公开(公告)号：CN101552248A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910132909.1

申请日：2009-03-31

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 小六泰辅 ,  若林猛 ,  冈田修 ,  桑原治 ,  盐田纯司 ,  藤井信充

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在硅基板(1)的上表面的除去周边部以外的区域上，设有由低介电常数膜(4)和布线(5)的层叠构造构成的低介电常数膜布线层叠构造部(3)。通过密封膜(15)覆盖低介电常数膜布线层叠构造部(3)的周侧面。由此，成为低介电常数膜(4)不易剥离的构造。这时，在硅基板(1)的下表面，为了保护该下表面不发生裂缝等，设有下层保护膜(18)。

公开(公告)号：CN101752274A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910225179.X

申请日：2009-12-09

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 小六泰辅 ,  冈田修 ,  桑原治 ,  盐田纯司 ,  藤井信充

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。首先，在与切割道及其两侧相对应的部分的半导体晶片以及密封膜等上形成槽。在该状态下，由于槽的形成，半导体晶片被分离为各个硅基板。接着，在包括槽内的各硅基板(1)的底面上形成树脂保护膜。此时，半导体晶片被分离为各个硅基板，但在柱状电极以及密封膜的上面上经由粘接层粘贴有支承板，因此在树脂保护膜的形成时，能够使包括被分离各个的硅基板的整体难以弯曲。

公开(公告)号：CN101752272A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910225177.0

申请日：2009-12-09

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 小六泰辅 ,  冈田修 ,  桑原治 ,  盐田纯司 ,  藤井信充

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/525 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及通过树脂保护膜将半导体衬底的底面及侧面覆盖的半导体器件的制造方法。首先，在与划片道及其两侧相对应的部分的半导体晶片及密封膜等中形成槽。在该状态下，通过槽的形成，半导体晶片被分离成各个硅衬底。接着，在包含槽内的各硅衬底(1)的底面形成树脂保护膜。此时，半导体晶片被分离成各个硅衬底，但因为在柱状电极及密封膜的上表面间隔着粘接层等粘贴支撑板，所以可以在形成树脂保护膜时，使包含被各个分离的硅衬底的整体难以翘曲。

公开(公告)号：CN101752273A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910225178.5

申请日：2009-12-09

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 小六泰辅 ,  冈田修 ,  桑原治 ,  盐田纯司 ,  藤井信充

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03

Abstract: 本发明涉及用树脂保护膜覆盖着半导体衬底的底面及侧面的半导体器件的制造方法。首先，在与划片道及其两侧对应的部分的半导体晶片及密封膜等上形成槽。在此状态下，通过形成槽，半导体晶片被分离为各个硅衬底。接着，在包含槽内在内的各硅衬底的底面形成树脂保护膜。在此情况下，半导体晶片被分离为各个硅衬底，但是由于在柱状电极及密封膜的上表面间隔着粘接剂层粘贴了支撑板，所以能够使得在形成树脂保护膜时，包含分离的各个硅衬底的整体不易翘曲。