公开(公告)号：CN110998452B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN201880051683.X

申请日：2018-07-25

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： B.威利-范艾尔德 ,  F.比杰柯克 ,  K.希尔德 ,  T.格鲁纳 ,  S.舒尔特 ,  S.韦勒

IPC: G03F7/20 ,  G02B27/00 ,  G21K1/06

Abstract: 本发明涉及一种反射镜，特别是微光刻投射曝光系统的反射镜，其包括反射镜基板(12、32、52)。该反射镜具有：反射层堆叠体(21、41、61)，用于将照射光学有效表面(11、31、51)的工作波长的电磁辐射反射；以及至少一个压电层(16、36、56)，其布置在反射镜基板和反射层堆叠体之间，且可以通过第一电极布置和第二电极布置向该至少一个压电层施加产生局部可变形变的电场，该第一电极布置(20、40、60)位于压电层的面向反射层堆叠体的一侧，并且该第二电极布置(14、34、54)位于压电层的面向反射镜基板的一侧。根据一个方面，提供支撑层(98)，该支撑层(98)与没有支撑层的类似设计相比，伴随着施加电场来减少压电层(96)到反射镜基板(92)中的下沉，并且因此增加了压电层(96)的有效挠曲。

公开(公告)号：CN112513739B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN201980049199.8

申请日：2019-05-16

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： T.格鲁纳 ,  J.哈特杰斯 ,  M.豪夫 ,  G.伯勒

IPC: G03F7/20 ,  G02B7/00 ,  G02B7/18 ,  G01J5/08 ,  G01J5/48

Abstract: 本发明涉及一种用于确定微光刻光学系统中的光学元件的加热状态的方法和设备，其中使用至少一个非接触传感器(330、430、531、532、533、534、631、632)，所述至少一个非接触传感器基于从所述光学元件(301、401、402、403、501、502、503、504、601)接收电磁辐射，并且其中，由所述传感器(330、430、531、532、533、534、631、632)捕获的辐射范围变化，以确定所述光学元件中的温度分布。

公开(公告)号：CN113589655B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202110718673.0

申请日：2016-07-05

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： W.B.J.哈克福特 ,  R.P.霍杰沃尔斯特 ,  P.T.罗格斯 ,  K.希尔德 ,  T.格鲁纳

IPC: G03F7/20

Abstract: 公开了一种光学系统以及操作光刻曝光设备的方法。所述光学系统包含至少一个反射镜布置，其包括多个反射镜元件，其邻近布置并且共同形成反射镜布置的反射镜表面。反射镜的多层布置包含反射层系统和压电层，该反射层系统具有形成反射镜表面的部分的辐射入射表面，该压电层布置在辐射入射表面和基板之间。每个反射镜元件包括与压电层相关联的电极布置，以产生电场，其中压电层的层厚度可以通过电场控制。提供将邻近的电极布置的邻近的第一电极和第二电极电互连的互连布置，其中互连布置在所述第一电极和第二电极之间的间隙区域中的电阻大于所述第一电极和第二电极的电阻，并且小于具有所述第一电极和第二电极的所述邻近的电极布置的压电层的电阻。

公开(公告)号：CN104145205A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201380011972.4

申请日：2013-01-23

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： S.布雷迪斯特尔 ,  J.哈特杰斯 ,  T.格鲁纳

IPC: G02B27/00 ,  G01N21/41 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/706 ,  G01K11/00 ,  G01M11/0242 ,  G01M11/0271 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70891

Abstract: 一种微光刻的投射曝光设备(10)，包括测量投射曝光设备的光学元件的测量系统(50)。测量系统(50)包括：照射装置(54)，其构造成在不同方向(64)上将测量辐射(62)辐射至光学元件(20)，使得对于不同入射方向(64)，测量辐射(62)覆盖光学元件(20)内的相应光路长度(68)；检测装置(56)，其构造成对于相应入射方向(64)测量光学元件(20)中由测量辐射(62)覆盖的对应光学路径长度；以及评估装置，其构造成考虑相应入射方向，通过所测量路径长度的计算机断层反向投射确定光学元件(20)中的折射率的空间解析分布。

公开(公告)号：CN107851473B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201680041530.8

申请日：2016-07-05

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： W.B.J.哈克福特 ,  R.P.霍杰沃尔斯特 ,  P.T.罗格斯 ,  K.希尔德 ,  T.格鲁纳

IPC: G21K1/06

Abstract: 投射曝光设备(WSC)的反射镜系统(1)，包括多个反射镜元件(2a、2b)，其邻近布置并且共同形成反射镜系统(1)的反射镜表面(3)。每个反射镜(2a、2b)包括基板(4a、4b)和在基板(4a、4b)上的多层系统(5a、5b)。多层系统(5a、5b)包含反射层系统(6a、6b)和压电层(8a、8b)，该反射层系统具有形成反射镜表面(3)的部分的辐射入射表面(7a、7b)，该压电层布置在辐射入射表面(7a、7b)和基板(4a、4b)之间。每个反射镜元件(2a、2b)包括与压电层(8a、8b)相关联的电极系统(9a、9b、9c)，以产生电场，其中压电层(8a、8b)的层厚度(tp)可以通过电场控制。提供将邻近的电极系统(9a、9b、9c)的邻近的第一电极和第二电极(9a、9b)电互连的互连系统(10)。根据一个构想，互连系统(10)产生在第一电极和第二电极(9a、9b)之间的间隙区域(11)中的互连电场，其中该互连电场在第一电极(9a)处的第一电场和在第二电极(9b)处的第二电场之间产生连续过渡。根据其他构想，互连系统(10)在第一电极和第二电极(9a、9b)之间的间隙区域(11)中的电阻(Ri)大于第一电极和第二电极(9a、9b)的电阻(Rw)，并且小于具有第一和第二电极(9a、9b)的邻近电极系统(9a、9b、9c)的压电层(8a、8b)电阻(RI)。

公开(公告)号：CN109564396B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201780048828.6

申请日：2017-08-08

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： J.哈特耶斯 ,  A.沃尔夫 ,  T.格鲁纳

IPC: G03F7/20 ,  F16F15/03 ,  G02B7/182

Abstract: 本发明关于光学模块，其具有第一及第二组件、支撑结构以及防撞装置。支撑结构定义相对运动路径，第一及第二组件在干扰的影响下相对在相对运动路径上相对彼此移动，若防撞装置(114)不起作用，则发生第一及第二组件的碰撞区域之间的碰撞。防撞装置包含产生第一场的在第一组件上的第一防撞单元、并包含产生第二场的在第二组件上的第二防撞单元。当第一及第二组件逐渐地接近彼此时，第一及第二场在第一组件上产生抵消接近的增加的反作用力。第一和/或第二防撞单元包含产生部分场的多个防撞元件，其被指派给彼此使得其部分场的叠加产生一场，其场线密度随着沿相对运动路径离防撞单元的距离增加而比部分场中的一个的场线密度降低地更为急剧。

公开(公告)号：CN107111241A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580068983.5

申请日：2015-12-16

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： M.阿恩茨 ,  S.布雷迪斯特尔 ,  T.格鲁纳 ,  J.哈杰斯 ,  M.施瓦布

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/706 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/70266

Abstract: 一种投射曝光设备，包含投射镜头(12)；波前测量装置，其测量在该投射镜头(12)中的波前，该波前测量装置包含莫尔光栅布置(14)，其具有设计为分别布置于该投射镜头(12)的物平面(20)中的物光栅(16)与像平面(22)中的像光栅(18)，其中该物光栅(16)与该像光栅(18)以从该物光栅(16)到该像平面(22)上的成像(24)与该像光栅(18)产生莫尔叠加图案的方式以真实比例的方式彼此协调，其中该莫尔光栅布置(14)以针对该物平面(20)中物场(26)和/或该像平面(22)中像场(28)的多个场点同时产生莫尔叠加图案的方式设计。

公开(公告)号：CN107077074A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580049768.0

申请日：2015-09-07

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： S.安德烈 ,  D.戈尔德 ,  T.格鲁纳 ,  J.劳夫 ,  N.瓦布拉 ,  R.舍梅 ,  S.施耐德

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种投射镜头(PO)，用于通过具有来自极紫外范围(EUV)的操作波长λ的电磁辐射将设置于投射镜头的物平面(OS)中的图案成像至投射镜头的像平面(IS)上，投射镜头包含多个反射镜(M1‑M6)，其具有设置于该物平面与该像平面之间的投射射束路径中的反射镜表面，使得设置于物平面中的掩模(M)的图案可通过所述反射镜成像至像平面中。在平行于扫描方向行进的第一方向(y方向)上的第一成像比例的绝对值小于在垂直于该第一方向的第二方向(x方向)上的第二成像比例的绝对值。提供一种动态波前操纵系统，用于校正由掩模母版位移所造成的像散波前像差部分。

公开(公告)号：CN103140805B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201180046828.5

申请日：2011-09-22

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： J.赫茨勒 ,  S.布雷迪斯特尔 ,  T.格鲁纳 ,  J.哈特杰斯 ,  M.施瓦布 ,  A.沃尔夫

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70133 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70733 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7034 ,  G03F9/7049

Abstract: 一种用于曝光基板(20)的微光刻投射曝光设备(10)，包括：投射物镜(18)；及光学测量装置(40)，其用于在曝光基板(20)前，确定基板(20)的表面形貌。测量装置(40)具有在投射物镜(18)的外面延伸的测量光束路径，并构造为波前测量装置，该波前测量装置构造为在基板表面(21)上的多个点处同时确定形貌测量值。

公开(公告)号：CN104081284A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380006839.X

申请日：2013-01-14

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： N.贝尔 ,  T.格鲁纳 ,  U.洛林

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70891 ,  G02B17/0663 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/706 ,  G03F7/70958

Abstract: 本发明涉及一种光学布置，尤其是用于微光刻的投射镜头，包括：至少一个光学元件(21)，其包括光学表面(31a)和基板(32)，其中，所述基板(32)由一材料形成，所述材料的取决于温度的热膨胀系数在与参考温度Tref有关的零交叉温度ΔTZC＝TZC-Tref处等于零，其中，在所述光学装置运行期间，所述光学表面(31a)具有取决于位置的温度分布ΔT(x，y)，取决于位置的温度分布依赖于局部辐照度(5a)，与所述参考温度Tref有关，并具有平均温度ΔTav、最小温度ΔTmin和最大温度ΔTmax，其中，所述平均温度ΔTav小于由所述最小温度ΔTmin和所述最大温度ΔTmax形成的平均值1/2(ΔTmax+ΔTmin)，并且其中，所述零交叉温度ΔTZC大于所述平均温度ΔTav。本发明还涉及一种包括这种投射镜头形式的光学布置的EUV光刻设备和一种构造光学布置的相关方法。