-
公开(公告)号：CN103137513B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210074960.3
申请日：2012-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了监测集成电路制造系统的工艺设备的方法和系统。一种示例性方法包括限定集成电路制造工艺设备的区域；基于所限定的区域将集成电路制造工艺设备的参数分组；并且基于所分组的参数评估集成电路制造工艺设备的状态。本发明还公开了集成电路制造设备状态监测系统和方法。
-
公开(公告)号：CN103151284A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210183589.4
申请日：2012-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: G05B19/18 , G05B2219/45031 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体制造工艺的自动计算边界的系统和方法。该方法包括：选择半导体制造工艺期间进行监测的第一参数。接收第一参数的第一组数值并且确定第一组的群组值。正规化第一组数值中的每个数值。基于第一组中的数值数目选择第一权重因子。实施例还包括：生成第一边界值和第二边界值作为权重因子、第一组正规化数值和第一组的群组值的函数，并且应用第一边界值和第二边界值来控制半导体制造工艺。本发明还提供了用于半导体工艺的自动边界控制的系统和方法。
-
公开(公告)号：CN102593025A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210022051.5
申请日：2009-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/12
Abstract: 本发明公开一种半导体晶片的多区域温度控制。本发明还公开一种设备，其包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却滚筒或静电盘内部或者与冷却滚筒或静电盘邻近的至少一个流体管道。提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体连接到对应的流体管道的一个上，并被配置以在离子注入工艺过程提供对应不同的冷却剂到多个温度区中一个对应的区域中。冷却剂源分别包括不同的冷却或冷冻单元。
-
公开(公告)号：CN103681395B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201210539997.9
申请日：2012-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G05B19/4065 , G05B2219/37252 , G05B2219/45031
Abstract: 本发明提供了用于工具状态监控的各种方法，本发明还包括用于实现这种监控的系统。一种示例性方法包括接收与由集成电路制造工艺工具对晶圆实施工艺相关联的数据；以及使用数据监控集成电路制造工艺工具的状态。监控包括：基于异常识别标准、异常过滤标准以及异常阈值评估数据以确定数据是否满足警报阈值。方法进一步包括当数据满足警报阈值时发布警报。本发明还提供了用于工具状态监控的定性故障检测和分类系统及相关方法。
-
公开(公告)号：CN101853776B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910215218.8
申请日：2009-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , G05B19/418
CPC classification number: G05B21/02 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体制造方法。该方法包括：对第一多个半导体晶片执行第一工艺；基于工艺质量确定所述第一多个半导体晶片的采样率；确定所述第一多个半导体晶片的采样区域和采样点；根据所述采样率、所述采样区域以及所述采样点，测量所述第一多个半导体晶片的子集；根据所述测量修正第二工艺；以及对第二多个半导体晶片应用第二工艺。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101923289A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010145557.6
申请日：2010-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种用于监测直写系统的覆盖的方法。该方法包括提供衬底，该衬底具有通过直写系统形成在其上的构图，产生相关于衬底构图的数据，通过应用转换矩阵分解数据，以及基于分解的数据确定覆盖指数，覆盖指数对应于衬底构图相对于目标构图的变化分量。还公开了一种监测电子束覆盖并提供先进过程控制的方法和系统。
-
公开(公告)号：CN101872173A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910167455.1
申请日：2009-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05B19/41865 , G05B2219/32097 , G05B2219/32256 , G05B2219/32324 , G05B2219/45031 , G06Q10/087 , Y02P90/14 , Y02P90/20
Abstract: 本发明揭示一种半导体产品级别控制的方法，应用于制造集成电路元件，其中，产品级别与集成电路所呈现一种或多种特性有关，半导体产品级别控制的方法包括：对多个晶片批次，执行多个工艺；决定所需产品级别数量、现有产品级别数量与生产中产品级别数量；将已决定的所需产品级别数量，与已决定的现有产品级别数量以及已决定的预估生产中产品级别数量作比较；以及若已决定的现有产品级别数量与已决定的预估生产中产品级别数量无法满足已决定的所需产品级别数量，则修正晶片批次的工艺中的至少一者。本发明的方法能有效控制产品级别的数量并能动态地迎合客户的产品级别需求。
-
公开(公告)号：CN101853776A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200910215218.8
申请日：2009-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , G05B19/418
CPC classification number: G05B21/02 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体制造方法。该方法包括：对第一多个半导体晶片执行第一工艺；基于工艺质量确定所述第一多个半导体晶片的采样率；确定所述第一多个半导体晶片的采样区域和采样点；根据所述采样率、所述采样区域以及所述采样点，测量所述第一多个半导体晶片的子集；根据所述测量修正第二工艺；以及对第二多个半导体晶片应用第二工艺。
-
公开(公告)号：CN101853008A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010129593.3
申请日：2010-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67276 , G05B13/044
Abstract: 本发明的一实施例提供一种先进工艺控制方法和系统，适用于半导体制造，其中控制方法包括：提供即将被半导体机台处理的目前晶片；提供半导体制造机台所处理过的多个先前晶片的第一数据；将噪声自第一数据去耦合，用以产生第二数据；根据第二数据与目标数据的邻近程度，评估先进工艺控制执行效能；根据上述先进工艺控制执行效能，决定控制参数；以及根据控制参数，控制半导体制造机台，用以处理目前晶片。
-
公开(公告)号：CN101807512A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910252738.6
申请日：2009-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , H01L21/265
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/12
Abstract: 一种设备包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却滚筒或静电盘内部或者与冷却滚筒或静电盘邻近的至少一个流体管道。提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体连接到对应的流体管道的一个上，并被配置以在离子注入工艺过程提供对应不同的冷却剂到多个温度区中一个对应的区域中。冷却剂源分别包括不同的冷却或冷冻单元。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.06 seconds)
