公开(公告)号：CN109727964A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810022467.4

申请日：2018-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈硕懋 ,  许峯诚 ,  黄翰祥 ,  刘献文 ,  郑心圃 ,  李孝文

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

Abstract: 本发明实施例提供多种多芯片晶片级封装及其形成方法。一种多芯片晶片级封装包括第一层级及第二层级。所述第一层级包括第一重布线层结构及位于所述第一重布线层结构之上的至少一个芯片。所述第二层级包括第二重布线层结构以及位于所述第二重布线层结构之上的至少两个其他芯片。所述第一层级接合到所述第二层级，使得所述至少一个芯片在实体上接触所述第二重布线层结构。所述至少两个其他芯片的连接件的总数目大于所述至少一个芯片的连接件的总数目。

公开(公告)号：CN108122879A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710974099.9

申请日：2017-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  方子睿 ,  郑锡圭 ,  韩至刚 ,  赖怡仁 ,  刘献文 ,  林仪柔

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: 本揭露实施例涉及一种半导体装置，其包含：第一介电层，其具有第一表面；模制化合物，其安置于所述第一介电层的所述第一表面上；第二介电层，其具有安置于所述模制化合物上的第一表面；通路，其安置于所述模制化合物中；及第一导电凸块，其安置于所述通路上且由所述第二介电层包围；其中所述第一介电层及所述第二介电层由相同材料组成。填充材料具有介于所述第二介电层与所述半导体裸片之间的厚度，且所述孔的直径与所述填充材料的所述厚度成反比。

公开(公告)号：CN103240833A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210326320.7

申请日：2012-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志壕 ,  刘献文 ,  蔡宜霖 ,  洪瑞斌 ,  林俊成

IPC: B29C43/18 ,  B29C43/36 ,  B29C43/52

Abstract: 本发明提供了一种方法，包括在封装部件上模制聚合物。模制步骤包括在第一温度处实施的第一模制阶段，以及在不同于第一温度的第二温度处实施的第二模制阶段。本发明还提供了模制集成电路的方法。

公开(公告)号：CN106997854B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201611181544.8

申请日：2016-12-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  刘献文 ,  林柏尧 ,  黄震麟 ,  吕学德 ,  郑心圃

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 一种实施例封装件包括第一封装件；接触第一封装件的顶面的热界面材料(TIM)、以及接合至第一封装件的第二封装件。第二封装件包括第一半导体管芯，并且TIM接触第一半导体管芯的底面。封装件还包括设置在第二封装件的与第一封装件相对的表面上的散热器。本发明实施例涉及封装结构上的集成扇出封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN106571346A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610080185.0

申请日：2016-02-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪瑞斌 ,  黄震麟 ,  刘献文 ,  郑心圃

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了芯片封装件的结构和形成方法。芯片封装件包括半导体管芯和部分或全部地包封半导体管芯的封装层。芯片封装件也包括穿透封装层的导电部件。芯片封装件还包括界面层，该界面层连续地围绕导电部件。界面层位于导电部件和封装层之间，并且界面层由金属氧化物材料制成。

公开(公告)号：CN103240833B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210326320.7

申请日：2012-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志壕 ,  刘献文 ,  蔡宜霖 ,  洪瑞斌 ,  林俊成

IPC: B29C43/18 ,  B29C43/36 ,  B29C43/52

Abstract: 本发明提供了一种方法，包括在封装部件上模制聚合物。模制步骤包括在第一温度处实施的第一模制阶段，以及在不同于第一温度的第二温度处实施的第二模制阶段。本发明还提供了模制集成电路的方法。

公开(公告)号：CN103117250A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201210195021.4

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王忠裕 ,  洪瑞斌 ,  陈志壕 ,  苏峻兴 ,  茅一超 ,  叶宫辰 ,  蔡宜霖 ,  洪樱姿 ,  高金福 ,  许仕逸 ,  张进传 ,  刘献文 ,  李隆华

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种方法，该方法包括：对包括多个管芯的复合晶圆进行切割，其中，在进行切割步骤时所述复合晶圆接合在载具上。在切割步骤之后，将所述复合晶圆设置于胶带上。然后从所述复合晶圆和所述第一胶带上剥离所述载具。本发明还涉及用于载具剥离的方法。

公开(公告)号：CN109216219B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN201810455793.4

申请日：2018-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  陈硕懋 ,  刘献文 ,  庄博尧 ,  许峯诚 ,  林柏尧

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 方法包括在载体上方形成再分布结构，再分布结构具有位于再分布结构的远离载体的表面上的导电部件；在再分布结构的表面上方形成导电柱；将管芯附接至再分布结构的邻近导电柱的表面，其中，管芯的管芯连接件电连接至再分布结构的导电部件；以及通过导电接头将预制衬底附接至导电柱，其中，导电接头位于导电柱上并且包括与导电柱不同的材料，其中，导电接头和导电柱将再分布结构电连接至预制衬底。本发明的实施例还涉及具有双侧金属布线的半导体封装件。

公开(公告)号：CN113658932A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110843953.4

申请日：2021-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘献文 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L21/66

Abstract: 器件包括半导体管芯。半导体管芯包括器件层、在器件层上方的互连层、在互连层上方的导电焊盘、直接在导电焊盘上的导电晶种层，以及密封导电焊盘和导电晶种层的钝化层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN111128758A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911043914.5

申请日：2019-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  刘献文 ,  郑心圃 ,  林孟良 ,  彭世勇 ,  洪士庭

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/603

Abstract: 一种封装结构的形成方法，包括形成导电结构于载体基板之上；配置半导体晶粒于载体基板之上；在上升的温度下压靠保护基板于载体基板以接合保护基板至导电结构；以及形成保护层以包围半导体晶粒。