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公开(公告)号：CN102412257A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110049461.4
申请日：2011-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器元件及其制法，包括：一第一铁磁性层磁性固定且位于一基板的一第一区域中；一第二铁磁性层近似于第一铁磁性层，以及一阻挡层介于第一铁磁性层与第二铁磁性层的第一部分之间。第二铁磁性层包括一第一部分为磁性自由且位于第一区域中；一第二部分磁性固定于一第一方向且位于基板的一第二区域中，其中第二区域从一第一侧边与第一区域接触；以及一第三部分磁性固定于一第二方向且位于基板的一第三区域中，其中第三区域从一第二侧边与第一区域接触。本发明可降低写入电流而不会劣化(degrading)磁阻(magnetoresistance，MR)及/或热稳定性。
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公开(公告)号：CN102074649A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010121327.6
申请日：2010-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/16 , G11C11/1659 , H01L27/228 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了一种存储器装置、磁性随机存取存储器的存储单元及其制造方法，用于MRAM的反向连接的STT MTJ元件，当切换该MTJ元件的磁化自平行至反平行方向时，用以克服源极退化效应。一MRAM的存储单元具有反向连接的MTJ元件，包括一切换元件，具有一源极、一栅极和一漏极，以及反向连接的MTJ元件具有一自由层、一固定层和一隔离层。该反向连接的MTJ元件的自由层与该切换元件的漏极连接，及该固定层与一位元线连接。该反向连接的MTJ元件运用该存储单元的低IMTJ能力，致使源极退化效应对IMTJ(AP→P)影响较不严厉，而保有较高的IMTJ能力因应较严格的IMTJ(P→AP)需求。
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公开(公告)号：CN101604694A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910008312.6
申请日：2009-02-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L29/423 , H01L21/8247 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/42328 , H01L27/11521 , H01L29/7881 , H01L29/7885
Abstract: 本发明提供了一种多重晶体管元件及其操作与制造方法，该多重晶体管元件包括：一基板；一第一浮置栅堆叠物，位于该基板的上；一第二浮置栅堆叠物，位于该基板的上并耦接该第一浮置栅堆叠物；以及一第一有源区，位于该基板之内并耦接该第一浮置栅堆叠物与该第二浮置栅堆叠物。本发明通过未处于编程操作的另一多重晶体管元件进行读取操作可进一步地消除或减少起因于多重晶体管元件经热电子编程后所产生的电荷牵绊所造成的如临界电压(Vt)劣化的可靠度的劣化改变。
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公开(公告)号：CN101859599B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201010142475.6
申请日：2010-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C11/16 , G11C8/08 , G11C11/1657 , G11C11/1659
Abstract: 一种使用字线过度驱动和高k金属栅极提升磁性隧道结的编程电流的方法，包括：设置MRAM单元，其包括磁性隧道结(MTJ)器件；以及选择器，包括串联至MTJ器件的源极‑漏极路径。该方法还包括向选择器的栅极施加过度驱动电压以导通选择器。
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公开(公告)号：CN102412257B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201110049461.4
申请日：2011-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/22
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器元件及其制法，包括：一第一铁磁性层磁性固定且位于一基板的一第一区域中；一第二铁磁性层近似于第一铁磁性层，以及一阻挡层介于第一铁磁性层与第二铁磁性层的第一部分之间。第二铁磁性层包括一第一部分为磁性自由且位于第一区域中；一第二部分磁性固定于一第一方向且位于基板的一第二区域中，其中第二区域从一第一侧边与第一区域接触；以及一第三部分磁性固定于一第二方向且位于基板的一第三区域中，其中第三区域从一第二侧边与第一区域接触。本发明可降低写入电流而不会劣化(degrading)磁阻(magnetoresistance，MR)及/或热稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101859870A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910146177.1
申请日：2009-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了一种半导体存储装置，包括：一底电极，位于一半导体基底上；一反铁磁层，设置于该底电极之上；一第一固定参考层，设置于该反铁磁层之上；一穿隧绝缘层，设置于该第一固定参考层之上；一第一铁磁层，设置于该穿隧绝缘层之上；一第二铁磁层，设置于该第一铁磁层之上；以及一顶电极，设置于该第二铁磁层之上。本发明的半导体存储装置可降低其写入电流且不会劣化其磁阻值与热稳定性。
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公开(公告)号：CN101814314A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010110918.3
申请日：2010-02-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/409
CPC classification number: G11C11/1677 , G11C11/1675
Abstract: 一种使用可能性写入对MRAM单元进行编程的方法包括：提供写入脉冲以向MRAM单元写入值；以及在提供第一写入脉冲的步骤之后立即检验MRAM单元的状态。在写入失败的情况下，将值重写入MRAM单元。
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公开(公告)号：CN101814314B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201010110918.3
申请日：2010-02-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/409
CPC classification number: G11C11/1677 , G11C11/1675
Abstract: 一种使用可能性写入对MRAM单元进行编程的方法包括：提供写入脉冲以向MRAM单元写入值；以及在提供第一写入脉冲的步骤之后立即检验MRAM单元的状态。在写入失败的情况下，将值重写入MRAM单元。
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公开(公告)号：CN103022342A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210100208.1
申请日：2012-04-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/15 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明为用于具有氧吸收保护层的MRAM器件的结构和方法，提供了用于MRAM器件的MTJ叠层。MTJ叠层包括：固定铁磁层，位于牵制层上方；隧穿阻挡层，位于固定铁磁层上方；自由铁磁层，位于隧穿阻挡层上方；导电氧化物层，位于自由铁磁层上方；以及基于氧的保护层，位于导电氧化物层上方。本发明还提供了一种用于具有氧吸收保护层的MRAM器件的结构和方法。
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公开(公告)号：CN101867015A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010148508.8
申请日：2010-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种操作磁阻性随机存取存储器(MRAM)单元的方法包括：设置MRAM单元，该MRAM单元包括磁性隧道结(MTJ)器件和具有串联至MTJ器件的源-漏路径的字线选择器。负衬底偏压连接至字线选择器的主体，以增大字线选择器的驱动电流。还减小字线选择器的阈值电压。本发明还公开了一种通过施加P-衬底偏压和调节阈值电压提高磁性隧道结的编程电流的方法。
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