公开(公告)号：CN101807512A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200910252738.6

申请日：2009-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张钧琳 ,  吴欣贤 ,  魏正泉 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  叶俊林 ,  林日泽 ,  王若飞 ,  范明煜 ,  牟忠一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

Abstract: 一种设备包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却滚筒或静电盘内部或者与冷却滚筒或静电盘邻近的至少一个流体管道。提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体连接到对应的流体管道的一个上，并被配置以在离子注入工艺过程提供对应不同的冷却剂到多个温度区中一个对应的区域中。冷却剂源分别包括不同的冷却或冷冻单元。

公开(公告)号：CN101661958B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200910167454.7

申请日：2009-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建豪 ,  连浩明 ,  李思毅 ,  李启弘 ,  陈建良 ,  费中豪 ,  杨文志 ,  黄仁安 ,  张启新 ,  林俊铭 ,  庄学理 ,  叶俊林 ,  林纲正 ,  黄国泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一半导体装置及其制造方法，该装置包含一半导体基材及一形成于该基材中的晶体管，该晶体管包含一具有一高介电常数介电质及金属栅极的栅极堆叠，一密封层形成于该栅极堆叠的侧壁上，该密封层具有一内部边缘及一外部边缘，该内部边缘与该栅极堆叠相接合，一间隔物形成于该密封层的外部边缘上，及一源/漏极区形成于该栅极堆叠的两侧上，该源/漏极区包含一沿着该密封层的外部边缘的轻掺杂源/漏极区。本发明提供了简单且具有经济效益的密封结构及方法，以维持金属栅极高介电常数介电质的完整性，并因此改善了装置效能及可靠度。

公开(公告)号：CN102593025A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210022051.5

申请日：2009-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张钧琳 ,  吴欣贤 ,  魏正泉 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  叶俊林 ,  林日泽 ,  王若飞 ,  范明煜 ,  牟忠一

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明公开一种半导体晶片的多区域温度控制。本发明还公开一种设备，其包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却滚筒或静电盘内部或者与冷却滚筒或静电盘邻近的至少一个流体管道。提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体连接到对应的流体管道的一个上，并被配置以在离子注入工艺过程提供对应不同的冷却剂到多个温度区中一个对应的区域中。冷却剂源分别包括不同的冷却或冷冻单元。

公开(公告)号：CN101661958A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910167454.7

申请日：2009-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建豪 ,  连浩明 ,  李思毅 ,  李启弘 ,  陈建良 ,  费中豪 ,  杨文志 ,  黄仁安 ,  张启新 ,  林俊铭 ,  庄学理 ,  叶俊林 ,  林纲正 ,  黄国泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一半导体装置及其制造方法，该装置包含一半导体基材及一形成于该基材中的晶体管，该晶体管包含一具有一高介电常数介电质及金属栅极的栅极堆叠，一密封层形成于该栅极堆叠的侧壁上，该密封层具有一内部边缘及一外部边缘，该内部边缘与该栅极堆叠相接合，一间隔物形成于该密封层的外部边缘上，及一源/漏极区形成于该栅极堆叠的两侧上，该源/漏极区包含一沿着该密封层的外部边缘的轻掺杂源/漏极区。本发明提供了简单且具有经济效益的密封结构及方法，以维持金属栅极高介电常数介电质的完整性，并因此改善了装置效能及可靠度。

公开(公告)号：CN102593025B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201210022051.5

申请日：2009-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张钧琳 ,  吴欣贤 ,  魏正泉 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  叶俊林 ,  林日泽 ,  王若飞 ,  范明煜 ,  牟忠一

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明公开一种半导体晶片的多区域温度控制。本发明还公开一种设备，其包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却滚筒或静电盘内部或者与冷却滚筒或静电盘邻近的至少一个流体管道。提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体连接到对应的流体管道的一个上，并被配置以在离子注入工艺过程提供对应不同的冷却剂到多个温度区中一个对应的区域中。冷却剂源分别包括不同的冷却或冷冻单元。