公开(公告)号：CN109062000A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201811014505.8

申请日：2018-08-31

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 刘志恒 ,  董皓

IPC: G03F1/42 ,  G03F9/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/42 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7003

Abstract: 一种掩模工艺和掩模板组。该掩模工艺包括：将第一掩模板与承载待图案化的基板的机台对位；利用第一掩模板在待图案化的基板上形成第一层结构和第一套刻补正图案；利用图像传感器和第一套刻补正图案进行补正；将第二掩模板与机台对位；利用第二掩模板在待图案化的基板上形成第二层结构和第二套刻补正图案；以及利用图像传感器和第二套刻补正图案进行补正。该掩模工艺不用对产线设备进行改造便可实现对液晶天线等具有厚膜层的产品的自动对位，从而可实现液晶天线等具有厚膜层的产品的量产，并可降低成本。

公开(公告)号：CN107367911A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201610309546.4

申请日：2016-05-11

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 张强 ,  郝静安

IPC: G03F9/00

CPC classification number: G03F9/7015 ,  G03F7/70775 ,  G03F9/70 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7034 ,  G03F9/7073 ,  G03F9/7088 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/68 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  G03F9/7019 ,  G03F9/7046

Abstract: 一种对准方法及对准系统，其中对准方法包括：提供待曝光晶圆；将待曝光晶圆放置在基准平面上；对曝光面进行对准测量，获得测量距离；进行曝光面与基准平面之间的调平测量，获得调平数据；根据调平数据和测量距离，获得扩张参考值；根据扩张参考值和标准距离的差异，获得扩张补偿值；根据扩张补偿值，调整光刻工艺参数以实现对准。本发明在扩张补偿值的计算中，加入了曝光面的调平数据；在未增加对准标志的前提下，能够获得曝光面内对准标志和基准点之间的实际距离，能够有效的减小晶圆翘曲对曝光对准误差的影响，有效提高所获得曝光补偿值的补偿精度，提高对准精度。

公开(公告)号：CN107045267A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710187899.6

申请日：2017-03-27

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 彭翔 ,  戴韫青 ,  王剑

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F7/70633 ,  G03F7/70625 ,  H01L21/68 ,  H01L22/12 ,  H01L22/34 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70508 ,  G03F9/7003

Abstract: 本发明提供了一种套刻精度补正的优化方法及系统，通过对曝光结构进行套刻测量而得到曝光结构中各层之间的套刻精度包括测量第一层曝光图案与理论曝光图案之间的套刻精度；根据当前层所对准的前层曝光机台区分工具和前层所对准的再前层曝光机台区分工具，来优化设计针对不同工艺的跑货路径，并根据套刻偏差和跑货路径计算生成与跑货路径数量相匹配的多套十项补值数据；每套十项补值数据与相应的跑货路径相匹配；将第一层曝光图案与理论曝光图案之间的套刻精度分配到每套的十项补值中，再将每套的十项补值数据进行高阶非线性展开得到高阶非线性模型；利用高阶非线性模型作为套刻精度补值来修正套刻精度，得到修正后的套刻精度。

公开(公告)号：CN106990675A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201610981587.8

申请日：2016-11-09

Applicant: 保定来福光电科技有限公司

Inventor： 张惠光

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F7/2002 ,  G03F9/7003

Abstract: 本发明公开了一种双面对位的曝光机对位台，包括底座、第一台板和第二台板，第一台板被第一驱动装置驱动相对于底座运动，第二台板被第二装置驱动相对于第一台板运动，也可以与第一台板一起同步运动，在第一台板上安有PCB板支撑架吸附固定件，在第二台板上安有下菲林框架吸附固定件。该对位台能够在不依赖通孔靶点、不翻转PCB板的情况下将PCB板分别与上下菲林进行对位，而且能够使体积更加紧凑，针对现有曝光机的有限空间直接替换原有对位机构，将原来需翻转PCB板进行的两次单面对位变成不翻转PCB板的双面对位。

公开(公告)号：CN103779188B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310014649.4

申请日：2013-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈立锐 ,  梁辅杰 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70608 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7034

Abstract: 一种方法包括：接收衬底，该衬底具有内嵌在衬底中的材料部件，其中，接收衬底包括接收形成材料部件时所生成的第一水准数据和第一覆盖数据；在衬底上沉积抗蚀膜；以及使用预测的覆盖校正数据对抗蚀膜进行曝光，以形成覆盖衬底上的材料部件的抗蚀图案，其中，使用预测的覆盖校正数据包括生成第二水准数据并使用第一水准数据、第一覆盖数据和第二水准数据计算预测的覆盖校正数据。本发明还提供了覆盖预测的方法。

公开(公告)号：CN106462089A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580030769.0

申请日：2015-05-13

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： P·J·克拉默 ,  R·吉利贾姆塞 ,  N·拉默斯 ,  D·M·斯洛特布姆

IPC: G03F9/00

CPC classification number: G03F9/7046 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70483 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/706 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70775 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7049 ,  G03F9/7073

Abstract: 描述了一种曝光方法，该方法包括以下步骤：a)将第一图案转移到衬底的多个目标部分中的每一个上，第一图案包括至少一个对准标记；b)测量多个对准标记的位置，并且针对多个对准标记中的每一个，将对准标记位移(dx，dy)确定为对准标记的相应预定标称位置与对准标记的相应测量位置之差；c)将数学模型拟合到多个对准标记位移以获得拟合的数学模型，d)基于拟合的数学模型，确定第一图案在多个目标部分中的每一个中的位置；e)使用多个目标部分中的每一个中的所确定的第一图案的位置将第二图案转移到多个目标部分中的每一个上，其中数学模型包括多项式Z1和Z2：在极坐标(r,θ)中Z1＝r2 cos(2θ)Z2＝r2 sin(2θ)，在笛卡尔坐标(x,y)中Z1＝x2-yZ2＝xy。

公开(公告)号：CN105938301A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610410031.3

申请日：2016-06-12

Applicant: 深圳市海目星激光科技有限公司

Inventor： 赵盛宇 ,  张松岭 ,  龙蓉 ,  唐荣 ,  袁关锋 ,  周佰标

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F7/70825 ,  G03F9/7003

Abstract: 本发明公开了一种升降机构以及移动对位模组，属于升降装置技术领域。本发明升降机构包括底座、顶平台、连杆、移动座以及驱动电机，顶平台两端通过滑块滑轨结构与底座相连，移动座置于顶平台和底座之间，驱动电机通过滚珠丝杠副驱动移动座相对于底座往复运动，连杆两端分别与移动座和顶平台铰接。本发明移动对位模组包括XXY对位平台以及固设于XXY对位平台上方的升降机构。本发明升降机构采用滚珠丝杠副和连杆机构将驱动电机的动力转化为顶平台的升降的动力，由于驱动电机、滚珠丝杠副都是横向放置于顶平台与底座之间，克服了现有技术中菲林板升降机构以及移动对位模组结构体积大、占用空间大的技术问题。

公开(公告)号：CN102834780B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180017800.9

申请日：2011-03-03

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/22 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2035 ,  G03F7/70791 ,  G03F9/00 ,  G03F9/7003

Abstract: 本发明的曝光方法边使基板沿着一定方向移动，边在所述基板上的图案形成区域经由光掩模而使预先设定的图案依次曝光，其中，执行如下步骤：在所述基板上使所述图案曝光，另一方面，使激光束向与基板移动方向交叉的交叉方向的所述图案形成区域外照射，在所述基板面形成一定形状的伤痕而形成对准标记的步骤；检测所述对准标记相对于在所述基板移动方向后方位置预先设定的基准位置的向与基板移动方向交叉的交叉方向的位置偏移的步骤；使所述基板及所述光掩模相对移动来修正所述位置偏移的步骤；在所述图案的后续位置使下一图案曝光的步骤。由此，在大型的素色的基板上使图案高精度且低成本地曝光。

公开(公告)号：CN102985878B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201180016214.2

申请日：2011-02-25

Applicant: 密克罗尼克麦达塔公司

Inventor： M·沃尔斯顿 ,  P-E·古斯塔夫森

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F9/7003 ,  G03F7/70383 ,  H05K3/4679

Abstract: 一种在多层封装中系统堆栈的制造中在直接写入机中图案化工件的第二层的方法。该工件具有第一层，第一层具有以任意放置的管芯（1502）的形式的多个电气部件。每个部件具有连接点，其中一些连接点需要连接在部件之间。第一图案，其中包括分布在第一层中的管芯的连接点的不同区域（1510）与对对准的不同要求相关。该方法包括下列步骤：a.探测在第一图案中的具有对与封装中系统堆栈的选定特征或放置的部件的对准的高要求的特别区；b.探测被允许具有对与封装中系统堆栈的其它特征的对准的较低要求的第一图案的延伸区（1510）；c.通过计算经调整的第一图案数据来变换第一图案，包括原始电路图案的变换，使得：i.在相邻特别区中的连接点在可预先设置的对准偏差参数内被对准；以及使得ii.在特别区中的相应连接点的位置之间的偏差在延伸区的连接点的图案中被补偿；d.根据经调整的图案数据将图案写在工件的层上。第一图案也可同时与第二图案匹配。

公开(公告)号：CN102959469B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201180014848.4

申请日：2011-02-25

Applicant: 密克罗尼克麦达塔公司

Inventor： M·沃尔斯登 ,  P-E·古斯塔夫森

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H05K3/00

CPC classification number: G03F9/7003 ,  G03F7/70383 ,  H05K3/4679

Abstract: 一种在一个或多个写入机中在一系列写循环中图案化工件（2404）的多个层（L1、L2、L3、L4）的方法，所述工件被设计成具有数量为N的层（L1、L2、L3、L4），且所述工件的层具有图案位置的一个或多个边界条件，该方法包括下列步骤：确定层1到N的边界条件；计算归因于边界条件的偏差；以及计算对加上了归因于边界条件的偏差的所分派部分的第一变换的偏差的补偿。