公开(公告)号：CN106811791B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201610689210.5

申请日：2016-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王柏伟 ,  张钧琳

IPC: C25D17/10 ,  C25D17/02 ,  C25D7/12

Abstract: 本发明揭露一种用于电镀槽的高电阻虚拟阳极、处理槽及处理基板表面的方法。用于电镀槽的高电阻虚拟阳极包含第一层及第二层。第一层包含多个第一孔洞穿透第一层。第二层位于第一层上，并且包含多个第二孔洞穿透第二层。

公开(公告)号：CN103021775B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201210098146.5

申请日：2012-04-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黃至鸿 ,  张钧琳 ,  郑迺汉 ,  杨棋铭 ,  林进祥

IPC: H01J37/244

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明公开了束监控器件、方法和系统。一种示例性束监控器件包括一维(1D)轮廓仪。该1D轮廓仪包括具有绝缘材料和导电材料的法拉第件。该束监控器件进一步包括二维(2D)轮廓仪。该2D轮廓仪包括具有绝缘材料和导电材料的多个法拉第件。该束监控器件进一步包括控制臂。该控制臂可操作地便于在纵向方向上移动束监控器件，以及便于绕轴旋转束监控器件。

公开(公告)号：CN101781797B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910162396.9

申请日：2009-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张钧琳 ,  魏正泉 ,  吴欣贤

IPC: C30B31/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425

CPC classification number: C30B31/22

Abstract: 一种方法，包括：在工艺室之外将第一半导体晶片从15℃或以上的温度预冷却到5℃以下的温度。该预冷却的第一晶片在进行预冷却步骤之后被置于工艺室之内。在放置第一晶片之后在第一晶片上进行低温离子注入。

公开(公告)号：CN101839624A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200910173957.5

申请日：2009-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴欣贤 ,  张钧琳 ,  杨棋铭

IPC: F27B1/09 ,  F27B1/10 ,  F27D11/00 ,  F27D11/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67109 ,  F27B17/0025

Abstract: 适用于晶片的化学气相淀积工艺的半导体炉。该炉包括一个热反应室，该室具有顶部、底部、侧壁和内部空腔，用以容纳一批垂直堆叠的晶片。具有一加热系统，包括多个配置的加热器，可以加热反应室。加热系统包括至少一个顶加热器、至少一个底加热器和多个沿反应室的高度间隔排布的侧壁加热器，以控制室内温度变化和提高晶片膜淀积厚度的一致性。

公开(公告)号：CN109994351B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201810000743.7

申请日：2018-01-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宜静 ,  陈其贤 ,  吴欣贤 ,  张钧琳

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

Abstract: 一种离子布植机及离子布植机腔室的制造方法。此离子布植机包含腔室。腔室包含至少一第一腔壁及第一类金刚石碳层。所述至少一第一腔壁定义出制程空间。第一类金刚石碳层配置于所述至少一第一腔壁上。第一类金刚石碳层包含经修饰的第一表面，经修饰的第一表面面向制程空间。

公开(公告)号：CN103000481B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201210191876.X

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张钧琳 ,  黃至鸿 ,  郑迺汉 ,  杨棋铭 ,  林进祥

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244 ,  H01J37/304

CPC classification number: H01L22/10 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/265

Abstract: 一种监测晶圆离子分布的装置，包括第一传感器和第二传感器。第一传感器、第二传感器和晶圆置于均匀的离子注入流轮廓的有效区域内。控制器基于来自第一传感器和第二传感器的感测信号确定晶圆的每个区域的离子剂量。此外，控制器调节离子束的扫描频率或晶圆的移动速度以实现晶圆上的离子均匀分布。本发明还提供了一种离子注入监测装置。

公开(公告)号：CN110543082A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910279012.5

申请日：2019-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李中杰 ,  徐丰源 ,  陈其贤 ,  杨棋铭 ,  吴小真 ,  张钧琳

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明实施例涉及产生电磁辐射的机台及方法，所述方法包括以下操作。将目标材料引入于腔室中。将光束照射于所述腔室中的所述目标材料上，以产生等离子体及电磁辐射。用光学装置收集所述电磁辐射。将气体混合物引入于所述腔室中。所述气体混合物包括与所述目标材料起反应的第一缓冲气体，及用于减缓所述目标材料的碎屑及/或等离子体副产物以增加所述目标材料与所述第一缓冲气体的反应效率且减少所述目标材料的所述碎屑及/或所述等离子体副产物在所述光学装置上的沉积的第二缓冲气体。

公开(公告)号：CN106811791A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201610689210.5

申请日：2016-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王柏伟 ,  张钧琳

IPC: C25D17/10 ,  C25D17/02 ,  C25D7/12

CPC classification number: C25D17/12 ,  C25D17/001 ,  C25D17/007 ,  C25D17/008 ,  C25D17/10 ,  C25D7/12 ,  C25D17/02

Abstract: 本发明揭露一种用于电镀槽的高电阻虚拟阳极、处理槽及处理基板表面的方法。用于电镀槽的高电阻虚拟阳极包含第一层及第二层。第一层包含多个第一孔洞穿透第一层。第二层位于第一层上，并且包含多个第二孔洞穿透第二层。

公开(公告)号：CN102738066B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201110317983.8

申请日：2011-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈其贤 ,  吴欣贤 ,  张钧琳 ,  夏兴国 ,  郭鸿毅

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76898

Abstract: 一种形成硅通孔(TSV)开口的方法包括穿过衬底形成TSV开口。利用第一化学产品去除在该TSV开口的侧壁上的衬底材料的重铸物。利用第二化学产品基本上去除第一化学产品的残留物来清洁TSV开口的侧壁。

公开(公告)号：CN102790149A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210107454.X

申请日：2012-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴欣贤 ,  陈其贤 ,  张钧琳 ,  萧景文 ,  徐光宏

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/26593 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 一种方法包括提供LED元件，该LED元件包括衬底和在该衬底上设置的氮化镓(GaN)层。对该GaN层进行处理。处理包括对该GaN层实施离子注入工艺。该离子注入工艺可以提供该GaN层的粗糙化的表面区域。在实施例中，该离子注入工艺在低于约25摄氏度的温度下进行实施。在另外的实施例中，该衬底在该离子注入工艺期间处于低于约零摄氏度的温度下。本发明还提供了一种发光二极管及其制造方法。