直流共溅射的方法在多层膜上制备TM‑RE亚铁磁合金的步骤；4)在步骤3)的基础上，采用直流磁控溅射技术在多层膜上沉积Ta作为覆盖层的步骤，最终得到亚铁磁多层膜。5)利用镓离子辐照改变亚铁磁多层膜的磁各向异性，构筑手性耦合磁结构。本发明利用该手性耦合可构筑基于亚铁磁的赛道存储器，有望在新型计算方面展现出比传统的铁磁系统更低功耗的应用潜力。
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公开(公告)号：CN118007101B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202410004481.7
申请日：2024-01-03
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种HZO铁电材料的制备方法，在基底上生长底电极，使用原子层沉积ALD在底电极上进行沉积，沉积完毕得非晶HZO薄膜，对HZO进行快速热退火，即得铁电薄膜，在退火过程中不需要顶电极辅助，即可获得鲁棒的铁电性。此外，通过在氧气下退火，将循环耐久性提高到了超1010个循环。通过优化HZO的生长工艺、退火工艺以及后续的电极层叠加方式，成功地提高了HZO的铁电极化和耐久性。该方法主要涉及到缺陷调控和界面工程技术，以改善HZO存在的缺陷，提高界面质量，从而降低漏电流和提高疲劳寿命。通过本方法，HZO薄膜展现出高达29μC/cm2的剩余极化强度与超过3×1010的循环性，提升了HZO的铁电性能，为其在高性能电子器件中的应用提供了可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119008361A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410926521.3
申请日：2024-07-11
Applicant: 南开大学
IPC: H01J35/10
Abstract: 一种高亮度X射线源阳极靶材，包括耐高温保护层、激发层、散热层、高导热层，其中激发层嵌在散热层设有的凹槽之中，或将激发层成矩阵嵌在散热层设有的凹槽中。凹槽下面接触高导热层，耐高温保护层覆盖在整个靶材表面，电子束打到整个靶材上激发出X射线。本发明靶材散热性能极好，能够承受大功率的电子束照射，从而激发大量X射线，并且该专利能够明显改善普通阳极靶材由于升华导致的寿命短和破坏真空度问题。
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公开(公告)号：CN118016490A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410360086.2
申请日：2024-03-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于电子发射技术领域，公开了一种背反式单色化X射线源装置及其使用方法，背反式单色化X射线源装置包括：电子枪、灯丝系统、分区阳极靶材、冷却系统、单色器系统；电子枪和单色器系统设置在装置外部，分区阳极靶材设置在装置内部，分区阳极靶材外侧设置有冷却系统，冷却系统外部环绕设置灯丝系统。本发明可实现X射线的单色化长距离聚发散照射和单色化微区照射，可在真空系统中快速更换X射线，大幅缩短检测时间，提升检测效率。
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公开(公告)号：CN117587380A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311544565.1
申请日：2023-11-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种使用分子层沉积制备晶圆级铝基‑烯二醇干式光刻胶的方法，使用铝源和烯二醇作为前驱体，进行分子层沉积，沉积后得到铝基‑烯二醇干式光刻胶，分子层沉积的具体步骤为：将铝源保持在室温，并将装有烯二醇的源瓶加热至60‑120℃，反应器的温度保持在80‑150℃，并使用20sccm的干燥氮气对反应进行吹扫，每个循环反应由两个半循环组成：(1)通入50毫秒铝源，氮气吹扫16秒；(2)通入150毫秒烯二醇，氮气吹扫25秒，体系压强在13pa，沉积厚度根据沉积的循环次数控制。本发明光刻胶厚度的控制可以精确到埃 级，且具其有超好的抗刻蚀性能，与硅的选择刻蚀比在80以上及良好的分辨率。
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公开(公告)号：CN117385456A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311205343.7
申请日：2023-09-19
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CVD的新型低功耗MnTe‑Cr1‑xTe异质结的制备方法，属于二维反铁磁‑铁磁材料领域。该新型低功耗MnTe‑Cr1‑xTe异质结的制备方法是以Te块和CrCl3、MnCl2粉末为原料，以氩气和微量氢气为载气，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述MnTe‑Cr1‑xTe异质结。该异质结制备方法，简单可控，经济快捷，所得异质结不仅厚度可控、晶体质量好，而且可以减小铁磁材料Cr1‑xTe的矫顽力，降低损耗，因此在自旋电子学领域具有重要研究价值。
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公开(公告)号：CN117580439A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311482415.2
申请日：2023-11-09
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种原位制备Cr1‑xTe晶态‑非晶异质结的方法，属于二维铁磁‑非磁材料领域。该新型Cr1‑xTe晶态‑非晶异质结的制备方法是以Te块和CrCl3粉末为原料，以氩气和微量氢气为载气，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积得到Cr1‑xTe晶态二维晶体之后，再进行原位低温Te化，即得到所述Cr1‑xTe晶态‑非晶异质结。该异质结制备方法，简单可控，经济快捷，所得异质结不仅厚度可控、实现铁磁和非磁材料间高质量界面的精确控制，而且可以显著提高Cr1‑xTe晶体材料的空气热稳定性。因此本研究不仅成功地解决了铁磁‑非磁异质结领域内长期存在的一些关键技术挑战，也提供了一种具有明显优势和广泛应用前景的新型制备方法，在自旋电子学领域具有重要研究价值。
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