公开(公告)号：CN102881820B

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201210012951.1

申请日：2012-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘明德 ,  江典蔚 ,  高雅真 ,  陈文正

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及的是一种磁阻式随机存储器(MRAM)单元，其包括磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶部电极、设置在MTJ下方的底部电极以及设置在MTJ一侧的感应线。该感应线被配置为在MTJ处感生出垂直磁场。本发明还公开了磁阻式随机存储器及其制造方法。

公开(公告)号：CN102881820A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210012951.1

申请日：2012-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘明德 ,  江典蔚 ,  高雅真 ,  陈文正

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及的是一种磁阻式随机存储器(MRAM)单元，其包括磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶部电极、设置在MTJ下方的底部电极以及设置在MTJ一侧的感应线。该感应线被配置为在MTJ处感生出垂直磁场。本发明还公开了磁阻式随机存储器及其制造方法。

公开(公告)号：CN109216334A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201711348612.X

申请日：2017-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄松辉 ,  赖瑞协 ,  黄天佑 ,  陈文正 ,  林于顺

IPC: H01L25/16

Abstract: 方法包括将电子管芯接合至光子管芯。光子管芯包括开口。该方法还包括将适配器附接至光子管芯，其中，该适配器的部分与电子管芯的部分处于相同的水平，形成穿透适配器的通孔，其中，该通孔与开口对准；以及将光学器件附接至适配器。该光学器件被配置为将光发射至光子管芯内或接收来自光子管芯的光。本发明实施例涉及一种光子封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN102412257B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201110049461.4

申请日：2011-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖志煌 ,  黄胜煌 ,  黄国峰 ,  刘明德 ,  林春荣 ,  高雅真 ,  陈文正

IPC: H01L27/22

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/0808 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器元件及其制法，包括：一第一铁磁性层磁性固定且位于一基板的一第一区域中；一第二铁磁性层近似于第一铁磁性层，以及一阻挡层介于第一铁磁性层与第二铁磁性层的第一部分之间。第二铁磁性层包括一第一部分为磁性自由且位于第一区域中；一第二部分磁性固定于一第一方向且位于基板的一第二区域中，其中第二区域从一第一侧边与第一区域接触；以及一第三部分磁性固定于一第二方向且位于基板的一第三区域中，其中第三区域从一第二侧边与第一区域接触。本发明可降低写入电流而不会劣化(degrading)磁阻(magnetoresistance，MR)及/或热稳定性。

公开(公告)号：CN109216334B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201711348612.X

申请日：2017-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄松辉 ,  赖瑞协 ,  黄天佑 ,  陈文正 ,  林于顺

IPC: H01L25/16

Abstract: 方法包括将电子管芯接合至光子管芯。光子管芯包括开口。该方法还包括将适配器附接至光子管芯，其中，该适配器的部分与电子管芯的部分处于相同的水平，形成穿透适配器的通孔，其中，该通孔与开口对准；以及将光学器件附接至适配器。该光学器件被配置为将光发射至光子管芯内或接收来自光子管芯的光。本发明实施例涉及一种光子封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN102412257A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110049461.4

申请日：2011-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖志煌 ,  黄胜煌 ,  黄国峰 ,  刘明德 ,  林春荣 ,  高雅真 ,  陈文正

IPC: H01L27/22 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/0808 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器元件及其制法，包括：一第一铁磁性层磁性固定且位于一基板的一第一区域中；一第二铁磁性层近似于第一铁磁性层，以及一阻挡层介于第一铁磁性层与第二铁磁性层的第一部分之间。第二铁磁性层包括一第一部分为磁性自由且位于第一区域中；一第二部分磁性固定于一第一方向且位于基板的一第二区域中，其中第二区域从一第一侧边与第一区域接触；以及一第三部分磁性固定于一第二方向且位于基板的一第三区域中，其中第三区域从一第二侧边与第一区域接触。本发明可降低写入电流而不会劣化(degrading)磁阻(magnetoresistance，MR)及/或热稳定性。

公开(公告)号：CN102074649A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010121327.6

申请日：2010-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林春荣 ,  王郁仁 ,  高雅真 ,  陈文正 ,  刘明德

IPC: H01L43/00 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种存储器装置、磁性随机存取存储器的存储单元及其制造方法，用于MRAM的反向连接的STT MTJ元件，当切换该MTJ元件的磁化自平行至反平行方向时，用以克服源极退化效应。一MRAM的存储单元具有反向连接的MTJ元件，包括一切换元件，具有一源极、一栅极和一漏极，以及反向连接的MTJ元件具有一自由层、一固定层和一隔离层。该反向连接的MTJ元件的自由层与该切换元件的漏极连接，及该固定层与一位元线连接。该反向连接的MTJ元件运用该存储单元的低IMTJ能力，致使源极退化效应对IMTJ(AP→P)影响较不严厉，而保有较高的IMTJ能力因应较严格的IMTJ(P→AP)需求。